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替换性金属栅极晶体管制造技术
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文档序号:12853635
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一种替换性金属栅极晶体管。各种范例提供一种包括沟槽、第一侧壁以及第二侧壁的替换性金属栅极晶体管。一层设置于沟槽内,其中所述层具有设置于沟槽底部上的底部区域,以及设置于第一及第二侧壁上的侧壁区域,其中所述层的侧壁区域比所述层的底部区域更薄至少...
该专利属于瓦里安半导体设备公司所有,仅供学习研究参考,未经过瓦里安半导体设备公司授权不得商用。
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