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本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括，提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，在所述第一区域上形成有第一栅极，在第二区域上形成第二栅极；进行金属化工艺，以在所述第一栅极、第二栅极及半导体衬底上形成金属硅化物层；进行薄膜氧化...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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