半导体存储器件及其操作方法技术

一种半导体存储器件，包括：熔丝部分，包括：第一熔丝组，具有针对第一模式分配的多个第一熔丝；以及第二熔丝组，具有针对第二模式分配的多个第二熔丝；以及编程部分，适于在所述第二模式下响应于修复控制信号而编程包括在所述第一熔丝组中的所述第一熔丝之中的可用熔丝或编程包括在所述第二熔丝组中的所述第二熔丝。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求2014年8月5日提交的申请号为10-2014-0100378的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及半导体设计技术，且更具体地涉及用于在修复操作期间编程缺陷地址信息的半导体存储器件和操作该种半导体存储器件的方法。
技术介绍
修复缺陷单元的方法被划分为在晶片阶段修复的方法和在封装阶段修复的方法。在封装阶段执行的修复方法被称作为封装后修复(Post-Package Repair, PPR)操作。半导体存储器件通常包括能够编程修复目标存储器单元的地址的熔丝电路。这里，编程操作表示用于在熔丝电路中储存修复目标存储器单元的地址的一系列操作。熔丝电路包括多个熔丝组，且熔丝组被划分成要在PPR模式期间使用的熔丝组以及要在测试模式(不是PPR模式，即，非PPR模式)期间使用的熔丝组。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例涉及一种半导体存储器件，该半导体存储器件通过在PPR模式下使用非PPR模式期间未使用的熔丝而可以在不增加熔丝的总数量的情况下增加针对封装后修复(PPR)模式的熔丝的数量。根据本专利技术的一个实施例，一种半导体存储器件，包括:熔丝部分，包括:第一熔丝组，具有针对第一模式分配的多个第一熔丝；以及第二熔丝组，具有针对第二模式分配的多个第二熔丝；以及编程部分，适于在所述第二模式下响应于修复控制信号而编程包括在所述第一熔丝组中的所述第一熔丝之中的可用熔丝或编程包括在所述第二熔丝组中的所述第二熔丝。所述编程部分可以包括:第一熔丝信息储存块，适于储存对应于所述第一熔丝组的第一熔丝信息，且通过确定所述第一熔丝组是否具有所述第一熔丝之中的未使用的熔丝来产生过流信号(over-flow signal);第二恪丝信息储存块，适于储存对应于所述第二恪丝组的第二熔丝信息；以及选择输出块，适于在所述第二模式下响应于所述过流信号而输出所述第一熔丝信息或所述第二熔丝信息。所述编程部分还可以包括:启动控制块，适于在启动操作中确定所述第一熔丝组和所述第二熔丝组是否被使用且更新所述第一熔丝信息和所述第二熔丝信息。所述编程部分还可以包括:地址锁存块，适于锁存从外部器件接收的缺陷地址信息所述编程部分还可以包括:断裂控制块，适于使与自所述选择输出块输出的所述第一熔丝信息或所述第二熔丝信息相对应的熔丝断裂。所述第一熔丝信息储存块可以输出当所述第一熔丝组具有所述可用熔丝时被禁用且当所述第一熔丝组无可用熔丝时被使能的所述过流信号。所述选择输出块可以包括:选择控制信号发生单元，适于接收在所述第二模式下被使能的封装后修复(PPR)模式使能信号、扩展模式信号和所述过流信号且产生选择控制信号；以及选择单元，适于响应于所述选择控制信号而选择性地输出所述第一熔丝信息或所述第二熔丝信息。所述第一模式可以是非封装后修复模式，以及所述第二模式可以是封装后修复模式。根据本专利技术的另一个实施例，一种半导体存储器件，包括:熔丝部分，所述熔丝部分包括:第一熔丝组，具有针对第一模式分配的多个第一熔丝；以及第二熔丝组，具有针对第二模式分配的多个第二熔丝；第一熔丝信息储存部分，适于响应于自外部器件施加的缺陷地址信息而输出与所述第一熔丝组对应的第一熔丝信息，且在所述第二模式下通过确定在所述第一熔丝组中的所述第一熔丝之中是否存在可用熔丝来产生过流信号；第二熔丝信息储存部分，适于在所述第二模式下响应于所述缺陷地址信息而将对应于所述第二熔丝组的第二熔丝信息输出；以及选择输出部分，适于在所述第二模式下响应于扩展模式信号而在所述过流信号被使能的第一区段期间输出所述第二熔丝信息，且在不同于所述第一区段的第二区段期间输出所述第一熔丝信息。所述第一熔丝信息储存部分可以输出当所述第一熔丝组具有所述可用熔丝时被禁用且当所述第一熔丝组无可用熔丝时被使能的所述过流信号。所述选择输出部分可以在所述第一模式下输出从所述第一熔丝信息储存部分输出的所述第一熔丝信息。所述选择输出部分可以包括:选择控制信号发生单元，适于接收在所述第二模式下被使能的封装后修复(PPR)模式使能信号、所述扩展模式信号和所述过流信号，且产生选择控制信号；以及选择单元，适于响应于所述选择控制信号而选择性地输出所述第一熔丝信息或所述第二熔丝信息。半导体存储器件还可以包括启动控制部分，适于在启动操作中确定所述第一熔丝组和所述第二熔丝组是否被使用，且更新所述第一熔丝信息和所述第二熔丝信息。半导体存储器件，还可以包括:地址锁存部分，适于锁存所述缺陷地址信息。半导体存储器件，还可以包括:断裂控制部分，适于使与自所述选择输出块输出的所述第一熔丝信息或所述第二熔丝信息对应的熔丝断裂。所述第一模式可以是非封装后修复模式，以及所述第二模式可以是封装后修复模式。根据本专利技术的另一个实施例，一种用于操作半导体存储器件的方法，该半导体存储器件包括第一熔丝组和第二熔丝组，所述第一熔丝组和所述第二熔丝组中的每个由多个熔丝形成，所述方法包括:在启动模式下储存关于所述第一熔丝组和所述第二熔丝组中的所述多个熔丝之中的可用熔丝的信息，且当不存在包括在所述第一熔丝组中的可用熔丝时产生过流信号；确定是否进入封装后修复(PPR)模式和扩展模式；在所述PPR模式和所述扩展模式两者中，响应于自外部器件施加的缺陷地址信息而在所述过流信号被使能的第一区段中选择与所述第二熔丝组对应的第二熔丝信息，以及在不同于所述第一区段的第二区段中选择与所述第一熔丝组对应的第一熔丝信息；以及使与选中的熔丝信息对应的熔丝断mΟ所述方法还可以包括:在非PPR模式下响应于所述缺陷地址信息而选择与所述第一熔丝组对应的所述第一熔丝信息。该方法还可以包括:在所述PPR模式和非扩展模式两者中响应于所述缺陷地址信息而选择与所述第二熔丝组相对应的所述第二熔丝信息。根据本专利技术的另一个实施例，一种半导体存储器件，包括:熔丝部分，包括第一熔丝组和第二熔丝组；以及编程部分，适于基于关于包括在所述第一熔丝组中的多个熔丝之中的可用熔丝的初始熔丝信息来在第一模式下编程第一熔丝组以及在第二模式下编程第一熔丝组或第二熔丝组。所述编程部分可以在启动操作中确定所述可用熔丝且更新所述初始熔丝信息。【附图说明】图1是说明根据本专利技术的一个实施例的半导体存储器件的框图；图2是描述用于操作图1中所示的半导体存储器件的方法的流程图；以及图3是说明图1中所示的选择输出块的电路图。【具体实施方式】 以下参照附图更详细描述本专利技术的示例性实施例。提供这些实施例，使得本公开将充分和完整，且向本领域的技术人员全面地表达本专利技术的范围。在本公开中引用的所有的“实施例”表示本文公开的专利技术构思的实施例。呈现的实施例仅是实例，且不旨在限制本专利技术构思。附图不一定按比例，且在一些情况下，为了清楚说明实施例的特征，比例可以被夸大。还应注意的是，在本说明书中“连接/耦接”不仅表示一个部件与另一个部件直接耦接，还表示一个部件经由中间部件与另一个部件间接耦接的意思。另外，只要在句中未被特意提及，单数形式可以包括复数形式。图1是说明根据本专利技术的一个实施例的半导体存储器件的框图。参见图1，半导体存储器件可以包括熔丝部分100、编程部分200和熔丝组锁存部分300。熔丝部分100可以包括第一熔丝组110、第二熔丝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：熔丝部分，包括：第一熔丝组，具有针对第一模式分配的多个第一熔丝；以及第二熔丝组，具有针对第二模式分配的多个第二熔丝；以及编程部分，适于在所述第二模式下响应于修复控制信号而编程包括在所述第一熔丝组中的所述第一熔丝之中的可用熔丝或编程包括在所述第二熔丝组中的所述第二熔丝。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴嘉蓝，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR