应用于非易失性存储器的一位存储单元的控制方法技术

本发明专利技术为一种非易失性存储器中一一位存储单元即可的控制方法，该第一一位存储单元具有一位线连接至串接的N个储存单元，该控制方法包括下列步骤：(a)当编程该第一一位存储单元时，编程一第x储存单元，使得读取该第一一位存储单元时，提供该第x储存单元的储存状态；(b)当抹除该第一一位存储单元时，忽略该第x储存单元中的储存状态；以及(c)当再次编程该第一一位存储单元时，编程一第(x-1)储存单元，使得读取该第一一位存储单元时，提供该第(x-1)储存单元的储存状态；其中，且x大于等于2，且x小于等于N。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】本申请是以下专利申请的分案申请:申请号:201210571629.2，申请日:2012年12月25日，专利技术名称:应用于非易失性存储器的一位存储单元及其相关控制方法。
本专利技术是有关于一种非易失性存储器，且特别是有关于一种应用于非易失性存储器中的一位存储单元(one-bit memory cell)及其相关控制方法。
技术介绍
众所周知，非易失性存储器(nonvolatile memory)在停止供电之后仍持续的记录数据，因此广泛的运用在各种电子产品上。—般来说，非易失性存储器可利用浮动栅晶体管(floating gate transistor)或者反恪丝晶体管(ant1-fuse transistor)来实现。经由适当地控制，热载子(hot carrier)可注入(inject)或者逐出(eject)浮动栅晶体管中的浮动栅极(floating gate)，因此由浮动栅晶体管所组成的非易失性存储器通常可作为多次编程的存储器(mult1-timeprogramming memory,简称 MTP 存储器)。反恪丝晶体管是根据栅极氧化层(gate oxide laye本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储器中一一位存储单元即可的控制方法，该第一一位存储单元具有一位线连接至串接的N个储存单元，该控制方法包括下列步骤：(a)当编程该第一一位存储单元时，编程一第x储存单元，使得读取该第一一位存储单元时，提供该第x储存单元的储存状态；(b)当抹除该第一一位存储单元时，忽略该第x储存单元中的储存状态；以及(c)当再次编程该第一一位存储单元时，编程一第(x‑1)储存单元，使得读取该第一一位存储单元时，提供该第(x‑1)储存单元的储存状态；其中，且x大于等于2，且x小于等于N。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴孟益，温岳嘉，陈信铭，杨青松，
申请(专利权)人：力旺电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71