基板处理装置及基板处理方法制造方法及图纸

在基板处理装置(1)中，第一杯部(161)整周地位于在基板(9)的周围所形成的环状开口(81)的径向外侧，以接收从旋转的基板(9)飞散的处理液。杯部移动机构(162)使第一杯部(161)在环状开口(81)的径向外侧的第一位置和比第一位置更靠下方的第二位置之间沿着上下方向移动。第二杯部(164)配置于第一杯部(161)的上侧，并在第一杯部(161)位于第二位置的状态下整周地位于环状开口(81)的径向外侧，以接收从旋转的基板(9)飞散的处理液。第二杯部(164)通过腔室开闭机构(131)或杯部移动机构(162)而沿着上下方向移动。由此，能够一边抑制使基板处理装置(1)的结构构件移动的机构的增加，一边形成多个种类的密闭空间。

Substrate Processing Device and Substrate Processing Method

In the base plate processing device (1), the first cup (161) is positioned on the radial outer side of the annular opening (81) formed around the base plate (9) for receiving the treatment fluid scattered from the rotating base plate (9). The cup moving mechanism (162) causes the first cup part (161) to move up and down between the first position on the radial outer side of the annular opening (81) and the second position lower than the first position. The second cup part (164) is disposed on the upper side of the first cup part (161) and is positioned on the radial outer side of the annular opening (81) all the week while the first cup part (161) is in the second position to receive the treatment liquid dispersed from the rotating substrate (9). The second cup part (164) moves up and down through a chamber opening and closing mechanism (131) or a cup moving mechanism (162). Thus, a plurality of types of closed spaces can be formed while restraining the increase of the mechanism that causes the structural members of the substrate processing device (1) to move.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置及基板处理方法
本专利技术涉及对基板进行处理的技术。
技术介绍
以往，在半导体基板(下面，简称为“基板”)的制造工序中，使用基板处理装置来对基板实施各种处理。例如，在日本特开2014-49606号公报(文献1)的基板处理装置中，在向基板供给蚀刻液等的药液来进行药液处理之后，供给纯水等冲洗液来进行冲洗处理。另外，在冲洗处理结束后，以异丙醇(IPA：Isopropylalcohol)等置换液来置换基板上的冲洗液，并使基板以高速旋转来进行干燥处理。在这样的基板处理装置中，为了将已使用于药液处理的药液再利用，将药液从其他处理液分离而进行回收。例如，在引用文献1的基板处理装置中，在进行药液处理时，通过位于开放状态的腔室的外侧的第二杯部来接收从基板飞散的药液。另外，在进行冲洗处理时，通过位于第二杯部的外侧的第一杯部来接收从基板飞散的冲洗液。而且，在进行干燥处理时，使腔室封闭，通过腔室侧壁部来接收从基板飞散的置换液。然而，在文献1的基板处理装置中，需要使接收药液的第二杯部沿着上下方向移动的第二杯升降机构、使接收冲洗液的第一杯部沿着上下方向移动的第一杯升降机构、及使腔室盖部沿着上下方向移动而形成接收置换液的腔室的腔室开闭机构。因此，在基板处理装置中，使结构构件移动的机构增加，从而使基板处理装置的结构复杂化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，提供一种对基板进行处理的基板处理装置，能够一边抑制使结构构件移动的机构的增加，一边形成多个种类的密闭空间。本专利技术也提供一种基板处理方法。本专利技术的基板处理装置具有：腔室，具有腔室主体及腔室盖部，通过利用所述腔室盖部封闭所述腔室主体的上部开口，形成包括所述腔室主体及所述腔室盖部的腔室密闭结构；腔室开闭机构，使所述腔室盖部相对于所述腔室主体沿着上下方向相对地移动；基板保持部，配置于所述腔室内，将基板保持为水平状态；基板旋转机构，以朝向所述上下方向的中心轴为中心，使所述基板与所述基板保持部一起旋转；处理液供给部，向所述基板上供给处理液；第一杯部，整周地位于通过所述腔室盖部从所述腔室主体离开而在所述基板的周围所形成的环状开口的径向外侧，以接收从旋转的所述基板飞散的处理液；杯部移动机构，使所述第一杯部在所述环状开口的径向外侧的第一位置与比所述第一位置更靠下方的第二位置之间沿着所述上下方向移动；以及第二杯部，配置于所述第一杯部的上侧，在所述第一杯部位于所述第二位置的状态下整周地位于所述环状开口的径向外侧，以接收从旋转的所述基板飞散的处理液。所述第二杯部通过所述腔室开闭机构或所述杯部移动机构沿着所述上下方向移动。在形成有所述环状开口的状态下，通过位于所述第一位置的所述第一杯部与所述腔室盖部及所述腔室主体接触，形成包括所述腔室盖部、所述腔室主体及所述第一杯部的第一外部密闭结构。在形成有所述环状开口的状态下，通过所述第二杯部与所述腔室盖部及位于所述第二位置的所述第一杯部接触，形成包括所述腔室盖部、所述腔室主体、所述第一杯部及所述第二杯部的第二外部密闭结构。根据该基板处理装置，能够一边抑制使结构构件移动的机构的增加，一边形成多个种类的密闭空间。在本专利技术的一优选实施方式中，所述第二杯部的内周缘部与所述腔室盖部的外周缘部沿着上下方向重叠，在所述腔室盖部封闭所述腔室主体的所述上部开口的状态下，所述第二杯部由所述第一杯部支撑，所述第二杯部的所述内周缘部朝上方离开所述腔室盖部的所述外周缘部，在所述腔室盖部通过所述腔室开闭机构而朝离开所述腔室主体的方向相对地移动时，所述第二杯部的所述内周缘部由所述腔室盖部的所述外周缘部支撑，所述第二杯部与所述腔室盖部一起相对于所述腔室主体相对地移动。更优选地，所述第一杯部在与所述第二杯部接触的位置具有杯密封部，该杯密封部在所述第一杯部与所述第二杯部之间整周地形成密封。在本专利技术的另一优选的实施方式中，所述第二杯部的外径在所述第一杯部的外径以下。本专利技术的基板处理方法是在下面的基板处理装置中对基板进行处理的方法。腔室，具有腔室主体及腔室盖部，通过利用所述腔室盖部封闭所述腔室主体的上部开口，形成包括所述腔室主体及所述腔室盖部的腔室密闭结构；腔室开闭机构，使所述腔室盖部相对于所述腔室主体沿着上下方向相对地移动；基板保持部，配置于所述腔室内，将基板保持为水平状态；基板旋转机构，以朝向所述上下方向的中心轴为中心，使所述基板与所述基板保持部一起旋转；处理液供给部，向所述基板上供给处理液；第一杯部，整周地位于通过所述腔室盖部从所述腔室主体离开而在所述基板的周围所形成的环状开口的径向外侧，以接收从旋转的所述基板飞散的处理液；杯部移动机构，使所述第一杯部在所述环状开口的径向外侧的第一位置与比所述第一位置更靠下方的第二位置之间沿着所述上下方向移动。所述基板处理装置还具有第二杯部，该第二杯部配置于所述第一杯部的上侧，在所述第一杯部位于所述第二位置的状态下整周地位于所述环状开口的径向外侧，以接收从旋转的所述基板飞散的处理液。所述第二杯部通过所述腔室开闭机构或所述杯部移动机构沿着所述上下方向移动。所述基板处理方法具有：a)工序，在形成有所述环状开口的状态下，通过使所述第一杯部在所述第一位置与所述腔室盖部及所述腔室主体接触，形成包括所述腔室盖部、所述腔室主体及所述第一杯部的第一外部密闭结构；b)工序，在所述a)工序之后，在所述第一外部密闭结构内，向旋转中的所述基板供给第一处理液，并由所述第一杯部接收从所述基板飞散的所述第一处理液；c)工序，通过利用所述腔室盖部封闭所述腔室主体的所述上部开口，形成所述腔室密闭结构；d)工序，在所述c)工序之后，在所述腔室密闭结构内，向旋转中的所述基板供给第二处理液，并由所述腔室接收从所述基板飞散的所述第二处理液；e)工序，在形成有所述环状开口的状态下，通过使所述第二杯部与所述腔室盖部及位于所述第二位置的所述第一杯部接触，形成包括所述腔室盖部、所述腔室主体、所述第一杯部及所述第二杯部的第二外部密闭结构；以及f)工序，在所述e)工序之后，在所述第二外部密闭结构内，向旋转中的所述基板供给第三处理液，并由所述第二杯部接收从所述基板飞散的所述第三处理液。上述的目的及其他目的、特征、实施方式及优点，通过参照附图而在以下进行的本专利技术的详细说明变得更加明确。附图说明图1是一实施方式的基板处理装置的剖视图。图2是表示气液供给部及气液排出部的框图。图3是表示基板处理装置的处理流程的图。图4是基板处理装置的剖视图。图5是基板处理装置的剖视图。图6是基板处理装置的剖视图。具体实施方式图1是表示本专利技术的一实施方式的基板处理装置1的剖视图。基板处理装置1是向大致圆板状的半导体基板9(下面，简称为“基板9”)供给处理液来一张一张地处理基板9的单片式装置。在图1中，在基板处理装置1的一部分的结构的截面省略平行斜线的图示(在其他剖视图中也相同)。基板处理装置1具有腔室12、顶板123、腔室开闭机构131、基板保持部14、基板旋转机构15、液接收部16、外罩17。外罩17覆盖腔室12的上方及侧方。腔室12具有腔室主体121、及腔室盖部122。腔室12是以朝向上下方向的中心轴J1为中心的大致圆筒状。腔室主体121具有腔室底部210、及腔室侧壁部214。腔室底部210具有中央部211、内侧壁部212、环本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理装置，对基板进行处理，其中，所述基板处理装置具有：腔室，具有腔室主体及腔室盖部，通过利用所述腔室盖部封闭所述腔室主体的上部开口，形成包括所述腔室主体及所述腔室盖部的腔室密闭结构；腔室开闭机构，使所述腔室盖部相对于所述腔室主体沿着上下方向相对地移动；基板保持部，配置于所述腔室内，将基板保持为水平状态；基板旋转机构，以朝向所述上下方向的中心轴为中心，使所述基板与所述基板保持部一起旋转；处理液供给部，向所述基板上供给处理液；第一杯部，整周地位于通过所述腔室盖部从所述腔室主体离开而在所述基板的周围所形成的环状开口的径向外侧，以接收从旋转的所述基板飞散的处理液；杯部移动机构，使所述第一杯部在所述环状开口的径向外侧的第一位置与比所述第一位置更靠下方的第二位置之间沿着所述上下方向移动；以及第二杯部，配置于所述第一杯部的上侧，在所述第一杯部位于所述第二位置的状态下整周地位于所述环状开口的径向外侧，以接收从旋转的所述基板飞散的处理液，所述第二杯部通过所述腔室开闭机构或所述杯部移动机构沿着所述上下方向移动，在形成有所述环状开口的状态下，通过位于所述第一位置的所述第一杯部与所述腔室盖部及所述腔室主体接触，形成包括所述腔室盖部、所述腔室主体及所述第一杯部的第一外部密闭结构，在形成有所述环状开口的状态下，通过所述第二杯部与所述腔室盖部及位于所述第二位置的所述第一杯部接触，形成包括所述腔室盖部、所述腔室主体、所述第一杯部及所述第二杯部的第二外部密闭结构。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.09.23 JP 2016-1856571.一种基板处理装置，对基板进行处理，其中，所述基板处理装置具有：腔室，具有腔室主体及腔室盖部，通过利用所述腔室盖部封闭所述腔室主体的上部开口，形成包括所述腔室主体及所述腔室盖部的腔室密闭结构；腔室开闭机构，使所述腔室盖部相对于所述腔室主体沿着上下方向相对地移动；基板保持部，配置于所述腔室内，将基板保持为水平状态；基板旋转机构，以朝向所述上下方向的中心轴为中心，使所述基板与所述基板保持部一起旋转；处理液供给部，向所述基板上供给处理液；第一杯部，整周地位于通过所述腔室盖部从所述腔室主体离开而在所述基板的周围所形成的环状开口的径向外侧，以接收从旋转的所述基板飞散的处理液；杯部移动机构，使所述第一杯部在所述环状开口的径向外侧的第一位置与比所述第一位置更靠下方的第二位置之间沿着所述上下方向移动；以及第二杯部，配置于所述第一杯部的上侧，在所述第一杯部位于所述第二位置的状态下整周地位于所述环状开口的径向外侧，以接收从旋转的所述基板飞散的处理液，所述第二杯部通过所述腔室开闭机构或所述杯部移动机构沿着所述上下方向移动，在形成有所述环状开口的状态下，通过位于所述第一位置的所述第一杯部与所述腔室盖部及所述腔室主体接触，形成包括所述腔室盖部、所述腔室主体及所述第一杯部的第一外部密闭结构，在形成有所述环状开口的状态下，通过所述第二杯部与所述腔室盖部及位于所述第二位置的所述第一杯部接触，形成包括所述腔室盖部、所述腔室主体、所述第一杯部及所述第二杯部的第二外部密闭结构。2.如权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述第二杯部的内周缘部与所述腔室盖部的外周缘部沿着上下方向重叠，在所述腔室盖部封闭所述腔室主体的所述上部开口的状态下，所述第二杯部由所述第一杯部支撑，所述第二杯部的所述内周缘部朝上方离开所述腔室盖部的所述外周缘部，在所述腔室盖部通过所述腔室开闭机构而朝离开所述腔室主体的方向相对地移动时，所述第二杯部的所述内周缘部由所述腔室盖部的所述外周缘部支撑，所述第二杯部与所述腔室盖部一起相对于所述腔室主体相对地移动。3.如权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述第一杯部在与所述第二杯部接触的位置具有杯密封部，该杯密封部在所述第一杯部与所述第二杯部之间整周地形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：三浦丈苗，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP