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本发明涉及传感器，特别涉及声传感器，具体为一种共振隧穿微声传感器。本发明解决现有硅压阻式声传感器的压敏电阻都是掺杂多晶硅，其灵敏度较低，温度稳定性较差，无法满足现代测试技术的高精度要求的问题，利用了超晶格量子阱薄膜具有压阻效应的特性。本发明...
该专利属于中北大学所有，仅供学习研究参考，未经过中北大学授权不得商用。

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