半导体存储器件及其操作方法技术

一种半导体存储器件，包括：熔丝部分，包括：第一熔丝组，具有针对第一模式分配的多个第一熔丝；以及第二熔丝组，具有针对第二模式分配的多个第二熔丝；以及编程部分，适于在所述第二模式下响应于修复控制信号而编程包括在所述第一熔丝组中的所述第一熔丝之中的可用熔丝或编程包括在所述第二熔丝组中的所述第二熔丝。

【技术实现步骤摘要】
【专利说明】相关申请的交叉引用本申请要求2014年8月5日提交的申请号为10-2014-0100378的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的示例性实施例涉及半导体设计技术，且更具体地涉及用于在修复操作期间编程缺陷地址信息的半导体存储器件和操作该种半导体存储器件的方法。
技术介绍
修复缺陷单元的方法被划分为在晶片阶段修复的方法和在封装阶段修复的方法。在封装阶段执行的修复方法被称作为封装后修复(Post-Package Repair, PPR)操作。半导体存储器件通常包括能够编程修复目标存储器单元的地址的熔丝电路。这里，编程操作表示用于在熔丝电路中储存修复目标存储器单元的地址的一系列操作。熔丝电路包括多个熔丝组，且熔丝组被划分成要在PPR模式期间使用的熔丝组以及要在测试模式(不是PPR模式，即，非PPR模式)期间使用的熔丝组。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例涉及一种半导体存储器件，该半导体存储器件通过在PPR模式下使用非PPR模式期间未使用的熔丝而可以在不增加熔丝的总数量的情况下增加针对封装后修复(PPR)模式的熔丝的数量。根据本专利技术的一个实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储器件，包括：熔丝部分，包括：第一熔丝组，具有针对第一模式分配的多个第一熔丝；以及第二熔丝组，具有针对第二模式分配的多个第二熔丝；以及编程部分，适于在所述第二模式下响应于修复控制信号而编程包括在所述第一熔丝组中的所述第一熔丝之中的可用熔丝或编程包括在所述第二熔丝组中的所述第二熔丝。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：朴嘉蓝，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR