半导体器件及其制造方法，提高半导体器件的可靠性。在引线框架(LF)设有一对悬吊部(HL)，并且夹具(CLP)由主体部(BDU)和一对延伸部(EXU)构成，以此为前提，一对延伸部(EXU)搭载于一对悬吊部(HL)上而被支承。由此，夹具(CLP)被搭载于引线(LD1)上(1点)和一对悬吊部(HL)上(2点)，夹具(CLP)被这些部件3点支承。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件及其制造技术，例如涉及适用于作为逆变器(inverter)的构成要素发挥功能的半导体器件及其制造技术而有效的技术。
技术介绍
在日本特开2014 — 67880号公报(专利文献1)记载了如下技术:充分确保介于半导体芯片与金属板之间的导电性材料的厚度，来提高半导体芯片与金属板的连接可靠性。具体而言，在专利文献1记载了:在工具上配置引线框架(Lead frame)，并在设于工具的突起部上配置夹具框架。由此，根据专利文献1记载的技术，能够在半导体芯片与金属板之间确保充分的空间。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2014 - 67880号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题例如，在搭载半导体芯片的芯片搭载部与引线框架分离的半导体器件的制造工序中，有时在仅通过夹具(金属板)将芯片搭载部和引线框架连接的状态下进行搬送，所述夹具(金属板)将搭载于芯片搭载部的半导体芯片和形成于引线框架的引线连接。在该情况下，由于搬送中的冲击、振动，担忧发生对半导体芯片自身的损伤、对半导体芯片与夹具的连接部位、引线与夹具的连接部位的损伤、夹具自身的变形等。因而，在搭载半导体芯片的芯片搭载部与引线框架分离的半导体器件的制造工序中，希望提高半导体器件的可靠性。其他技术问题和新特征将通过本说明书的记载和附图而得以清楚。用于解决技术问题的手段一实施方式的半导体器件的制造方法，包括如下工序:以跨过半导体芯片的电极焊盘和引线的方式，经由导电性粘接材料配置金属板的主体部，并且在引线框架的第一悬吊部上配置金属板的第二悬吊部。此外，在一实施方式的半导体器件中，在俯视下，将支承金属板的支承部和金属板的延伸部相重叠的区域内包于封固体。专利技术效果根据一实施方式，能够提高半导体器件的可靠性。【附图说明】图1是在直流电源与3相感应电机之间配置有3相的逆变器电路的电路图。图2是说明3相的逆变器电路的工作的时序图。图3是表示实施方式1的包含逆变器电路及3相感应电机的电机电路构成的电路图。图4是表示形成有IGBT的半导体芯片的外形形状的俯视图。图5是表示半导体芯片的与表面相反一侧的背面的俯视图。图6是表示形成于半导体芯片的电路的一例的电路图。图7是表示实施方式1的IGBT的元件结构的剖视图。图8是表示形成有二极管的半导体芯片的外形形状的俯视图。图9是表示二极管的元件结构的剖视图。图10的(a)是表示关联技术中的半导体器件的制造工序的一部(夹具搭载工序)的俯视图，图10的(b)是图10的(a)的A — A线剖视图。图11的(a)是表示关联技术中的半导体器件的制造工序的一部(引线键合(wirebonding)工序)的俯视图，图11的(b)是图11的(a)的A — A线剖视图。图12是说明关联技术中的改善余地的图。图13的(a)是表示实施方式1中的半导体器件的外观构成的俯视图，图13的(b)是侧视图，图13的(c)是仰视图。图14是表示实施方式1的半导体器件的封固体的内部结构的图，图14的(a)是俯视图，图14的(b)是图14的(a)的A — A线剖视图，图14的(c)是图14的(a)的B —B线剖视图。图15是表示实施方式1的半导体器件的制造工序的图。图16是表不接着图15的半导体器件的制造工序的图。图17是表不接着图16的半导体器件的制造工序的图。图18是表示接着图17的半导体器件的制造工序的图。图19是表不接着图18的半导体器件的制造工序的图。图20是表示接着图19的半导体器件的制造工序的图。图21的(a)是表示引线框架的悬吊部和夹具的延伸部的配置结构的俯视图，图21的(b)是图21的(a)的在A — A线剖切的剖视图。图22的(a)是表示引线框架的悬吊部和夹具的延伸部的配置结构的俯视图，图22的(b)是图22的(a)的在A — A线剖切的剖视图。图23的(a)是表示引线框架的悬吊部和夹具的延伸部的配置结构的俯视图，图23的(b)是图23的(a)的在A — A线剖切的剖视图。图24是表示接着图20的半导体器件的制造工序的图。图25是表示接着图24的半导体器件的制造工序的图。图26是表示接着图25的半导体器件的制造工序的图。图27是表示接着图26的半导体器件的制造工序的图。图28是表不接着图27的半导体器件的制造工序的图。图29是图25的在A — A线剖切的剖视图。图30是表示实施方式1的电子装置的构成的图。图31的(a)是表示变形例1的半导体器件的外观构成的俯视图，图31的(b)是侧视图。图32是表示变形例1的半导体器件的封固体的内部结构的图，图32的(a)是俯视图，图32的(b)是图32的(a)的A — A线剖视图，图32的(c)是图32的(a)的B — B线剖视图。图33是表示在变形例1的半导体器件的制造方法中实施了夹具搭载工序及引线键合工序之后的状态的图。图34的(a)是表示变形例2的半导体器件的外观构成的俯视图，图34的(b)是侧视图。图35是表示变形例2的半导体器件的封固体的内部结构的图，图35的(a)是俯视图，图35的(b)是图35的(a)的A — A线剖视图，图35的(c)是图35的(a)的B — B线剖视图。图36是表示在变形例2的半导体器件的制造方法中实施了夹具搭载工序及引线键合工序之后的状态的图。图37是在直流电源与SR电机之间配置有逆变器电路的电路图。图38是说明实施方式2的逆变器电路的工作的图。图39的(a)是表不PM电机用的逆变器电路的一部分的图，图39的(b)是表不SR电机用的逆变器电路的一部分的图。图40的(a)是表示实施方式2的半导体器件的外观构成的俯视图，图40的(b)是侧视图，图40的(c)是仰视图。图41的(a)是表示实施方式2的半导体器件的内部结构的俯视图，图41的(bl)是图41的(a)的Al - A1线剖视图，图41的(b2)是图41的(a)的A2 — A2线剖视图。图41的(cl)是图41的(a)的B1 — B1线剖视图，图41的(c2)是图41的(a)的B2 — B2线剖视图。图42是表示实施方式2的半导体器件的制造工序的图。图43是表不接着图42的半导体器件的制造工序的图。图44是表不接着图43的半导体器件的制造工序的图。图45是表不接着图44的半导体器件的制造工序的图。图46是表不接着图45的半导体器件的制造工序的图。图47是表不接着图46的半导体器件的制造工序的图。图48是表不接着图47的半导体器件的制造工序的图。图49的(a)是表示变形例的半导体器件的外观构成的俯视图，图49的(b)是侧视图。图50的(a)是表示变形例的半导体器件的封固体的内部结构的俯视图，图50的(bl)是图50(a)的A1 — A1线剖视图，图50的(b2)是图50的(a)的A2 — A2线剖视图。图50的(cl)是图50的(a)的B1 — B1线剖视图，图50的(c2)是图50的(a)的B2 — B2线剖视图。图51是表示在变形例的半导体器件的制造方法中实施了夹具搭载工序及引线键合工序之后的状态的图。附图标记的说明CLP 夹具EXU延伸部HL悬吊部LD1 引线LF引线框架MR封固体TAB芯片搭载部。【具体实施方式】在以下的实施方式中为了便于说明，在需要时分割为多个部分或实施方式来进行说明本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括：(a)准备芯片搭载部的工序；(b)准备具有引线和悬吊部的引线框架的工序；(c)准备具有主体部和延伸部的金属板的工序；(d)在所述芯片搭载部的上表面上经由第一导电性粘接材料搭载半导体芯片的工序；(e)在所述(d)工序后，在搭载着所述半导体芯片的所述芯片搭载部的上方配置所述引线框架的工序；(f)在所述(e)工序后，以在俯视下所述半导体芯片的电极焊盘与所述引线的一部分重叠的方式，经由第二导电性粘接材料配置所述金属板的所述主体部，并且在所述引线框架的所述悬吊部上配置所述金属板的所述延伸部的工序，以及(g)在所述(f)工序后，将所述半导体芯片封固而形成封固体的工序。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：武藤晃，板东晃司，佐藤幸弘，御田村和宏，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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