【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例大致涉及半导体制作，更具体而言，涉及一种替换性金属栅极晶体管。
技术介绍
典型制作替换性金属栅极(replacement metal gate，RMG)晶体管的制造流程可包括移除暂时性栅极(temporary gate，有时称为虚拟栅极)，并留下其中沉积有各种材料层以形成RMG的沟槽。例如，介电层可沉积至沟槽内，接着为第一金属层、第二金属层以及导电层。将可理解的是，当每一层沉积至沟槽内时，材料可沉积至沟槽的底部和侧壁上。然而，对于RMG晶体管正常运作而言，并不需要使材料堆积在侧壁上。在某些情况下，堆积在侧壁上的材料实际上可能降低晶体管的性能。例如，在沟槽的侧壁上堆积的一些高K介电质可能增加RMG晶体管内的寄生电容，并引起与邻近接点的串扰(cross-talking)。当按照比例缩小装置结构和尺寸时，晶体管栅极宽度亦缩小。因此，前述所述RMG晶体管的沟槽宽度也随之缩小。随着每一层的材料沉积至沟槽内，堆积于沟槽的侧壁上的材料还会缩小用于随后的层沉积的沟槽开口。此外，每一层的材料需要一最小厚度以正常运作。因此，最小栅极宽度、层数以及每一层各别...
【技术保护点】
一种替换性金属栅极晶体管，包括：沟槽，具有底部、第一侧壁以及第二侧壁；以及层，设置于所述沟槽内，所述层具有设置于所述沟槽的所述底部上的底部区域，以及设置于所述第一侧壁及第二侧壁上的侧壁区域，其中所述层的所述侧壁区域比所述层的所述底部区域更薄至少50％。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：张郢，丝特芬·舍曼，
申请(专利权)人：瓦里安半导体设备公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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