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本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及发光装置，发光二极管至少包括：第一外延层，包括第一n型层、第一p型层和位于第一n型层和第一p型层之间的第一有源层；第一隧穿层，位于所述第一外延层上；第二外延层，位于所述第一隧穿层上，包括第二n型...
该专利属于安徽三安光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽三安光电有限公司授权不得商用。

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