半导体器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种半导体器件的制造方法，包括，提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，在所述第一区域上形成有第一栅极，在第二区域上形成第二栅极；进行金属化工艺，以在所述第一栅极、第二栅极及半导体衬底上形成金属硅化物层；进行薄膜氧化处理，在所述金属硅化物层上薄膜氧化层；在所述第二区域上形成拉应力层；在所述第一区域上形成压应力层；进行退火工艺。本发明专利技术通过在进行金属化工艺之后进行薄膜氧化处理，以在所述金属硅化物层上薄膜氧化层，从而避免后续在形成拉应力层和压应力层的过程中，因必要的刻蚀步骤损伤所述金属硅化物层，从而保护金属硅化物层，进而提高半导体器件的性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路制造方法，尤其涉及一种降低金属硅化物层的刻蚀损伤的半导体器件的制造方法。
技术介绍
随着半导体器件的集成度越来越高，半导体器件工作需要的电压和电流不断降低，晶体管开关的速度也随之加快，随之对半导体工艺各方面要求大幅提高。现有技术工艺已经将晶体管以及其他种类的半导体器件组成部分做到了几个分子和原子的厚度，组成半导体的材料已经达到了物理电气特性的极限。业界提出了比二氧化硅具有更高的介电常数和更好的场效应特性的材料-高介电常数材料(High-K Material)，用以更好的分隔栅极和晶体管其他部分，大幅减少漏电量。同时，为了与高介电常数材料兼容，采用金属材料代替原有多晶硅作为栅导电层材料，从而形成了新的栅极结构。金属材料的栅极结构在高温退火工艺过程中，其功函数(Work Function)会发生大幅变化、导致栅极耗尽和RC延迟等问题影响半导体器件性能。为解决上述金属材料的栅极结构的问题，形成了栅极最后工艺(Gate-Last Process)，即先形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括，提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，在所述第一区域上形成有第一栅极，在所述第二区域上形成第二栅极；进行金属化工艺，以在所述第一栅极、第二栅极及半导体衬底上形成金属硅化物层；进行薄膜氧化处理，以在所述金属硅化物层上薄膜氧化层；在所述第二区域上形成拉应力层；在所述第一区域上形成压应力层；进行退火工艺，以对所述第一区域和第二区域分别产生应力作用。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，包括，
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，在所述第一
区域上形成有第一栅极，在所述第二区域上形成第二栅极；
进行金属化工艺，以在所述第一栅极、第二栅极及半导体衬底上形成金属
硅化物层；
进行薄膜氧化处理，以在所述金属硅化物层上薄膜氧化层；
在所述第二区域上形成拉应力层；
在所述第一区域上形成压应力层；
进行退火工艺，以对所述第一区域和第二区域分别产生应力作用。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在进行薄膜氧
化处理的步骤中，采用充有臭氧的去离子水冲洗所述金属硅化物层。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述臭氧在去
离子水中的浓度为200PPM～2000PPM，去离子水冲洗所述金属硅化物层的时间
为5s～600s。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在进行薄膜氧
化处理的步骤中，采用溅射法将所述臭氧离子溅射至所述金属硅化物层表面。
5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在采用溅射法
将所述臭氧离子溅射至所述金属硅化物层表面的过程中，环境温度为150℃
～600℃，时间为5s～120s，射频功率为50W～1000W，臭氧通入量为
1000sccm～20000sccm。
6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述第二区
域上形成拉应力层的步骤包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈振兴，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31