【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，尤其涉及一种发光二极管及发光装置。
技术介绍
1、发光二极管在日常生活中被广泛的应用，与传统光源相比，led 具有体积小、能耗低、寿命长等优点，是现代照明发展的一个重要趋势，已广泛应用于指示灯，背光源，显示屏等领域。
2、为了提高发光二极管(led)的发光效率，目前有技术采用隧穿层(tunneljunction)将二个或多个发光二极管（外延层）叠加起来。叠加发光二极管比单一发光二极管能出射更多的光线，具有更高的发光亮度。然而，在现有叠加发光二极管中，位于上方的发光二极管的亮度要远小于位于下方的发光二极管的亮度，以致于影响整体的发光效率。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术提供了一种发光二极管及发光装置，以提高位于上方的发光二极管的发光亮度，进而提高整体的发光效率。
2、根据本专利技术的第一方面，本专利技术提供如下一种发光二极管，至少包括：第一外延层，包括依次层叠的第一n型层、第一有源层和第一p型层；第一隧穿层，位于所述第一外延层上；第二外延层，位于所述第一隧穿层上，包括依次层叠的第二n型层、第二有源层和第二p型层，其中，所述第二有源层中的n型掺杂浓度大于第一有源层中的n型掺杂浓度。
3、在一些实施例中，所述第二有源层中的n型掺杂浓度小于等于第一有源层中的n型掺杂浓度的2倍。
4、在一些实施例中，所述第二有源层中的n型掺杂浓度为第一有源层中的n型掺杂浓度的1.2倍~2倍。
5、在一
6、在一些实施例中，所述第一有源层、第二有源层内形成有v形坑。
7、在一些实施例中，所述第一有源层包括交替层叠的第一阱层和第一垒层，第二有源层包括交替层叠的第二阱层和第二垒层。
8、在一些实施例中，所述第一阱层和第二阱层为非故意掺杂层，第一垒层和第二垒层为n型掺杂层。
9、在一些实施例中，所述第二垒层中的n型掺杂浓度大于第一垒层中的n型掺杂浓度。
10、在一些实施例中，所述第一n型层与第一有源层之间设置有第一应力释放层，第二n型层与第二有源层之间设置有第二应力释放层。
11、在一些实施例中，所述第一应力释放层、第二应力释放层中的n型掺杂浓度不低于6e17 atoms/cm3。
12、在一些实施例中，所述第二应力释放层的厚度不小于第一应力释放层的厚度。
13、在一些实施例中，所述第一应力释放层的厚度为200nm~500nm，第二应力释放层的厚度为200nm~800nm。
14、在一些实施例中，所述第二有源层中的p型掺杂浓度不低于5e17atoms/cm3。
15、在一些实施例中，所述发光二极管还包括n型电极和p型电极，所述n型电极与第一n型层形成电连接，p型电极与第二p型层形成电连接。
16、根据本专利技术的第二方面，本专利技术提供如下另一种发光二极管，至少包括：第一外延层，包括依次层叠的第一n型层、第一有源层和第一p型层；第一隧穿层，位于所述第一外延层上；第二外延层，位于所述第一隧穿层上，包括依次层叠的第二n型层、第二有源层和第二p型层，其中，所述第二有源层中的n型掺杂浓度大于第一有源层中的n型掺杂浓度；第二隧穿层，位于所述第二外延层上；第三外延层，位于所述第二隧穿层上，包括依次层叠的第三n型层、第三有源层和第三p型层，其中，所述第三有源层中的n型掺杂浓度大于第一有源层中的n型掺杂浓度，且不小于第二有源层中的n型掺杂浓度。
17、根据本专利技术的第三方面，本专利技术提供如下一种发光装置，其包括上述发光二极管。
18、本专利技术通过增加位于上方外延层中有源层的n型掺杂浓度，以增加其内缺陷的产生，有利于v形坑的形成，从而增加空穴注入，提升电子与空穴的复合效率，进而提升发光二极管的发光效率。
19、本专利技术所述的发光装置包含上述发光二极管，均具备上述技术效果。
20、本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.发光二极管，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二有源层中的n型掺杂浓度小于等于第一有源层中的n型掺杂浓度的2倍。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二有源层中的n型掺杂浓度为第一有源层中的n型掺杂浓度的1.2倍~2倍。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层中的n型掺杂浓度为6E17~1E18atoms/cm3，所述第二有源层中的n型掺杂浓度为8E17~2E18atoms/cm3。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层、第二有源层内形成有v形坑。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层包括交替层叠的第一阱层和第一垒层，第二有源层包括交替层叠的第二阱层和第二垒层。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阱层和第二阱层为非故意掺杂层，第一垒层和第二垒层为n型掺杂层。
8.根据权利要求6或7所述的发光二极管，其特征在于，所述第二垒层中的n型掺杂浓
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一n型层与第一有源层之间设置有第一应力释放层，第二n型层与第二有源层之间设置有第二应力释放层。
10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述第一应力释放层、第二应力释放层中的n型掺杂浓度不低于6E17 atoms/cm3。
11.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述第二应力释放层的厚度不小于第一应力释放层的厚度。
12.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，所述第一应力释放层的厚度为200nm~500nm，第二应力释放层的厚度为200nm~800nm。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二有源层中的p型掺杂浓度不低于5E17atoms/cm3。
14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括n型电极和p型电极，所述n型电极与第一n型层形成电连接，p型电极与第二p型层形成电连接。
15.发光二极管，其特征在于，至少包括：
16.发光装置，其特征在于，包括权利要求1~15中任一项所述的发光二极管。
...【技术特征摘要】
1.发光二极管，其特征在于，至少包括：
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二有源层中的n型掺杂浓度小于等于第一有源层中的n型掺杂浓度的2倍。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二有源层中的n型掺杂浓度为第一有源层中的n型掺杂浓度的1.2倍~2倍。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层中的n型掺杂浓度为6e17~1e18atoms/cm3，所述第二有源层中的n型掺杂浓度为8e17~2e18atoms/cm3。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层、第二有源层内形成有v形坑。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一有源层包括交替层叠的第一阱层和第一垒层，第二有源层包括交替层叠的第二阱层和第二垒层。
7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第一阱层和第二阱层为非故意掺杂层，第一垒层和第二垒层为n型掺杂层。
8.根据权利要求6或7所述的发光二极管，其特征在于，所述第二垒层中的n型掺杂浓度大于第一垒层中的n型掺杂浓度。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李家安，黄文宾，朱振强，王瑜，汤恒，李政鸿，林兓兓，
申请(专利权)人：安徽三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：
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