具有改进的沟道迁移率的三维晶体管制造技术

本发明专利技术涉及具有改进的沟道迁移率的三维晶体管，提供一种包括至少第一及第二三维晶体管的半导体结构，其中，该第一晶体管与该第二晶体管彼此并联电性连接，以及其中，各晶体管包括源极和漏极，其中，该第一晶体管的源极和/或漏极分别与该第二晶体管的源极和/或漏极至少部分隔开。本发明专利技术还涉及一种用以形成这样的半导体结构的制程。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体结构，包括：至少第一及第二三维晶体管，该第一晶体管与该第二晶体管彼此并联电性连接且共用一个共同的栅极；以及各晶体管包括源极和漏极，该第一晶体管的该源极和/或漏极分别与该第二晶体管的该源极和/或漏极至少部分隔开。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：S·弗莱克豪斯基，J·亨治尔，R·里克特，P·扎沃卡，
申请(专利权)人：格罗方德半导体公司，
类型：发明
国别省市：开曼群岛;KY