本发明涉及图像处理方法及图像处理装置。从孔的图像数据提取孔的边缘坐标群。从边缘坐标群提取对应于孔的4边的每一个的边坐标群。从边坐标群产生近似线。从边缘坐标群提取对应于孔的4个角部的每一个的角坐标群。从4条近似线中选择交叉的2条近似线，并...

本发明涉及一种图像处理方法，从拍摄解析细胞的孔及孔的周围而获得的图像数据中检测出孔的边缘，且从图像数据提取孔的边缘坐标群。在提取了多个边缘坐标群的情况下，针对多个边缘坐标群的每一个，产生孔的边缘候选。从所产生的边缘候选中选择满足预先确定...

本发明提供能够通过简单结构迅速掌握闪光照射后的基板的动作的热处理方法以及热处理装置。向半导体晶片的表面照射来自闪光灯的闪光从而瞬间加热。通过上部辐射温度计(25)以及高速辐射温度计单元(90)测量照射闪光后的半导体晶片的表面的温度，将该...

本发明的目的在于提供抑制衬底的污染的技术。衬底处理装置具备：衬底保持部，其水平地保持衬底；处理液供给部，其向被保持于衬底保持部的衬底供给处理液；和受液部，其围绕衬底保持部的周围，并接收从衬底飞散的处理液。另外，受液部的内周面具有在被保持...

本发明能够除去因浸液处理的执行而附着在与基板的下表面接近或分离的可动构件的液体。本发明的基板处理方法包括：第一工序，在使能够在接近位置与分离位置之间移动的可动构件位于接近位置的状态下，对以第一速度旋转的基板的上表面供给第一液体，该接近位...

本发明提供一种基板处理方法及基板处理装置，所述方法包括如下步骤：基板旋转步骤，使基板以水平姿态进行旋转；处理液提供步骤，对通过所述基板旋转步骤被旋转的基板的上表面提供处理液；液膜状态监测步骤，对于提供给所述基板的上表面的处理液在所述基板...

本发明提供一种能够准确测定基板的温度的热处理装置及热处理方法。经由上侧腔室窗(63)及下侧腔室窗(64)对腔室(6)内基座(74)所保持的半导体晶片(W)照射光从而加热半导体晶片(W)。基座(74)所保持的半导体晶片(W)的温度由辐射温...

本发明提供一种能够提高基板处理的处理量并且防止在多个升降构件与支撑部之间进行基板交接时在基板上产生损伤、并且抑制基板的制造成本增加的基板交接系统及基板交接方法。通过连结构件在上下方向移动，在支撑部与多个升降销之间进行基板交接。将设定构件...

在基板处理装置(1)中，第一杯部(161)整周地位于在基板(9)的周围所形成的环状开口(81)的径向外侧，以接收从旋转的基板(9)飞散的处理液。杯部移动机构(162)使第一杯部(161)在环状开口(81)的径向外侧的第一位置和比第一位置...

获取用于显示基板处理装置中的多个基板的处理的履历的履历显示数据。基于所获取的履历显示数据，将多个基板的处理的履历作为履历图表来显示在显示部。在将多个要素作为第一要素及第二要素而受理的情况下，将通过所受理的第一要素及第二要素的彼此对应的部...

本发明提供一种检测非供给期间内有无液体落下的技术。在停止向一个以上的喷嘴中的对象喷嘴供给液体的非供给期间，进行将液体从该对象喷嘴的开口落下时的落下路径包含于拍摄视野中而进行拍摄的拍摄工序，以及使用拍摄工序中的拍摄结果来检测有无液体落下的...

本发明提供处理液供给装置、基板处理装置以及处理液供给方法。处理液供给装置包括：供给配管，其输送贮存处理液的处理液箱内的处理液，将从处理液箱输送的处理液供给至处理单元；返回配管，其与供给配管分支连接，使供给配管内的处理液返回处理液箱；第一...

本发明首先对于一边使焦点位置变化一边拍摄到的多个拍摄图像，计算每个像素的锐度。接着，对于每个坐标决定应参照的拍摄图像的序号即图像参照值。接下来，对于每个坐标，基于图像参照值与锐度计算亮度值。此时，使各坐标的周围的坐标的图像参照值所表示的...

本发明在支撑膜(93)的回收路径上设置与支撑膜(93)接触的板(381)和把持支撑膜(93)的把持部(382)。这样，能够由板(381)和把持部(382)保持从电解质膜(92)被剥离了的支撑膜(93)。此外，能够在板(381)上将被板(...

本发明目的在于抑制基板的损伤并且提高基板的处理效率。为了实现该目的，基板处理装置具备：处理槽，收容磷酸水溶液，且对已浸渍于该磷酸水溶液中的基板施加蚀刻处理；水蒸气供给机构，供给水蒸气；非活性气体供给机构，供给非活性气体；混合机构，从水蒸...

基板处理装置具有：旋转基座，配置于多个夹具构件所把持的基板的下方，向夹具构件传递旋转电机的动力；以及喷嘴，向基板的上表面及下表面的至少一方供给处理基板的处理流体。基板处理装置的IH加热机构包括配置于基板与旋转基座之间的发热构件、配置于旋...

提供一种基板清洗方法，清洗在表面具有氧化膜的基板。该方法包含：部分蚀刻步骤，将所述氧化膜蚀刻至预定的膜厚为止；以及物理清洗步骤，在所述部分蚀刻步骤之后，对所述基板的表面执行物理清洗。所述氧化膜亦可为颗粒至少部分被带入的自然氧化膜。在此情...

本发明的基板处理方法对在表面形成有低介电常数覆膜的基板W进行处理。执行致密化工序，在该致密化工序中，通过使低介电常数覆膜的表层部致密化来转换成致密化层。然后，执行修复液供给工序，在该修复液供给工序中，在致密化层形成工序之后，向低介电常数...

通过使基板以横切线传感器的拍摄区域的方式移动，生成基板上的膜的图像数据，基于生成的图像数据测量膜的各部分的厚度。在测量该膜的厚度时，使用校正信息校正图像数据，使得不包含取决于在与线传感器正交的方向上的位置的变化量。基于第一线状数据与第二...

调温部C1对向显影喷嘴21供给的显影液的温度进行调节。调温部C2、C3分别对向冲洗喷嘴31以及背部冲洗喷嘴35供给的冲洗液的温度进行调节。调温部C4对向处理喷嘴41供给的处理液的温度进行调节。调温部C2、C3、C4将冲洗液及处理液的温度...