一种半导体封装件及其制法，该半导体封装件，包括具有电性连接垫的承载件、设于该承载件上并具有电极垫的半导体组件、电性连接该电极垫与电性连接垫的导电组件、形成于该导电组件与该电极垫或电性连接垫之间的氟离子、以及形成于该承载件与导电组件上的封装胶体，且形成该电极垫或该电性连接垫的材质为铝材，以通过该氟离子于封装后形成氟化铝，而提高半导体封装件的抗腐蚀性。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种，该半导体封装件，包括具有电性连接垫的承载件、设于该承载件上并具有电极垫的半导体组件、电性连接该电极垫与电性连接垫的导电组件、形成于该导电组件与该电极垫或电性连接垫之间的氟离子、以及形成于该承载件与导电组件上的封装胶体，且形成该电极垫或该电性连接垫的材质为铝材，以通过该氟离子于封装后形成氟化铝，而提高半导体封装件的抗腐蚀性。【专利说明】
本专利技术涉及一种，尤指一种能提升可靠度的。
技术介绍
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。如图1A所示，其揭示一种现有打线式半导体封装件1，其将具有多个电极垫110的半导体芯片11设于一如导线架或封装基板的承载件10上，再以导线12电性连接该半导体芯片11与该承载件10的电性连接垫100 (或导线架的导脚)，之后以如环氧树脂的封装胶体13包覆该半导体芯片11与导线12，以通过该封装胶体13保护该半导体芯片11及承载件10，而避免该半导体芯片11及承载件10受外界的水气或污染物侵害。于现有半导体封装件I中，该封装胶体13含有氯(Cl)离子130 (如图1B所示)，且该导线12为铜(Cu)线。此外，相比于金(Au)线，以铜线作为该导线12不仅能降低成本，且具有较佳的导电性及导热性，而使铜线的线径较细及散热效率较佳。另外现有半导体封装件I于封装后，如图lB(a)所示，于铝(Al)材(即该电性连接垫100与电极垫110的材质)14a与铜材(即该导线12的材质)14b之间将反应产生铝/铜(Al-Cu)合金化合物15,即现有接口合金共化物(Intermetallic Compound, IMC),如下列化学式(I)所示，且该铝/铜合金化合物15将依成份含量分为第一合金部15a与第二合金部15b,即该第一合金部15a的招含量较多(因靠近招材14a),而该第二合金部15b的铜含量较多(因靠近铜材14b)。【权利要求】1.一种半导体封装件，包括: 承载件，其具有多个电性连接垫； 半导体组件，其设于该承载件上，该半导体组件具有多个电极垫，且形成该电极垫或该电性连接垫的材质为铝材； 多个导电组件，其电性连接该电极垫与该电性连接垫； 氟离子，其形成于该导电组件与该电极垫之间、或该导电组件与该电性连接垫之间；以及 封装胶体，其形成于该承载件与该些导电组件上。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该导电组件为铜线或铜凸块。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该导电组件与该电极垫及该电性连接垫之间产生接口合金共化物。4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该封装胶体中含有氯离子。5.根据权利要求4所述的半导体封装件，其特征在于，该半导体封装件还包括氯化铝，其形成于该些电极垫与该些电性连接垫上。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，该氟离子以氟化铝的形式存在。7.一种半导体封装件的制法，其包括: 提供一具有多个电性连接垫的承载件； 设置至少一具有多个电极垫的半导体组件于该承载件上，且形成该电极垫或该电性连接垫的材质为铝材； 形成氟离子于该些电极垫上或该些电性连接垫上； 以多个导电组件电性连接该电极垫与该电性连接垫；以及 形成封装胶体于该承载件与该些导电组件上。8.根据权利要求7所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该导电组件为铜线。9.一种半导体封装件的制法，其包括: 提供一具有多个电性连接垫的承载件、及至少一具有多个电极垫的半导体组件，且形成该电极垫或该电性连接垫的材质为铝材，此外该些电极垫上或该些电性连接垫上具有氟离子； 以多个导电组件设置该半导体组件于该承载件上，且该些导电组件电性连接该电极垫与该电性连接垫；以及 形成封装胶体于该承载件与该些导电组件上。10.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该导电组件为铜凸块。11.根据权利要求7或9所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该导电组件与该电极垫及该电性连接垫之间产生接口合金共化物。12.根据权利要求7或9所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括以有机氟溶液清洗该电极垫或该电性连接垫，再残留微量氟离子，以形成该氟离子。13.根据权利要求7或9所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括形成氟化铝于该导电组件与该电极垫之间、或该导电组件与该电性连接垫之间。14.根据权利要求7或9所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该封装胶体中含有氣尚子。15.根据权利要求14所述的半导体封装件的制法， 其特征在于，该制法还包括形成氯化铝于该些电极垫或该些电性连接垫上。【文档编号】H01L23/31GK103915400SQ201310021830【公开日】2014年7月9日 申请日期:2013年1月21日 优先权日:2013年1月7日【专利技术者】洪隆棠, 林伟胜, 叶孟宏 申请人:矽品精密工业股份有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体封装件，包括：承载件，其具有多个电性连接垫；半导体组件，其设于该承载件上，该半导体组件具有多个电极垫，且形成该电极垫或该电性连接垫的材质为铝材；多个导电组件，其电性连接该电极垫与该电性连接垫；氟离子，其形成于该导电组件与该电极垫之间、或该导电组件与该电性连接垫之间；以及封装胶体，其形成于该承载件与该些导电组件上。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洪隆棠，林伟胜，叶孟宏，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71
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