一种适合于LED驱动电路的LDMOS结构制造技术

本发明专利技术公开了一种适合于LED驱动电路的LDMOS结构及其制造方法，以提高击穿电压，其中该LDMOS结构，涉及半导体60V BCD工艺中的高压器件领域，具体涉及一种带金属场板的LDMOS器件结构，此结构在不改变器件尺寸，对导通电阻及饱和电流影响较小的情况下，大幅度提高了器件的击穿电压。该方法包括调整POLY和金属场板尺寸及栅极的个数，使得器件性能参数得到较大改善。

【技术实现步骤摘要】
-种适合于LED驱动电路的LDMOS结构
本专利技术涉及功率器件领域，尤其涉及横向双扩散金属氧化物半导体场效应管结 构。
技术介绍
垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管（VDMOS，Vertical Double-diffused M0SFET)。击穿电压是衡量LDMOS器件性能的重要参数，其通常表示的意义是在保证不被击 穿的情况下，LDM0S漏极和栅极之间能够施加的最大电压。 随着技术进步，LDMOS器件的击穿电压需要提高，业界通常在LDMOS器件漂移区中 添加一个或多个阱，其中阱的极型和漂移区极型相反，例如若漂移区是N型，则阱为P型。 图1是现有技术中N型LDM0S器件的结构示意图，击穿电压和导通电阻是衡量 LDM0S性能的主要技术指标，传统的LDM0S结构将多晶扩展到漂移区的场氧化层11上面充 当场极板以提高击穿电压，场极板12的长度增加可以提高器件的耐压性能，但会增加芯片 面积和导通电阻，所以LDM0S的耐压和导通电阻间存在折中矛盾。目前的做法是，设计最佳 的场极板长度，以便在满足一定击穿电压的前提下，得到最小的导通电阻。本专利技术以目前 B本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可以有效提高器件击穿特性的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，包括金属场板和双栅结构，其特征在于，不改变器件尺寸，对导通电阻及饱和电流影响较小的情况下，大幅度提高了器件的击穿电压。

【技术特征摘要】
1. 一种可以有效提高器件击穿特性的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，包 括金属场板和双栅结构，其特征在于，不改变器件尺寸，对导通电阻及饱和电流影响较小的 情况下，大幅度提高了器件的击穿电压。2. 如权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所 述器件含有金属场板结构，其普遍应用于击穿电压大于600V的器件结构中。3. 如权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所 述金属场板结构多产生于分立器件工艺过程，此结构中产生于集成工艺中。4. 如权利要求1所述的横向双扩散金属氧化物半导体场效应管结构，其特征在于，所 述双扩散金属氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：程玉华，
申请(专利权)人：苏州卓能微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32