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实施例包括异质结隧穿场效应晶体管，所述异质结隧穿场效应晶体管包括源极、沟道和漏极；其中，(a)所述沟道包括与沟道长度相对应的长轴，以及与沟道宽度相对应并且与所述长轴正交的短轴；(b)所述沟道长度小于10nm长；(c)对所述源极进行掺杂使其具...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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