The substrate processing method of the present invention processes the substrate W formed on the surface with low dielectric constant coating. A densification process is performed in which the densification layer is converted into a densification layer by densifying the surface of the low dielectric constant film. Then, the repair fluid supply process is performed, in which the repair fluid is supplied to the surface of the low dielectric constant film after the densification layer formation process.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理方法
本专利技术涉及一种处理基板的基板处理方法。作为处理对象的基板例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、FED(FieldEmissionDisplay：场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
技术介绍
近年来，在利用基板所制作的器件(例如，半导体器件)中，为了配线彼此的绝缘等而设置有层间绝缘膜。为了实现器件的高速化，要求层间绝缘膜的寄生电容降低。于是，为了降低寄生电容，提出了如下内容：将低介电常数覆膜用作层间绝缘膜，该低介电常数覆膜由介电常数比氧化硅(SiO2)低(例如，4.0以下)的材料即低介电常数(Low-k)材料构成。在对基板实施干蚀刻或化学研磨法(ChemicalMechanicalPolishing：CMP)时，有时低介电常数覆膜会受到损伤。在已受到损伤的低介电常数覆膜的表面附近系形成有损伤层，由此，低介电常数覆膜的介电常数会上升。因此，可能无法获得所期待的器件特性。因此，在专利文献1中公开了一种修复低介电常数覆膜所受到的损伤的方法。现有技术文献专利文献专...
【技术保护点】
1.一种基板处理方法，对在表面形成有低介电常数覆膜的基板进行处理，其中，所述基板处理方法包括：致密化工序，通过使形成于所述低介电常数覆膜的表层部的损伤层致密化来转换成致密化层；以及修复液供给工序，在所述致密化工序之后，向所述低介电常数覆膜的表面供给用于修复所述致密化层的损伤的修复液。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.26 JP 2016-1872501.一种基板处理方法，对在表面形成有低介电常数覆膜的基板进行处理，其中，所述基板处理方法包括：致密化工序，通过使形成于所述低介电常数覆膜的表层部的损伤层致密化来转换成致密化层；以及修复液供给工序，在所述致密化工序之后，向所述低介电常数覆膜的表面供给用于修复所述致密化层的损伤的修复液。2.如权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述致密化工序包括形成与所述损伤层相比所述修复液难以浸透的所述致密化层的工序。3.如权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述致密化工序包括将所述低介电常数覆膜的表层部中与所述损伤...
【专利技术属性】
技术研发人员：樋口鲇美，岩崎晃久，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。