一种显示面板制作方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种用于制作具有轻掺杂漏极结构薄膜晶体管矩阵的显示面板的方法，该制作方法先在一基板上形成具有预定形状的半导体图案，在所述基板上形成一覆盖所述半导体图案的介电层，在所述介电层上形成一金属层，在所述金属层上位于半导体图案的正上方形成一尺寸小于所述半导体图案的光阻图案，蚀刻所述金属层以形成一尺寸小于光阻图案的栅极，利用所述光阻图案作为掩膜进行对未被光阻图案覆盖的部分进行高浓度离子掺杂以形成重掺杂区，移除所述光阻图案，利用所述栅极作为掩膜对在所述重掺杂区与被所述栅极覆盖的半导体图案区域之间进行低浓度离子掺杂以形成轻掺杂区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示面板制作方法，尤其涉及一种具有轻掺杂漏极(Lightly Doped Drain，LDD)结构薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的显示面板制作方法。
技术介绍
现有采用自对准方式制作具有LDD结构TFT的方法大多需要对TFT的栅极金属层进行重复蚀刻。对栅极金属层的第一次蚀刻定义出半导体层内重掺杂区的位置。对栅极金属层的第二次蚀刻定义出半导体层内轻掺杂区的位置。所以，采用对栅极金属层重复蚀刻方法制成的LDD结构的尺寸因受到多次蚀刻误差的影响，其精度较低。而且，多次蚀刻也增加了光罩次数提高了显示面板的制造成本。因此，需要提供能够解决上述问题的显示面板制作方法。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种显示面板制作方法，其用于制作具有轻掺杂漏极结构薄膜晶体管矩阵的显示面板，该显示面板制作方法包括：提供一基板；在所述基板上形成具有预定形状的半导体图案；在所述基板形成一覆盖所述半导体图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板制作方法，其用于制作具有轻掺杂漏极结构薄膜晶体管(16)矩阵的显示面板(1)，该显示面板制作方法包括：提供一基板(10)；在所述基板(10)上形成具有预定形状的半导体图案(12)；在所述基板(10)形成一覆盖所述半导体图案(12)的介电层(13)；在所述介电层(13)上形成一金属层(14)；在所述金属层(14)上位于半导体图案(12)的正上方形成一尺寸小于所述半导体图案(12)的光阻图案(15)；蚀刻所述金属层(14)以形成一尺寸小于光阻图案(15)的栅极(14a)；利用所述光阻图案(15)作为掩膜进行一高浓度离子掺杂，以使得所述半导体图案(12)未被光阻图案(15)覆盖的部分形成...

【技术特征摘要】
1.一种显示面板制作方法，其用于制作具有轻掺杂漏极结构薄膜晶体管
(16)矩阵的显示面板(1)，该显示面板制作方法包括：
提供一基板(10)；
在所述基板(10)上形成具有预定形状的半导体图案(12)；
在所述基板(10)形成一覆盖所述半导体图案(12)的介电层(13)；
在所述介电层(13)上形成一金属层(14)；
在所述金属层(14)上位于半导体图案(12)的正上方形成一尺寸小于所述半导
体图案(12)的光阻图案(15)；
蚀刻所述金属层(14)以形成一尺寸小于光阻图案(15)的栅极(14a)；
利用所述光阻图案(15)作为掩膜进行一高浓度离子掺杂，以使得所述半导体
图案(12)未被光阻图案(15)覆盖的部分形成重掺杂区(12a)；
移除所述光阻图案(15)；
利用所述栅极(14a)作为掩膜进行一低浓度离子掺杂，以在所述重掺杂区(12a)
与被所述栅极(14a)覆盖的半导体图案(12)区域之间形成轻掺杂区(12b)。
2.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，经蚀刻金属层(14)
所形成的栅极(14a)的中心与所述光阻图案(15)的中心对齐，所述栅极(14a)相对两
侧的边缘相对所述光阻图案(15)对应两侧边缘向内凹入一预设的水平距离(L2)。
3.如权利要求2所述的显示面板制作方法，其特征在于，所述栅极(14a)边
缘相对光阻图案(15)的边缘向内凹入的水平距离(L2)为0.5～1.5μm。
4.如权利要求1所述的显示面板制作方法，其特征在于，蚀刻所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴天明，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44