本发明提供一种具有对芯片内部低噪声干扰的静电放电防护电路。该静电放电防护电路设置在芯片中，该芯片还包括：主电路及连接所述主电路的第一电源端及第一接地端；所述静电放电防护电路至少包括：连接所述主电路的静电放电防护电路单元；连接所述静电放电...

本发明提供一种相变存储的快速擦写操作方法，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述预编程脉冲使得相变存储单元超越相变的开关阈值，保持时间小于写操作的RESET脉冲操作时间。本发明还提供一种相变存储电路的快速擦写操作方法...

本发明涉及超导量子干涉器件（SQUID，Superconducting?QUantum?Interference?Device）技术领域。其特征在于将多环结构SQUID与电感线圈、电阻集成在一起构成全集成多环结构SBC?SQUID，其中...

本发明涉及一种在线水质监测系统，包括飘浮在水面上的可移动水质监测节点和中继监测节点，以及岸上基站和数据中心，所述可移动水质监测节点和中继监测节点用于监测水质参数，并将得到的水质参数上传至簇头节点；所述簇头节点把收到的数据进行融合，并按照...

本实用新型涉及一种用于圆片上光敏BCB显影的夹具，其特征在于：该夹具包括手柄（1）、连接杆（2）、大圆环（4）、小圆环（5）以及若干固定连接杆（3），所述大圆环（4）与小圆环（5）平行设置并通过所述若干固定连接杆（3）连接；所述连接杆（...

本发明涉及一种利用CAZAC序列的OFDM系统时域同步方法，包括以下步骤：利用一个CAZAC序列在时域构造具有前后重复结构的训练序列；构造一个与该训练序列等长的加权序列；用该加权序列与原训练序列相乘得到新的训练序列；在接收端利用已知加权...

本发明涉及一种高密度相变存储器电路结构及其制备方法，所述相变存储器结构包括选通管及n个相变电阻，所述选通管的源端接地，栅端接字线WL；所述n个相变电阻并列排布，各该相变电阻的一端共同连接在所述选通管的漏端，各该相变电阻的另一端分别连接各...

本发明提供一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法，该石墨烯场效应器件包括：具有栅电极沟槽的衬底；形成于所述栅电极沟槽中的栅电极；Al2O3介电薄膜层，位于所述栅电极沟槽中的栅电极表面，且Al2O3介电薄膜层表面与衬底表面齐平；...

本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子对和依次形成于其表面上的绝缘层及金属线圈。本发明利用差分电容激励和电磁感应来测量磁场大小，其中，构成谐振振子对的两个谐振振子结构工作在反相位模式，各该谐振振子...

本发明涉及一种避免寄生电容结构的微加速度传感器，包括上电极盖板、下电极盖板和质量块，所述上电极盖板和下电极盖板分别位于质量块的上端和下端，所述质量块的上表面具有上电容间隙，下表面具有下电容间隙；所述上电极盖板的下表面和下电极盖板的上表面...

本发明提供一种三维真空传感器及其制备方法，该方法制备的热电堆和加热器位于不同的平面上，热电堆位于加热器的下面，可以进一步实现热电型真空传感器的微型化；采用干法腐蚀释放结构，可以避免湿法腐蚀释放过程中存在的结构层与衬底黏连的问题，提高了器...

本发明涉及电路中的浪涌保护器件领域，特别是涉及一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料。本发明提供一种适用于浪涌保护器件的硫系化合物薄膜材料，所述硫系化合物薄膜材料为Ge、Al、As、Sb、Te、S或Se中任意两种以上的元素按任意比例...

本发明提供一种三维真空传感器及其制备方法，该方法制备的热电堆和加热器位于不同的平面上，热电堆位于加热器的上面，可以进一步实现热电型真空传感器的微型化；采用干法腐蚀释放结构，通过对腐蚀开口和刻蚀时间的控制，可以获得较小的微加热器到衬底的垂...

本发明提供一种高深宽比硅结构的侧壁平滑方法，先在硅衬底表面形成氧化硅掩膜，然后根据氧化硅掩膜于硅衬底中制作高深宽比硅结构，接着采用感应耦合等离子体增强化学气相沉积法或喷涂法于所述高深宽比硅结构侧壁形成含氟聚合物，最后去除氧化硅掩膜完成制...

本发明提供一种基于SOI的锗硅异质结双极晶体管及其制作方法。该基于SOI的锗硅异质结双极晶体管，其包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及形成于该埋氧化层上的有源区和隔离区；所述有源区一端形成有集电极，其余部分形成集电区，所述集电区与所述...

本发明提供一种石墨烯场效应器件集成方法。该方法在衬底上形成栅电极与对准标记。接下来制备出具有高介电常数的Al2O3薄膜，并利用湿法刻蚀的方法对其进行刻蚀，露出栅电极接触及对准标记。随后将采用化学气相沉积（CVD）方法制备的的单层石墨烯薄...

本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子对和依次形成于其表面上的绝缘层及金属线圈。本发明利用单端电容激励和电磁感应来测量磁场大小，其中，构成谐振振子对的两个谐振振子结构工作在同相位模式，各该谐振振子...

本发明提供一种微机械磁场传感器及其应用，所述微机械磁场传感器至少包括：谐振振子对和依次形成于其表面上的绝缘层及金属线圈。本发明利用差分电容激励和电磁感应来测量磁场大小，其中，构成谐振振子对的两个谐振振子结构工作在反相位模式，各该谐振振子...

本发明涉及一种基于寡核苷酸链的荧光增强型Hg2+检测芯片及方法，其特征在于利用了Hg2+能特异性地与两条相邻全胸腺嘧啶（T）寡核苷酸链上的T碱基共价结合，形成稳定的分子间T–Hg2+-T结构，进而诱导与全T寡核苷酸链杂交的互补链的释放。...

本发明提供一种采用混合等离子体实现硅基芯片与PDMS芯片键合的方法，首先提供一硅基芯片与一PDMS芯片，采用丙酮和酒精对所述硅基芯片及所述PDMS芯片进行超声清洗，然后采用氧气及第二气体的混合等离子体对所述硅基芯片的键合面及PDMS芯片...