缩小尺寸的共振隧穿场效应晶体管制造技术

实施例包括异质结隧穿场效应晶体管，所述异质结隧穿场效应晶体管包括源极、沟道和漏极；其中，(a)所述沟道包括与沟道长度相对应的长轴，以及与沟道宽度相对应并且与所述长轴正交的短轴；(b)所述沟道长度小于10nm长；(c)对所述源极进行掺杂使其具有第一极性，并且所述源极具有第一导带；(d)对所述漏极进行掺杂使其具有与所述第一极性相反的第二极性，并且所述漏极具有第二导带，所述第二导带比所述第一导带具有更高能量。本文描述了其它实施例。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利说明】
技术介绍
隧穿场效应晶体管(TFET)结构与金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的结构类似，并且包括源极、漏极和耦合至栅极的沟道。TFET以不同形式获得，诸如η型(nTFET)器件和P型(pTFET)器件。对于nTFET，漏极电流(Id)随着增加的栅极电压(Vg)而增加，而对于pTFET，漏极电流(Id)随着减小的\而增加。对于大于阈值电压的栅极/源极电压(Vg)，nTFET开启(“导通状态”)，而对于小于阈值电压的Vg，pTFET开启。nTFET中的源极为P掺杂的，而漏极为η掺杂的，并且pTFET中的源极为η掺杂的，而漏极为ρ掺杂的。就掺杂浓度而言，沟道为未掺杂的或者比源极或漏极掺杂少的。【附图说明】根据所附权利要求、以下对一个或多个示例性实施例的详细描述以及相对应的附图，本专利技术的实施例的特征和优点将变得显而易见，在附图中:图1-2涉及MOSFET、TFET和异质结TFET (heTEFT)的截止/导通状态特性；图3涉及传统的heTFET结构；图4涉及实施例中的反向heTFET结构；图5-6涉及实施例中的MOSFET、heTFET及反向heTFET的截止/导本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：异质结隧穿场效应晶体管，所述异质结隧穿场效应晶体管包括源极、沟道和漏极；其中，(a)所述沟道包括与沟道长度相对应的长轴，以及与沟道宽度相对应并且与所述长轴正交的短轴；(b)所述沟道长度小于10nm长；(c)对所述源极进行掺杂使其具有第一极性，并且所述源极具有第一导带；(d)对所述漏极进行掺杂使其具有与所述第一极性相反的第二极性，并且所述漏极具有第二导带，所述第二导带比所述第一导带具有更高能量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：U·E·阿维奇，D·E·尼科诺夫，I·A·扬，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国;US