【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；对所述半导体衬底表面进行阈值调整注入，形成阈值调整层；在所述阈值调整层表面形成缓冲层，所述缓冲层为掺杂了IV族离子的硅层；在所述缓冲层表面形成本征层；在所述本征层表面形成栅极结构；在所述栅极结构的两侧的半导体衬底内形成源极和漏极。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赵猛，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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