一种晶片固定盘制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶片固定盘，上表面依次标有固定晶片的位置标号及标识该盘的盘号；且该固定盘上表面还具有沟槽结构。在研磨制程中，当研磨结束后下蜡取片时，沟槽结构在石蜡溶化后可以破除盘与晶片间的真空态，使晶片两面受压均匀，减小破片概率；同时因为盘与晶片间真空态的破除，则不需要施加较大人力时就可以快速有效的进行下蜡取片的操作。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种晶片固定盘，上表面依次标有固定晶片的位置标号及标识该盘的盘号；且该固定盘上表面还具有沟槽结构。在研磨制程中，当研磨结束后下蜡取片时，沟槽结构在石蜡溶化后可以破除盘与晶片间的真空态，使晶片两面受压均匀，减小破片概率；同时因为盘与晶片间真空态的破除，则不需要施加较大人力时就可以快速有效的进行下蜡取片的操作。【专利说明】—种晶片固定盘
本技术属于LED芯片制备领域，涉及一种晶片固定盘，其可应用于晶片研磨制程。
技术介绍
在晶片的制备过程中需要对晶片的非外延层面进行研磨减薄及抛光，一方面减薄晶片以利于后续晶片的切割，另一方面晶片经研磨减薄后，可减小非外延层材料的吸光性，增加最终晶粒的发光特性。通常该步骤是先在表面光滑的晶片固定盘(见附图1)(常选用陶瓷盘)上滴放液态石蜡，后将晶片置放于石蜡上，再施加一定压力，使晶片与固定盘较紧密接触，石蜡经冷却凝固后，晶片被固定在固定盘上，然后对非接触面进行研磨抛光减薄到所需厚度；在研磨结束后再进行下蜡取片的步骤。 目前下蜡取片步骤主要是对固定盘加热使盘与晶片之间的石蜡融化，然后使用蜡铲沿晶片边缘铲起晶片，达到使晶片脱离固定盘的目的。而由于晶片与固定盘之间经由石蜡固定，加热之后石蜡融化造成晶片与盘之间产生真空状态使得晶片与盘接触较紧密，在用蜡铲取片时因受压不均而易造成碎片的现象，且因盘与晶片接触紧密需施加较大人力，则可能造成人力控制不当加大碎片的风险。
技术实现思路
针对上述问题，本技术提出了一种晶片固定盘，其用于研磨制成时可有效改善下蜡取片时的碎片现象。 本技术解决上述问题的技术方案为:一种晶片固定盘，具有一上表面，所述上表面上设置有固片区，用以放置晶片；在所述固片区上设置沟槽结构，防止石蜡融化后所述固定盘与晶片间形成真空状态。 优选的，所述沟槽结构以所述固定盘中心为端点沿远离中心方向呈放射状延伸至所述固定盘边缘。 优先的，所述沟槽远离端点处的间距小于或等于所述固定盘盛放晶片的直径。 优选的，所述沟槽数目等于或大于所述固定盘能容纳晶片的数目。 优选的，所述沟槽以盘中心为圆心与盘呈同心圆关系的环状结构。 优选的，所述沟槽数目等于或大于1，而当沟槽数大于I时，沟槽间距小于或等于所述固定盘盛放的晶片直径；当沟槽数等于I时，所述沟槽与盘中心位置的距离小于晶片直径。 优选的，所述沟槽结构宽度小于等于5毫米。本技术至少具有以下有益效果:在研磨制程中，当研磨结束后下蜡取片时，沟槽结构在石蜡融化后可以破除盘与晶片间的真空态，使晶片两面受压力均匀，减小破片概率；同时因为盘与晶片间真空态的破除，则不需要施加较大人力时就可以快速有效的进行下蜡取片的操作。 【专利附图】【附图说明】 附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本技术的限制。此外，附图数据是描述概要，不是按比例绘制。 图1为现有用于研磨制程的晶片固定盘侧俯视图。 图2和图3为实施例1之晶片固定盘侧俯视图。 图4和图5为实施例2之晶片固定盘侧俯视图。 图中:10:固定盘；20:爬上表面；21:盘号；22:晶片位直标号；23:沟槽；24:固片区；30:石腊；40:晶片。 【具体实施方式】 下面各优选实施例公开了一种用于研磨制程的晶片固定盘，其盘表面开有沟槽结构，可以在下蜡取片过程中消除真空态的影响，减小破片概率。 下面结合附图和优选实施例对本技术的【具体实施方式】进行详细说明。 实施例1 请参看附图2和3，一种晶片固定盘10，具有一上表面20，其上设置有固片区24，用以盛放晶片40，在固片区上设置沟槽结构23，防止后续石蜡30融化后固定盘10与晶片40间形成真空状态；此外固定盘上表面20还依次标有固定晶片40的位置标号22及标识该盘的盘号21。 具体的，沟槽结构23以盘号21中心区域为端点沿远离该区域方向呈放射状延伸至该固定盘10边缘，且沟槽23远离端点处的间距小于或等于该盘盛放晶片40的直径，其数目等于或大于固定盘能容纳晶片的数目；当晶片40经由石蜡30固定于盘10上表面20时可使得至少一条沟槽23置于固片区24所盛放晶片40的底部；此外该沟槽宽度小于等于5毫米；经试验验证，当沟槽宽度大于此范围时，在研磨制程中，其沟槽23的开口边缘处易对所接触晶片的表面产生刮伤，本实施例中优选宽度范围为l_3mm ;而当沟槽深度过大时，则会过多消耗石蜡增加生产成本，因此本实施例优选使用小于或等于5mm。当研磨操作结束后，将固定盘10置于加热盘上直接进行加热，使石蜡30受热融化，而因沟槽23的存在，可使融化的石蜡30进入沟槽23，使晶片40与固定盘10之间产生空隙，空气进入后破除了晶片40与盘20之间的真空态，在后续下蜡取片操作中即施加较小的人力就可实现正常取片，从而减小了碎片的风险。 实施例2 请参看附图3，本实施例与实施例1的区别在于:本实施例中沟槽23是以盘10中心为圆心与盘10呈同心圆关系的环状结构，且所述沟槽数目等于或大于I ;而当沟槽数大于I时，沟槽23间距小于或等于固定盘盛放的晶片直径；当沟槽数等于I时，其与晶片边缘距离小于或等于晶片直径，以使得晶片置放于固定盘时，可保证至少一条沟槽置于固片区 24所盛放的晶片40底部。 应当理解的是，上述具体实施方案为本技术的优选实施例，本技术的范围不限于该实施例，凡依本技术所做的任何变更，皆属本技术的保护范围之内。【权利要求】1.一种晶片固定盘，具有一上表面，所述上表面上设置有固片区，用以放置晶片；在所述固片区上设置沟槽结构，防止下蜡取片时石蜡融化后所述固定盘与晶片间形成真空状态。2.根据权利要求1所述的一种晶片固定盘，其特征在于:所述沟槽结构以所述盘中心区域为端点沿远离中心方向呈放射状延伸至所述固定盘边缘。3.根据权利要求2所述的一种晶片固定盘，其特征在于:所述沟槽远离端点处的间距小于或等于所述固定盘所放置晶片的直径。4.根据权利要求2所述的一种晶片固定盘，其特征在于:所述沟槽数目等于或大于所述固定盘能容纳晶片的数目。5.根据权利要求1所述的一种晶片固定盘，其特征在于:所述沟槽为以盘中心为圆心与盘呈同心圆关系的环状结构。6.根据权利要求5所述的一种晶片固定盘，其特征在于:所述沟槽数目等于或大于I。7.根据权利要求5所述的一种晶片固定盘，其特征在于:所述沟槽与盘边缘距离小于或等于晶片直径。8.根据权利要求5所述的一种晶片固定盘，其特征在于:所述沟槽间距小于或等于所述固定盘盛放的晶片直径。9.根据权利要求1所述的一种晶片固定盘，其特征在于:所述沟槽结构宽度小于等于5毫米。【文档编号】H01L21/683GK204102875SQ201420571511【公开日】2015年1月14日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日 【专利技术者】张家豪, 徐靖家, 杨家君, 曾辉 申请人:安徽三安光电有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片固定盘，具有一上表面，所述上表面上设置有固片区，用以放置晶片；在所述固片区上设置沟槽结构，防止下蜡取片时石蜡融化后所述固定盘与晶片间形成真空状态。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张家豪，徐靖家，杨家君，曾辉，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34