半导体元件及其操作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其操作方法。半导体元件包括P型衬底、P型第一阱区、N型第二阱区、栅极、N型源极、N型漏极、虚设栅极以及N型第一深阱区。第一阱区配置于衬底中。第二阱区配置于邻近第一阱区的衬底中。栅极配置于衬底上且覆盖部分第一阱区和部分第二阱区。源极配置于栅极的一侧的第一阱区中。漏极配置于栅极的另一侧的第二阱区中。虚设栅极配置于栅极和漏极之间的衬底上。第一深阱区配置于衬底中且环绕第一阱区和第二阱区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路技术，特别是涉及一种。
技术介绍
横向双扩散金属氧化物半导体(laterallydouble-diffused metal oxidesemiconductor, LDMOS)晶体管是半导体工艺中广为使用的一种电源元件。LDMOS晶体管可提供较高的击穿电压(Vbd),并且在操作时可具有低的接通电阻(on-resistance, Ron),因此，常用作为电源管理IC (power management IC)中的高压元件。随着电子产品高度模拟化和轻薄短小的趋势，对于电压的精准度、稳定度与元件续航力的要求也不断提高。然而，随着LDMOS晶体管的日益缩小，构件之间的距离越来越短，因此，栅极引发漏极漏电流(gate-1nduced drain leakage, GIDL)的现象经常发生，且来自衬底的噪声(noise from the substrate)问题也益发严重。高GIDL电流以及高衬底噪声容易造成LDMOS晶体管的操作失败，使元件的效能降低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体元件，其中配置在栅极与漏极之间的虚设栅极用以降低GIDL电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元件，其特征在于，包括：具有第一导电型的第一阱区，配置于具有所述第一导电型的衬底中；具有第二导电型的第二阱区，配置于邻近所述第一阱区的所述衬底中；栅极，配置于所述衬底上且覆盖部分所述第一阱区和部分所述第二阱区；具有所述第二导电型的源极，配置于所述栅极的一侧的所述第一阱区中；具有所述第二导电型的漏极，配置于所述栅极的另一侧的所述第二阱区中；虚设栅极，配置于所述栅极和所述漏极之间的所述衬底上；以及具有所述第二导电型的第一深阱区，配置于所述衬底中且环绕所述第一阱区和所述第二阱区。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明新，张名辉，吴伟庭，赖滢州，陈宏男，杨崇立，杨进盛，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71