【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，尤其涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管在日常生活中被广泛的应用，与传统光源相比，led 具有体积小、能耗低、寿命长等优点，是现代照明发展的一个重要趋势，已广泛应用于指示灯，背光源，显示屏等领域。
2、为了提高发光二极管(led)的发光效率，目前有技术采用隧穿层(tunneljunction)将二或多个发光二极管叠加起来。叠加发光二极管比单一发光二极管能出射更多的光线，具有更大的发光亮度。然而，传统的叠加发光二极管中各个发光二极管的结构均保持相同，但由于电子与空穴的移动速率是不同的，以致于叠加发光二极管的辐射复合效率较低，影响整体的发光效率。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术提供了一种发光二极管及发光装置，以提升载流子（电子、空穴）的辐射复合效率，进而提高发光二极管的发光效率。
2、根据本专利技术的第一方面，本专利技术提供如下一种发光二极管，至少包括：
3、第一外延层，包括第一n型层、第一p型层和位于第一n型层和第一p型层之间的第一有源层；第一隧穿层，位于所述第一外延层上；第二外延层，位于所述第一隧穿层上，包括第二n型层、第二p型层和位于第二n型层和第二p型层之间的第二有源层，其中，所述第二有源层的厚度小于所述第一有源层的厚度。
4、在一些实施例中，所述第一有源层的厚度为100nm~300nm，第二有源层的厚度为75nm~225nm。
5、在一些实施例中，所
6、在一些实施例中，所述第一有源层包括交替层叠的第一阱层和第一垒层，第二有源层包括交替层叠的第二阱层和第二垒层。
7、在一些实施例中，所述第一阱层的厚度为2.5nm~4nm，第一垒层的厚度为6.5nm~12nm，第二阱层的厚度为2.5nm~4nm，第二垒层的厚度为6.5nm~12nm。
8、在一些实施例中，所述第一有源层中的每个第一阱层的厚度相同，每个第一垒层的厚度相同或者不同。
9、在一些实施例中，所述第二有源层中的每个第二阱层的厚度相同，每个第二垒层的厚度相同或者不同。
10、在一些实施例中，所述第一阱层的厚度与第二阱层的厚度相同，第一垒层的厚度与第二垒层的厚度相同或者不同。
11、在一些实施例中，至少部分所述第二垒层的厚度小于第一垒层的厚度。
12、在一些实施例中，所述第一阱层和第二阱层的材料相同，第一垒层和第二垒层的材料相同或者不同。
13、在一些实施例中，所述第一有源层和第二有源层的周期数均为5~18。
14、在一些实施例中，所述第一有源层的周期数大于第二有源层的周期数。
15、在一些实施例中，所述第二n型层的厚度小于第一n型层的厚度。
16、在一些实施例中，所述第一n型层的厚度为1000nm~4000nm，第二n型层的厚度不大于1000nm。
17、在一些实施例中，所述发光二极管还包括n型电极和p型电极，所述n型电极与第一n型层形成电连接，p型电极与第二p型层形成电连接。
18、根据本专利技术的第二方面，本专利技术提供如下另一种发光二极管，至少包括：
19、第一外延层，包括第一n型层、第一p型层和位于第一n型层和第一p型层之间的第一有源层；第一隧穿层，位于所述第一外延层上；第二外延层，位于所述第一隧穿层上，包括第二n型层、第二p型层和位于第二n型层和第二p型层之间的第二有源层，其中，所述第二有源层的厚度小于所述第一有源层的厚度；第二隧穿层，位于所述第二外延层上；第三外延层，位于所述第二隧穿层上，包括第三n型层、第三p型层和位于第三n型层和第三p型层之间的第三有源层，其中，所述第三有源层的厚度小于第一有源层的厚度，且不大于第二有源层的厚度。
20、根据本专利技术的第三方面，本专利技术提供如下一种发光装置，其包括上述发光二极管。
21、本专利技术通过调整各外延层中有源层的厚度，能增加空穴的注入，使有源层中空穴和电子分布更均匀，提升有效的辐射复合效率，进而提高发光二极管的发光效率。
22、本专利技术所述的发光装置包含上述发光二极管，均具备上述技术效果。
23、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
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1.发光二极管，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层的厚度为100nm~300nm，第二有源层的厚度为75nm~225nm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层与第二有源层的厚度比为5:4~2:1。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层包括交替层叠的第一阱层和第一垒层，第二有源层包括交替层叠的第二阱层和第二垒层。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阱层的厚度为2.5nm~4nm，第一垒层的厚度为6.5nm~12nm，第二阱层的厚度为2.5nm~4nm，第二垒层的厚度为6.5nm~12nm。
6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层中的每个第一阱层的厚度相同，每个第一垒层的厚度相同或者不同。
7.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第二有源层中的每个第二阱层的厚度相同，每个第二垒层的厚度相同或者不同。
8.根据权利要求4所述的发光二极管，其特
9.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，至少部分所述第二垒层的厚度小于第一垒层的厚度。
10.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阱层和第二阱层的材料相同，第一垒层和第二垒层的材料相同或者不同。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层和第二有源层的周期数均为5~18。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层的周期数大于第二有源层的周期数。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二n型层的厚度小于第一n型层的厚度。
14.根据权利要求1或13所述的发光二极管，其特征在于，所述第一n型层的厚度为1000nm~4000nm，第二n型层的厚度不大于1000nm。
15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括n型电极和p型电极，所述n型电极与第一n型层形成电连接，p型电极与第二p型层形成电连接。
16.发光二极管，其特征在于，至少包括：
17.发光装置，其特征在于，包括权利要求1~16中任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.发光二极管，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层的厚度为100nm~300nm，第二有源层的厚度为75nm~225nm。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层与第二有源层的厚度比为5:4~2:1。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层包括交替层叠的第一阱层和第一垒层，第二有源层包括交替层叠的第二阱层和第二垒层。
5.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阱层的厚度为2.5nm~4nm，第一垒层的厚度为6.5nm~12nm，第二阱层的厚度为2.5nm~4nm，第二垒层的厚度为6.5nm~12nm。
6.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层中的每个第一阱层的厚度相同，每个第一垒层的厚度相同或者不同。
7.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第二有源层中的每个第二阱层的厚度相同，每个第二垒层的厚度相同或者不同。
8.根据权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阱层的厚度与第二阱层的厚度相同，第一垒层的厚度与第二垒...
【专利技术属性】
技术研发人员：李家安，黄文宾，朱振强，王瑜，李政鸿，林兓兓，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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