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半导体元件及其操作方法技术
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文档序号:11937107
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本发明公开一种半导体元件及其操作方法。半导体元件包括P型衬底、P型第一阱区、N型第二阱区、栅极、N型源极、N型漏极、虚设栅极以及N型第一深阱区。第一阱区配置于衬底中。第二阱区配置于邻近第一阱区的衬底中。栅极配置于衬底上且覆盖部分第一阱区和部...
该专利属于联华电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。
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