本发明提供一种用于替代DRAM及FLASH的相变存储单元及其制作方法，其包括相变材料层和与其接触并位于其下方的圆柱体下电极，其特征在于，所述相变材料层由侧壁层与圆形底层连接而成，并形成上部开口的空心圆柱体或空心倒圆台，所述空心圆柱体或空...

本发明提供一种具有类超晶格结构的相变存储单元，其包括相变材料层，所述相变材料层是由单层GaSb层与单层相变材料Sb2Te3层在纳米级厚度单层周期交替生长而形成的类超晶格结构。所述单层GaSb和单层相变材料Sb2Te3的厚度范围分别为2～...

本发明提供一种压阻式微纳传感器，用于检测双面表面应力；所述压阻式微纳传感器包括氧化层包裹的微纳双端固支梁以及离子掺杂区域沿厚度方向完全贯穿微纳双端固支梁的压阻，利用微纳双端固支梁双面受到相同的表面应力时沿该梁轴向产生的轴向应力效应进行检...

本发明涉及一种基于电谐振的太赫兹双频带超材料，包括衬底和金属层单元，所述金属层单元上设有电磁谐振单元；所述电磁谐振单元包括两个开口谐振环和一个闭合环；所述闭合环位于两个开口谐振环之间；所述金属层单元以周期性阵列的方式铺设在所述衬底上。本...

本发明涉及微电子技术领域的金属元素掺杂的相变材料，尤其涉及一种用于相变存储器的富锑高速相变材料及其制备方法和应用。一种用于相变存储器的富锑高速相变材料，其化学通式为：Ax(Sb2Te)1-x，x为原子百分比，其中A选自W、Ti、Ta或M...

本发明涉及一种用于圆片级封装应力测量的应力传感器转移方法，包括以下步骤：SOI硅片的顶层硅上制作应力传感器；利用有机胶膜将应力传感器面对面地贴装到与待封装圆片相同尺寸的测试圆片上；腐蚀去除应力传感器衬底硅，将应力传感器芯片单元转移到测试...

本发明提出了一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该制备方法通过在基于SOI的SiGe-HBT工艺流程中增加使用一个特定的光刻版，将外基区注入限定在指定的区域，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGeBJT器件...

本发明提供一种基于SOI的SiGe-HBT晶体管的制备方法，该方法通过在所述外基区注入杂质由硼改为氟化硼，并将注入能量和剂量限定在特定范围内，有效解决了薄膜SOI上（小于等于150nm）的SiGe-HBT器件的集电极电阻大幅增加和最高截...

本发明提供一种超常材料及其色散拓扑相变方法，所述超常材料包括：法拉第磁光材料薄膜和非磁性透明材料薄膜在x轴方向交替重叠构成周期性层状结构；所述法拉第磁光材料薄膜和非磁性透明材料薄膜在x轴方向的厚度均小于选定的用以照射所述超常材料的电磁波...

本发明提供一种利用电磁倏逝波的相位变化测量介质损耗的方法，其包括步骤：1）在预先给定频率的电磁波内确定待测介质折射率的实部，并把该待测介质定义为光疏介质；2）寻找一个折射率已知并且折射率实部大于待测介质的折射率实部的光密介质，并把光密介...

本发明提供了一种MEMS三轴加速度计及其制造方法。MEMS三轴加速度计包括敏感器件层、上盖板层和下支撑体层；敏感器件层与上盖板层、下支撑体层之间有间隙；敏感器件层包括支撑框体、弹性梁、三个独立的敏感质量块、可动梳齿、固定梳齿以及电极，敏...

本发明提供一种利用电磁倏逝波辐照度的脉冲响应时间测量介质损耗的方法，包括步骤：1）在预先给定频率范围的电磁波内确定待测介质折射率的实部，并把该待测介质定义为光疏介质；2）寻找折射率已知并且折射率实部大于待测介质的光密介质，并把光密介质和...

一种定向耦合器，利用二维长方晶格柱状光子晶体的自准直效应实现，属于半导体光学技术领域。该定向耦合器通过在相邻两排硅柱的长边中间引入一定数量、相同尺寸的耦合柱体，这样，在一排柱体中传播的自准直光束被引入的中间柱体耦合到另一排柱体中继续自准...

本发明提供了一种锗和III-V混合共平面的SOI半导体结构及其制备方法。绝缘体上锗和III-V族半导体材料共平面异质集成的半导体结构包含至少一个形成在绝缘层上的锗衬底，而另一衬底是被形成在锗半导体上的III-V族半导体材料。形成该半导体...

本发明提供了一种锗和Ⅲ-V混合共平面的半导体结构及其制备方法。锗和Ⅲ-V族半导体材料共平面异质集成的半导体结构包含至少一个形成在体硅衬底上的锗衬底，而另一衬底是被形成在锗半导体上的Ⅲ-V族半导体材料。的制备方法包括：制备体硅衬底上的锗半...

本发明公开了一种选择性刻蚀制备全隔离混合晶向SOI的方法，以及基于该方法的CMOS集成电路制备方法。本发明提出的制备方法，采用SiGe层作为第一晶向外延的虚拟衬底层，从而可以形成第一晶向的顶层应变硅；采用从窗口直接外延覆盖至第一硬掩膜表...

本发明公开了一种全隔离混合晶向SOI衬底的制备方法，以及基于该方法的CMOS集成电路制备方法。本发明提出的全隔离混合晶向SOI衬底制备方法，采用SiGe层作为第一晶向外延的虚拟衬底层，从而可以形成第一晶向的顶层应变硅；采用多晶硅支撑材料...

一种T型分支波导，利用SOI基二维平板柱状光子晶体的自准直效应实现输入光信号的180°分束传播，属于半导体光学技术领域，包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的硅柱区域以及将硅柱区域与外部光纤或其他器件连接的SOI条形波导。其中：硅...

一种光子晶体分束器，利用SOI基二维平板空气孔光子晶体的自准直效应实现输入光信号的分束传播，属于半导体光学技术领域，包括SOI衬底、在SOI衬底顶层硅刻蚀形成的空气孔区域以及将空气孔区域与外部光纤或其他器件相连的SOI条形波导。其中：空...

本发明公开了提供一种用于制作纳米器件的自对准硅盖板，以及该硅盖板的制作方法和使用方法。该硅盖板的正面开设有用于制作电极的图形开口，该硅盖板的背面设有一梯台型凹槽，所述梯台型凹槽的底部与所述图形开口的底部相连通，所述梯台型凹槽的底部尺寸与...