【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及传感器，特别涉及声传感器，具体为一种基于超晶格薄膜压阻效应的高灵敏度的共振隧穿微声传感器。
技术介绍
目前，压阻式声传感器是较为常用的声信号测量器件，它是基于硅的压阻效应原理。所谓压阻效应，即固体在应力场作用下，引起电阻率的变化，从而引起电阻阻值变化的现象。市场上已有的硅压阻式声传感器的压敏电阻都是掺杂多晶硅，其灵敏度较低，温度稳定性较差，无法满足现代测试技术的高精度要求。现有体积较小的微声传感器主要是电容式驻极体传感器；目前最小的声传感器是约在1mm3左右的各种MEMS(微机电系统)器件，但他们的灵敏度不高，频带范围小，且环境适应性差。具有共振隧穿效应的纳米超晶格量子阱薄膜是利用分子束外延生长技术(MBE)进行薄膜生长而制备的一种具有量子效应的纳米材料，其具有优良的电学特性，其中电子的共振隧穿与微带输运特性显示了良好的电子工程应用价值，在国内外得到广泛的应用，如共振隧穿二极管(RTD)。分子束外延是在超高真空(10-10Torr)中用一种或多种热分子或原子束射到加热衬底上生长超晶格薄膜的一种技术。生长之前先制备好(GaAs)衬底，再用分子束外延...
【技术保护点】
一种共振隧穿微声传感器，其特征为：它是用如下方法制得的：用分子束外延技术在半导体衬底（１）上生长出所需的超晶格薄膜（２），利用微机电器件加工技术进行如下加工：（１）利用刻蚀工艺去掉衬底（１）上的除呈“十”字分布的四块薄膜外的所有薄膜 ；（２）再采用刻蚀工艺，将留下的每块薄膜除一条形面积外的其余部分腐蚀到集电极的电极接触层（３），使每块薄膜上形成一个凸条；（３）用沉积法在薄膜表面沉积欧姆接触层，再用剥离法在集电极的电极接触层和凸条表面制作出集电极（４）和发 射极（７）；（４）用ＰＥＣＶＤ法在薄膜表面沉积二氧化硅层绝缘（５）；（５）用...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张文栋，刘俊，熊继军，薛晨阳，张斌珍，谢斌，桑胜波，王建，陈建军，
申请(专利权)人：中北大学，
类型：发明
国别省市：14[中国|山西]
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