托盘组件和刻蚀设备制造技术

本实用新型专利技术提供一种托盘组件和刻蚀设备，涉及半导体设备制造技术领域。所述托盘组件包括托盘和设置在所述托盘上的盖板，所述盖板朝向所述托盘的表面上设置有加强肋，所述托盘上对应于所述加强肋的位置设置有与所述加强肋相配合的第一凹槽。本实用新型专利技术通过在盖板上增加加强肋，增强了盖板的抗变形能力，提高了盖板的使用寿命。另一方面，本实用新型专利技术在加强肋和托盘的相应位置设置了进一步定位的结构，提高了装片效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种托盘组件和刻蚀设备，涉及半导体设备制造
。所述托盘组件包括托盘和设置在所述托盘上的盖板，所述盖板朝向所述托盘的表面上设置有加强肋，所述托盘上对应于所述加强肋的位置设置有与所述加强肋相配合的第一凹槽。本技术通过在盖板上增加加强肋，增强了盖板的抗变形能力，提高了盖板的使用寿命。另一方面，本技术在加强肋和托盘的相应位置设置了进一步定位的结构，提高了装片效率。【专利说明】托盘组件和刻蚀设备
本技术涉及半导体设备制造
，尤其涉及一种托盘组件、以及包括该托盘组件的刻蚀设备。
技术介绍
图形化蓝宝石衬底(PSS,patterned sapphire substrate)作为氮化镓(GaN)基发光二极管照明外延衬底材料，由于其能降低氮化镓外延薄膜的线位错密度，并显著提高发光二极管的光萃取效率而得到广泛研究与应用。一方面，图形化蓝宝石衬底图案通过反射改变光的轨迹，使光在界面出射的入射角变小(小于全反射临界角)，从而发生透射，提高光的提取率；另一方面，图形化蓝宝石衬底图案还可以使后续的氮化镓生长出现侧向磊晶的效果，减少晶体缺陷，提高发光二极管内量子效率。 图形化蓝宝石衬底的制作过程主要包括在平面蓝宝石衬底上的光刻和刻蚀等工艺过程。在刻蚀工艺中，为了提高生产效率，一般是将多片蓝宝石衬底基片(目前多采用的是2英寸基片和4英寸基片)固定在一套托盘、盖板中同时刻蚀，即先将托盘通过机械手传入腔室中，然后将托盘放在等离子体刻蚀设备的基座上，反应气体在电感耦合的方式下起辉放电，产生活性自由基、亚稳态粒子、原子等，这些活性粒子被加速后与蓝宝石衬底表面发生物理及化学反应，刻蚀出所需要的图形。 在上述刻蚀工艺中，对蓝宝石衬底基片起固定作用的托盘和盖板，无论从材质还是结构方面都对刻蚀过程有一定的影响。 图1是现有技术中使用的一种盖板的结构示意图。盖板I为具有多个通孔11的平面结构，盖板I使用金属材质，由于存在较多大直径的通孔11使得边缘12较窄，加之盖板I的厚度较薄，导致盖板I在反复拆装以及高温下使用后容易发生翘曲变形。压爪13用于将放置在托盘上的基片压紧，而盖板I的翘曲变形将导致压爪13对基片的压力不均匀，使得位于基片下方用于降低所述基片温度的氦气泄漏增多，工艺无法进行，降低了盖板的使用寿命。 图2是现有技术中使用的另一种托盘和盖板的示意图，盖板I和托盘2之间通过螺钉3固定。图2中的盖板I采用石英材质，虽然石英材质翘曲变形量小，但其塑性较差，导致无法用较大的力紧固托盘2和盖板1，同样使得氦气泄漏较多，影响工艺效果。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种托盘组件和刻蚀设备，以增加所述托盘组件中盖板的使用寿命，提闻装片效率。 为解决上述技术问题，作为本技术的第一个方面，提供一种托盘组件，所述托盘组件包括托盘和设置在所述托盘上的盖板，所述盖板朝向所述托盘的表面上设置有加强肋，所述托盘上对应于所述加强肋的位置设置有与所述加强肋相配合的第一凹槽。 优选地，所述加强肋设置在所述盖板的边缘位置。 优选地，所述加强肋环绕所述盖板的边缘设置。 优选地，所述加强肋的截面为矩形。 优选地，所述加强肋上设置有至少一个开口朝向所述托盘的第二凹槽，所述第一凹槽上设置有与所述第二凹槽相配合的凸起。 优选地，所述加强肋环绕所述盖板的边缘设置，所述加强肋上设置有三个所述第二凹槽。 优选地，三个所述第二凹槽均匀分布在所述加强肋上。 优选地，所述盖板与所述加强肋制作为一体化结构。 优选地，所述盖板及所述加强肋的材质为铝合金。 作为本技术的第二个方面，还提供一种刻蚀设备，包括本技术所提供的上述托盘组件。 本技术通过在盖板上增加加强肋，增强了盖板的抗变形能力，提高了盖板的使用寿命。另一方面，本技术在加强肋和托盘的相应位置设置了进一步定位的结构，提高了装片效率。 【专利附图】【附图说明】 附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。 图1是现有技术中使用的一种盖板的结构示意图； 图2是现有技术中使用的另一种托盘与盖板的示意图； 图3是本技术实施例中托盘与盖板的局部截面图； 图4是本技术实施例中盖板的示意图； 图5是图4的侧视示意图； 图6是本技术实施例中托盘的示意图； 图7是图6的侧视示意图。 在附图中，1:盖板；11:通孔；12:边缘；13:压爪；2:托盘；3:螺钉；101:加强肋；201:第一凹槽；300:第二凹槽；400:凸起。 【具体实施方式】 以下结合附图对本技术的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。 本技术首先提供一种托盘组件，该托盘组件包括托盘和设置在所述托盘上的盖板。图3是本技术实施例中托盘与盖板的局部截面图，盖板I朝向托盘2的表面上设置有加强肋101，托盘2上对应于加强肋101的位置设置有与加强肋101相配合的第一凹槽 201。 在对基片进行刻蚀的过程中，托盘2用于放置基片，放置好所述基片后，将盖板I盖在托盘2上,使加强肋101伸入第一凹槽201中，从而使盖板I和托盘2组装在一起。通常盖板I上相应于放置基片的位置具有通孔，以使所述基片露出，方便刻蚀过程进行。 在本技术中，“加强肋”是指沿盖板I的圆周方向具有一定长度，沿盖板I的径向具有一定的截面积，且能够起到对盖板进行增强作用的结构。加强肋101的长度应至少大于其高度，所述高度指加强肋101从盖板I上凸出的距离。 目前行业内使用的盖板普遍比较薄，本技术通过在盖板I上设置加强肋101，增加了盖板I的结构强度，提高了盖板I在反复拆装和高温条件下的抗变形能力，延长了盖板I的使用寿命。 优选地，加强肋101设置在盖板I的边缘位置。由于盖板的边缘位置更容易在多次拆装的过程中发生变形，因此，加强肋101设置在盖板I的边缘位置能够更大程度的增强盖板I的抗变形能力。 这里的“边缘”不是指狭义的一条边，而是指靠近盖板I最外侧的一个区域。 例如在图4中，加强肋101环绕盖板I的边缘设置，此时加强肋101为一种环形加强肋。通常，待刻蚀基片与托盘2之间具有能够流通冷却气体的空间，所述冷却气体通常是氦气，盖板I和托盘2如果在边缘处密封性不良，容易导致氦气泄漏过多，使工艺无法进行。 本技术实施例中所提供的上述环形加强肋不仅能够提高盖板的抗变形能力，还能够提高所述托盘组件在边缘处的密封性，有效防止冷却气体过多泄漏，有利于刻蚀过程的顺利进行。 为了进一步提高盖板I和托盘2之间的密封性能，还可以在托盘2朝向盖板I的表面上设置密封槽，并在密封槽内设置密封圈。 加强肋101的截面可以是矩形，相应地，第一凹槽201的截面也是矩形。两者的截面设计为矩形能够降低工艺难度，便于加工，节约成本。显然，加强肋101的截面也可以设计成其它的形状，例如“U”型，在此不再赘述。 加强肋的具体截面积可以根据刻蚀反应腔的大小、以及盖板I和托盘2的具体尺本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种托盘组件，包括托盘和设置在所述托盘上的盖板，其特征在于，所述盖板朝向所述托盘的表面上设置有加强肋，所述托盘上对应于所述加强肋的位置设置有与所述加强肋相配合的第一凹槽。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱印伍，刘海鹰，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京;11