本发明专利技术描述了一种薄膜晶体管、TFT阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置。所述薄膜晶体管包括：栅极；设置在所述栅极上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的半导体有源层；设置在所述半导体有源层上的刻蚀阻挡层；设置在所述半导体有源层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极均未覆盖所述半导体有源层的边缘。本发明专利技术在形成源漏电极时先不与半导体有源层连接，然后使用绝缘膜铺平半导体有源层的边缘，再通过透明导电层连接源漏极和半导体有源层，从而避免刻蚀阻挡层过刻导致的源漏金属对栅金属放电击穿风险，并且源漏电极和栅线间多一层绝缘膜，从而降低了寄生电容。
【技术实现步骤摘要】
TFT、TFT阵列基板及其制造方法、显示面板、显示装置
本专利技术涉及显示领域，特别是涉及一种TFT、TFT阵列基板及其制造方法，包括该 TFT阵列基板的显示面板及显示装置。
技术介绍
平面显示器是目前主流的显示器，因为具有外型轻薄、省电以及无辐射等优点而 被广泛地应用于电脑屏幕、移动电话、个人数字助理、平面电视等电子产品上。 现有技术中平面显示器从驱动方式分为有源矩阵显示器和无源矩阵显示器。有源 矩阵显示器和无源矩阵显示器的区别在于有源矩阵显示器中设置有有源元件，通常，有源 元件为薄膜晶体管。有源矩阵显示器通过薄膜晶体管控制每一像素的工作。 现有技术中将薄膜晶体管制作在基板上的过程中，由于半导体有源层易受损伤， 会在半导体有源层上方制作一层刻蚀阻挡层来保护半导体有源层，但是在图案化刻蚀阻挡 层时，会在半导体有源层边缘对栅极绝缘层形成过刻。导致源漏金属对栅金属的放电击穿 风险增大，并且由于源漏金属和栅极金属间仅有一层栅极绝缘层，有较大寄生电容。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种TFT，包括： 栅极； 设置在所述栅极上的栅极绝缘层； 设置在所述栅极绝缘层上的半导体有源层； 设置在所述半导体有源层上的刻蚀阻挡层； 设置在所述半导体有源层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极均未覆盖所述半 导体有源层的边缘。 本专利技术还提供了一种TFT阵列基板，包括：基板；设置在所述基板上的相交且绝缘 的多条扫描线和多条数据线，及所述扫描线和所述数据线定义的多个像素单元；设置在所 述像素单元内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括： 栅极； 设置在所述栅极上的栅极绝缘层； 设置在所述栅极绝缘层上的半导体有源层； 设置在所述半导体有源层上的刻蚀阻挡层； 设置在所述半导体有源层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极均未覆盖所述半 导体有源层的边缘。 本专利技术还提供了一种显示面板，包括：TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括：基 板；设置在所述基板上的相交且绝缘的多条扫描线和多条数据线，及所述扫描线和所述数 据线定义的多个像素单元；设置在所述像素单元内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括： 栅极；设置在所述栅极上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的半导体有源层；设置 在所述半导体有源层上的刻蚀阻挡层；设置在所述半导体有源层上的源极和漏极，所述源 极和所述漏极均未覆盖所述半导体有源层的边缘。 本专利技术还提供了一种显示装置，包括：TFT阵列基板，所述TFT阵列基板包括：基 板；设置在所述基板上的相交且绝缘的多条扫描线和多条数据线，及所述扫描线和所述数 据线定义的多个像素单元；设置在所述像素单元内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括： 栅极；设置在所述栅极上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的半导体有源层；设置 在所述半导体有源层上的刻蚀阻挡层；设置在所述半导体有源层上的源极和漏极，所述源 极和所述漏极均未覆盖所述半导体有源层的边缘。 本专利技术还提供了一种TFT阵列基板的制造方法，包括： 提供一基板； 在所述基板上形成一第一金属层，图案化所述金属层，形成栅极； 在所述栅极上形成一栅极绝缘层； 在所述栅极绝缘层上形成一半导体层，图案化所述半导体层，形成半导体有源 层； 在所述半导体有源层上形成一第一绝缘层，图案化所述第一绝缘层，形成刻蚀阻 挡层； 形成一第二金属层，图案化所述第二金属层，形成数据线，所述数据线与所述半导 体有源层绝缘； 在所述第二金属层、刻蚀阻挡层及半导体有源层上形成一第二绝缘层，图案化所 述第二绝缘层，第二绝缘层上形成多个过孔，所述过孔暴露出部分所述数据线和半导体有 源层； 在所述第二绝缘层上形成一导电层，图案化所述导电层，形成第一导电层和第二 导电层，所述第一导电层电连接所述源极与所述半导体有源层；所述第二导电层与所述第 一导电层绝缘并电连接所述半导体有源层。 与现有技术相比，本专利技术具有如下突出的优点之一： 本专利技术在形成源漏电极时先不与半导体有源层连接，然后使用绝缘膜铺平半导体 有源层的边缘，再通过透明导电层连接源漏极和半导体有源层，从而避免刻蚀阻挡层过刻 导致的源漏金属对栅金属放电击穿风险，并且源漏电极和栅线间多一层绝缘膜，从而降低 了寄生电容。 【附图说明】 图1是现有技术中一种阵列基板的结构示意图； 图2是图1中阵列基板的局部放大图； 图3是本专利技术实施例一提供的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图； 图4至图10是本专利技术实施例二提供的制程过程中阵列基板的结构示意图。 【具体实施方式】 请参考图1和图2,图1为现有技术中一种阵列基板的结构不意图，图2为图1中 阵列基板的局部放大图。从图中可得，现有技术中的阵列基板包括：基板（图中未示出）；设 置在所述基板上的栅极101 ;覆盖在栅极101上的栅极绝缘层102 ;设置在栅极绝缘层102 上的半导体有源层103 ;覆盖部分半导体有源层103的岛状刻蚀阻挡层105 ;设置在半导体 有源层103上并与其电连接的源极104、漏极106。现有技术中将薄膜晶体管制作在基板上 的过程中，由于半导体有源层103易受损伤，通常会在半导体有源层103上方制作一层刻蚀 阻挡层105来保护半导体有源层103,但是在图案化刻蚀阻挡层105时，会在半导体有源层 103边缘对栅极绝缘层102形成过刻，如图2所示。导致源漏金属对栅金属的放电击穿风险 增大，并且由于源漏金属和栅极金属间仅有一层栅极绝缘层，有较大寄生电容。 现在，将在下文中参照附图更充分地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的示例 性实施例。然而，本专利技术可以以多种不同的形式来实施，不应该被理解为局限于在此提出的 实施例。相反，提供这些实施例使本公开将是彻底的和完全的，并会将本专利技术的范围充分地 传达给本领域的技术人员。相同的标号始终表示相同的元件。 应该理解，当元件被称作在另一元件上时，该元件可以直接在另一元件上， 或者可以在它们之间存在中间元件。相反，当元件被称作直接在另一元件上时，不存 在中间元件。如这里所使用的，术语和/或包括一个或多个相关所列的项目的任意组合 和所有组合。 应该理解的是，虽然术语第一、第二、第三等可以在这里用来描述不同的元件、组 件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。 这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区 分开。因此，在不脱离本专利技术的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分 可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。 这里使用的术语仅为了描述具体的实施例的目的，而不意图限制本专利技术。如这里 所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是， 当在本说明书中使用术语包含和/或包括时，说明存在所述特征、区域、整体、步骤、 操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、 元件、组件和/或它们的组。 另外，在这里可以使用诸如下或底部以及上或顶部的相对术语来描述 如附图中示出的一个元件与其本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：栅极；设置在所述栅极上的栅极绝缘层；设置在所述栅极绝缘层上的半导体有源层；设置在所述半导体有源层上的刻蚀阻挡层；设置在所述半导体有源层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极均未覆盖所述半导体有源层的边缘。
【技术特征摘要】
1. 一种薄膜晶体管，其特征在于，包括： 栅极； 设置在所述栅极上的栅极绝缘层； 设置在所述栅极绝缘层上的半导体有源层； 设置在所述半导体有源层上的刻蚀阻挡层； 设置在所述半导体有源层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极均未覆盖所述半导体 有源层的边缘。2. -种TFT阵列基板，其特征在于，包括：基板；设置在所述基板上的相交且绝缘的多 条扫描线和多条数据线，及所述扫描线和所述数据线定义的多个像素单元；设置在所述像 素单元内的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括： 栅极； 设置在所述栅极上的栅极绝缘层； 设置在所述栅极绝缘层上的半导体有源层； 设置在所述半导体有源层上的刻蚀阻挡层； 设置在所述半导体有源层上的源极和漏极，所述源极和所述漏极均未覆盖所述半导体 有源层的边缘。3. 如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括设置在所述刻蚀阻挡层、所 述半导体有源层及所述数据线上的绝缘层，所述绝缘层覆盖所述半导体有源层的边缘，所 述绝缘层设置有多个过孔，所述过孔暴露出部分所述数据线及部分所述半导体有源层。4. 如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，还包括设置在所述绝缘层上的第一 导电层，所述绝缘层有覆盖所述半导体有源层边缘的部分，所述第一导电层覆盖该部分，且 所述第一导电层电连接所述数据线与所述源极。5. 如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，设置在所述绝缘层上的第二导电 层，所述第二导电层与所述第一导电层绝缘并电连接所述漏极。6. 如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体有源层为非晶硅半导体 有源层、多晶硅半导体有源层或氧化物半导体有源层中的任意一种。7. 如权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层为岛状刻蚀阻挡 层。8. 如权利要求3所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述绝缘层为有机膜层。9. 如权利要求4所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第一导电层与所述源极同层设 置。10. 如权利要求5所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述第二导电层与所述漏极同层 设置。11. 如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述第二导电层为像素 电极层。12. -种显示面板，其特征在于，包括：T...
【专利技术属性】
技术研发人员：翟应腾，吴勇，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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