一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置，显示面板包括显示区域和位于显示区域两侧的周边电路区域，该制作方法包括：在衬底基板上形成非晶硅层并进行高温处理；对位于周边电路区域的非晶硅层采用第一能量进行准分子激光退火，形成第一多晶硅层；对位于显示区域的非晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火，形成第二多晶硅层；其中，第二能量小于第一能量。本发明专利技术提供的上述制作方法便于驱动电路及显示电路集成在同一面板上，能够得到区域要求的不同效果，具备不同功能的低温多晶硅，符合高电子迁移率的需求，以及降低漏电流的需求。

Method for making display panel, display panel and display device

The invention discloses a display panel and display device manufacturing method, display panel, display panel includes a display area and a peripheral circuit region located on both sides of the display, the production method includes: forming an amorphous silicon layer and high temperature treatment on a substrate; an amorphous silicon layer on the peripheral circuit region by the first the energy of the excimer laser annealing, forming a first polysilicon layer; the amorphous silicon layer located in the display area of the second energy excimer laser annealing, forming a polysilicon layer second; among them, second less than the first energy energy. The preparation method of the invention is provided for driving circuit and display circuit are integrated on the same panel, can get different effect of the regional requirements, low temperature polycrystalline silicon with different functions, meet the demand of high electron mobility, and reduce the leakage current demand.

【技术实现步骤摘要】
一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤指一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，简称AMOLED)凭据高画质、移动图像响应时间短、低功耗、宽视角及超轻超薄等优点，成为了未来显示技术的最好选择。目前AMOLED中，背板技术中制作多晶硅层，包括采用准分子激光退火(ExcimerLaserAnnealing，简称ELA)，固相晶化(SolidPhaseCrystallization，简称SPC)，金属诱导晶化(metalinducedcrystallization，简称MIC)等多种制作方法。而采用ELA工艺得到的背板中晶体管有源层的多晶硅薄膜是唯一已经实现量产的方法。在多晶硅层的制作过程中，晶粒尺寸与均匀性的矛盾性，很难成就多晶硅又大又均匀。通常ELA工艺中，采用一次性完成整个面板(Panel)的激光退火扫描，只能满足其中之一的需求。以AMOLED为例，其周边电路中的低温多晶硅薄膜晶体管需要具有较高的电子迁移率和开启状态的电流；显示区则需要具备低漏电流的要求；而目前以ELA工艺所形成的多晶硅无法同时符合此二要求。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置，可以使驱动电路及显示电路集成在同一面板上，具备不同功能的低温多晶硅，符合高电子迁移率的需求，以及降低漏电流的需求。因此，本专利技术实施例提供了一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区域和位于所述显示区域两侧的周边电路区域，包括：在衬底基板上形成非晶硅层并进行高温处理；对位于所述周边电路区域的非晶硅层采用第一能量进行准分子激光退火，形成第一多晶硅层；对位于所述显示区域的非晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火，形成第二多晶硅层；其中，所述第二能量小于第一能量。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述显示面板的制作方法中，对位于所述显示区域的非晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火的同时，还包括：对位于所述显示区域两侧的至少部分所述第一多晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火，形成第三多晶硅层。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述显示面板的制作方法中，显示区域和所述周边区域分别设置有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第二多晶硅层和第三多晶硅层分别为所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的半导体层。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述显示面板的制作方法中，所述第二多晶硅层的晶粒尺寸小于所述第三多晶硅层的晶粒尺寸。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述显示面板的制作方法中，所述第二多晶硅的晶粒尺寸大于200nm且小于300nm；所述第三多晶硅的晶粒尺寸大于400nm。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述显示面板的制作方法中，所述第一能量的激光能量密度为360mJ/cm2至410mJ/cm2；所述第二能量的激光能量密度为300mJ/cm2至350mJ/cm2。在一种可能的实现方式中，在本专利技术实施例提供的上述显示面板的制作方法中，所述准分子激光退火的条件包括：采用氯化氙、氟化氪或氟化氩准分子激光器，激光脉冲频率为300Hz，重叠率为92％至98％，激光扫描速率为2mm/s至10mm/s。本专利技术实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括显示区域和位于所述显示区域两侧的周边电路区域，所述周边电路区域具有第三多晶硅层；所述显示区域具有第二多晶硅层；所述第二多晶硅层与所述第三多晶硅层相邻，且所述第二多晶硅层的晶粒尺寸小于所述第三多晶硅层的晶粒尺寸。在一种可能的实现方式中，本专利技术实施例提供的上述显示面板中，所述显示面板为低温多晶硅有源矩阵有机发光二极管显示面板或低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示面板。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括本专利技术实施例提供的上述显示面板。本专利技术实施例的有益效果包括：本专利技术实施例提供的一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置，显示面板包括显示区域和位于显示区域两侧的周边电路区域，该制作方法包括：在衬底基板上形成非晶硅层并进行高温处理；对位于周边电路区域的非晶硅层采用第一能量进行准分子激光退火，形成第一多晶硅层；对位于显示区域的非晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火，形成第二多晶硅层；其中，第二能量小于第一能量。本专利技术提供的上述制作方法便于驱动电路及显示电路集成在同一面板上，能够得到区域要求的不同效果，具备不同功能的低温多晶硅，符合高电子迁移率的需求，以及降低漏电流的需求。附图说明图1为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法流程图之一；图2为本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法流程图之二；图3为本专利技术实施例提供的显示面板中的第一多晶硅层和第二多晶硅层的示意图；图4为本专利技术实施例提供的准分子激光退火扫描方法结合panel的示意图。具体实施方式下面结合附图，对本专利技术实施例提供的显示面板的制作方法、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。其中，附图中各结构的大小和形状不反映显示面板的真实比例，目的只是示意说明本
技术实现思路
。本专利技术实施例提供了一种显示面板的制作方法，显示面板包括显示区域和位于显示区域两侧的周边电路区域，如图1所示，包括：S101、在衬底基板上形成非晶硅层并进行高温处理；S102、对位于周边电路区域的非晶硅层采用第一能量进行准分子激光退火，形成第一多晶硅层；S103、对位于显示区域的非晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火，形成第二多晶硅层；其中，第二能量小于第一能量。在本专利技术实施例提供的上述显示面板的制作方法中，首先在衬底基板上形成非晶硅层并进行高温处理；然后对位于周边电路区域的非晶硅层采用第一能量进行准分子激光退火，形成第一多晶硅层；之后对位于显示区域的非晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火，形成第二多晶硅层；其中，第二能量小于第一能量。本专利技术提供的上述制作方法便于驱动电路及显示电路集成在同一面板上，能够得到区域要求的不同效果，具备不同功能的低温多晶硅，符合高电子迁移率的需求，以及降低漏电流的需求。在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述显示面板的制作方法中，如图2所示，对位于显示区域的非晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火的同时，还可以包括以下步骤：S201、同时对位于显示区域两侧的至少部分第一多晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火，形成第三多晶硅层。如图3所示，采用第一能量对位于周边电路区域1(虚线标注处)的非晶硅层进行第一次准分子激光退火，激光扫描方向为沿a到a’方向，形成第一多晶硅层；采用第二能量对位于显示区域的非晶硅层和对位于显示区域两侧的至少部分第一多晶硅层进行第二次准分子激光退火，激光扫描方向为沿b到b’方向，此处进行第二次准分子激光退火的区域为图3中的区域2(实线标注处)，此时形成了第二多晶硅层和第三多晶硅层。上述步骤S103和步骤S201是同时进行的，这样经过了两次准分子激光退火，可以保证了周边电路区域的大晶粒存在，也降低了这个区域的高能量准分子激光退火带来的大表面粗糙度，达到了准分子激光退火工艺非常和谐的调整。进一步地，在具体实施时，在本专利技术实施例提供的上述显示面板的制作方法中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区域和位于所述显示区域两侧的周边电路区域，其特征在于，包括：在衬底基板上形成非晶硅层并进行高温处理；对位于所述周边电路区域的非晶硅层采用第一能量进行准分子激光退火，形成第一多晶硅层；对位于所述显示区域的非晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火，形成第二多晶硅层；其中，所述第二能量小于第一能量。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区域和位于所述显示区域两侧的周边电路区域，其特征在于，包括：在衬底基板上形成非晶硅层并进行高温处理；对位于所述周边电路区域的非晶硅层采用第一能量进行准分子激光退火，形成第一多晶硅层；对位于所述显示区域的非晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火，形成第二多晶硅层；其中，所述第二能量小于第一能量。2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对位于所述显示区域的非晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火的同时，还包括：对位于所述显示区域两侧的至少部分所述第一多晶硅层采用第二能量进行准分子激光退火，形成第三多晶硅层。3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述显示区域和所述周边区域分别设置有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第二多晶硅层和所述第三多晶硅层分别为所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的半导体层。4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述第二多晶硅层的晶粒尺寸小于所述第三多晶硅层的晶粒尺寸。5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述第二多晶硅的...

【专利技术属性】
技术研发人员：田雪雁，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11