一种MEMS器件的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种MEMS器件的制备方法，包括提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有MEMS元件以及接合焊盘；对所述MEMS晶圆进行预清洗；对所述MEMS晶圆进行亲水性处理，以将所述接合焊盘的表面变为亲水性。本发明专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，所述方法中在选用DHF对所述MEMS晶圆进行预清洗之后，选用HDMS或者ECK对所述MEMS晶圆进行清洗，以将所述MEMS晶圆表面的接合焊盘由疏水性变为亲水性，以防止在后面的切割过程中硅灰尘落在所述接合焊盘上难以清除的问题，解决了现有技术中由于接合焊盘上由于硅灰尘存在导致封装失败的问题，提高了MEMS器件的性能以及产品的良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体领域，具体地，本专利技术涉及一种MEMS器件的制备方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，在各种传感器(motionsensor)类产品的市场上，智能手机、集成CMOS和微机电系统(MEMS)器件日益成为最主流、最先进的技术，并且随着技术的更新，这类传动传感器产品的发展方向是规模更小的尺寸，高质量的电学性能和更低的损耗。现有技术MEMS的制备过程以及封装过程如图1a-1c所示，首先提供MEMS晶圆101，在所述MEMS晶圆101上形成有各种传感器器件，在所述MEMS晶圆101上还形成有Al焊盘，用于在形成所述MEMS器件后进行封装。然后所述MEMS晶圆101和覆盖层晶圆102相接合以形成MEMS器件，在接合之前，通常选用DHF对所述MEMS晶圆101进行预清洗，以使所述MEMS晶圆101变为疏水性。在将所述MEMS晶圆101和覆盖层晶圆102接合之后对所述MEMS器件的晶圆进行划片(Dicing)，逐一切割成电路体系完整的芯片(Chip)或晶粒(Die)单位，在切割过程中上方覆盖层晶圆102在切割过程中形成的硅灰尘(Sidust)会落在下方的MEMS晶圆101上，而且硅灰尘(Sidust)很难被清除，特别是对于MEMS晶圆101中的Al焊盘，由于所述Al焊盘为疏水性(hydrophobicproperty)的，所以落在所述Al焊盘上的硅灰尘(Sidust)会对后续的封装过程造成影响，使封装过程不能失败，降低器件的良率。因此现有技术中制备MEMS器件的过程中会对MEMS晶圆上的焊盘造成影响，虽然可以通过调节能够减少硅灰尘(Sidust)的产生，但是效果并不明显，所以需要对目前的MEMS器件制备方法进行改进，以便能够消除上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术为了克服目前存在问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，包括：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有MEMS元件以及接合焊盘；对所述MEMS晶圆进行预清洗；对所述MEMS晶圆进行亲水性处理，以将所述接合焊盘的表面变为亲水性。作为优选，对所述MEMS晶圆进行亲水性处理之后，所述方法还进一步包括将所述MEMS晶圆进行干燥的步骤。作为优选，选用异丙醇对所述MEMS晶圆进行干燥。作为优选，选用DHF对所述MEMS晶圆进行预清洗。作为优选，所述亲水性处理为选用六甲基二硅氮烷或EKC对所述MEMS晶圆进行清洗。作为优选，所述方法还进一步包括以下步骤：提供覆盖层；将所述覆盖层和所述MEMS晶圆接合，以得到MEMS晶圆叠层。作为优选，所述方法还进一步包括对所述MEMS晶圆叠层进行切割的步骤。本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种MEMS器件的制备方法，所述方法中在选用DHF对所述MEMS晶圆进行预清洗之后，选用HDMS或者ECK对所述MEMS晶圆进行清洗，以将所述MEMS晶圆表面的接合焊盘由疏水性变为亲水性，以防止在后面的切割过程中硅灰尘落在所述接合焊盘上难以清除的问题，解决了现有技术中由于接合焊盘上由于硅灰尘存在导致封装失败的问题，提高了MEMS器件的性能以及产品的良率。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的装置及原理。在附图中，图1a-1c为现有技术中所述MEMS器件的制备过程示意图；图2a-2c为本专利技术一具体实施方式中所述MEMS器件的制备过程示意图；图3为本专利技术一具体实施方式中所述MEMS器件的制备工艺流程图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MEMS器件的制备方法，包括：提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有MEMS元件以及接合焊盘；对所述MEMS晶圆进行预清洗；对所述MEMS晶圆进行亲水性处理，以将所述接合焊盘的表面变为亲水性。

【技术特征摘要】
1.一种MEMS器件的制备方法，包括：
提供MEMS晶圆，在所述MEMS晶圆上形成有MEMS元件以及接合焊
盘；
对所述MEMS晶圆进行预清洗；
对所述MEMS晶圆进行亲水性处理，以将所述接合焊盘的表面变为亲水
性。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述MEMS晶圆进行
亲水性处理之后，所述方法还进一步包括将所述MEMS晶圆进行干燥的步骤。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，选用异丙醇对所述MEMS
晶圆进行干燥。
4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：马军德，郑超，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31