场效应晶体管的具有基脚的栅极结构制造技术

本发明专利技术提供了一种场效应晶体管(FET)结构。在一些实施例中，场效应晶体管(FET)结构包括第一半导体结构和栅极结构。第一半导体结构包括沟道区以及源极区和漏极区。源极区和漏极区分别形成在沟道区的相对两端。栅极结构包括中心区和基脚区。中心区形成在第一半导体结构上方。在中心区的相对两侧并且沿着中心区邻近于第一半导体结构的位置形成基脚区。本发明专利技术还提供了一种形成晶体管的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体涉及半导体，更具体地，涉及场效应晶体管。
技术介绍
在过去的几十年中，晶体管按比例减小已提供了不断改善的晶体管性能和集成 度。例如，晶体管的栅极长度（也被称为平面晶体管的沟道长度）的按比例减小不仅减小 了晶体管的尺寸，还提高了其导通电流。然而，随着沟道长度的减小，显著增大晶体管的截 止电流的短沟道效应（SCE)成为按比例减小沟道长度的发展中的瓶颈。 诸如对沟道区施加机械应力的其他技术被认为进一步促进了性能增强的发展。例 如，沟道区与嵌入的源极和漏极区之间的晶格失配导致了施加至沟道区单轴应力，从而提 高了沟道区的载流子迁移率。近年来，诸如FinFET的非平面晶体管被证明有希望通过限制 晶体管的主体厚度来降低截止电流，从而打破了阻碍按比例减小的发展蓝图的瓶颈。使用 超薄体绝缘体上半导体（UTBSOI)衬底形成的平面晶体管被证明是可行的选择。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种场效应晶体管（FET)结构，包括：第一半导体 结构和栅极结构。第一半导体结构，包括：沟道区，和源极区和漏极区，分别形成在沟道区的 相对两端上；以及栅极结构，包括：中心区，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管(FET)结构，包括：第一半导体结构，包括：沟道区，和源极区和漏极区，分别形成在所述沟道区的相对两端上；以及栅极结构，包括：中心区，形成在所述第一半导体结构的上方，和基脚区，在所述中心区的相对两侧上并且沿着所述中心区邻近于所述第一半导体结构的位置形成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：张哲诚，陈建颖，林志忠，林志翰，张永融，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71