中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利

  • 本发明提供一种具有配置电路的相变存储器芯片,至少包括:存储阵列、行译码器单元、列译码单元、列选择器单元、驱动电路单元、敏感放大器单元、地址缓冲锁存单元、数据缓冲锁存单元、逻辑控制单元、以及配置电路单元。其中,所述配置电路单元,对所述驱动...
  • 本发明涉及一种基于太赫兹量子器件的断层扫描成像系统和方法,系统包括太赫兹源部分、传输汇聚光路系统、旋转平行扫描台以及太赫兹信号检测部分,太赫兹源部分包括太赫兹量子级联激光器、驱动电源以及斩波扇;传输汇聚光路系统包括第一离轴抛面镜组和第二...
  • 本发明涉及一种轻轨沿线道路传感器网络路径损耗模型建立方法,包括以下步骤:布设收发节点,在百米范围之内实地采集轻轨沿线环境中接收端无线信号的功率大小,得到真实反映路径损耗传播特性的测量数据;根据所得数据,观察样本分布走势,选取与样本分布走...
  • 本发明涉及一种毫米波相控阵天线及其波束扫描方法,其中,毫米波相控阵天线包括平面微带天线阵面、有源通道网络以及波束控制单元,平面微带天线阵面与有源通道网络通过可拆卸的方式进行连接;有源通道网络包含正交矢量调制芯片,正交矢量调制芯片有I路和...
  • 本发明公开了一种多元熔盐电解质的制备方法,其特征在于本方法制备的电解质材料,可用于高能电池的电解质材料及热量传递的介质材料。本发明通过将原材料溶解混合的方法将原材料混合均匀,从而大大简化了电解质材料的制备过程和制备工艺。将原料按重量百分...
  • 本发明提供一种GOI晶片结构的制备方法,该方法首先利用Smart-Cut技术制作出SGOI晶片结构,然后对SGOI晶片结构进行锗浓缩,从而得到GOI晶片结构。由于利用Smart-Cut技术制作的SGOI在SGOI/BOX界面基本不存在失...
  • 本发明提供一种利用离子注入及定点吸附工艺制备半导体材料的方法,先在Si衬底上外延至少一个周期的SixGe1-x/Si(0≤x<1)超晶格结构,然后于超晶格结构上依次生长Si缓冲层及SizGe1-z层,接着将H或He等离子注入至Si衬底并...
  • 本发明提供一种基于离子注入技术打开石墨烯带隙的方法,包括如下步骤:1)将石墨烯放置在Si片上,然后放入离子注入机中,用离子束轰击所述Si片上的石墨烯,使其产生缺陷;2)将步骤1)中经过离子束轰击后的有缺陷的石墨烯于合适的气氛中进行退火处...
  • 本发明提供一种具有相变存储器的RFID标签。所述RFID标签包括:包含天线的信号收发单元;与所述信号收发单元连接的模拟信号处理单元,用于由所述信号收发单元所接收的射频信号中获取有用信号、以及将待发送信号处理成射频信号以便由所述信号收发单...
  • 本发明公开了一种基于带状网络的自适应传输方法,包括如下步骤:各传输塔的本地网关区分场景;各本地网关进行初始化;各本地网关进行数据交互;以及当某一本地网关出现问题时,其相邻的本地网关根据网段标识自动按场景进行反转传输,通过本发明,解决了现...
  • 本发明提供一种利用穿硅通孔的微波多芯片封装结构及其制作方法,该方法利用TSV实现双面集成的系统级封装结构,在需要集成MMIC芯片时,不必在布线之前就埋入衬底,其性能、可靠性、以及成品率将得到改善。同时,在制作过程中的注入腐蚀、释放和高温...
  • 本发明涉及一种毫米波单片集成探测器组件,包括射频压控振荡器、驱动电路、低噪声放大器、混频器和收发天线,所述射频压控振荡器用于根据外部系统通过不同电压波型的调节得到射频信号;所述驱动电路用于对产生的射频信号进行放大;所述收发天线用于发送放...
  • 本发明提供一种电容式微加速度传感器及其单片制作方法,所述加速度传感器为三明治结构,其制作方法不需要键合工艺,直接由单片双器件层SOI硅片制作形成。该加速度传感器具有双面对称直梁-质量块结构,且所述可动质量块的八个角处的直弹性梁,无需采用...
  • 本发明提供一种圆片集成微透镜光学系统制作方法,所述制作方法包括以下步骤:1)提供一硅衬底,在其上下表面沉积腐蚀掩膜层;通过光刻、刻蚀制作出腐蚀窗口图形;2)自所述腐蚀窗口腐蚀硅衬底;形成腐蚀腔体,同时形成悬浮薄膜;3)利用悬浮薄膜的塑性...
  • 本发明提供一种基于超导纳米线的高频振荡器及其制备方法,该振荡器包括一共面波导,以及位于所述共面波导中心导体带和接地导体之间的超导纳米线,该振荡器的实现原理是基于超薄超导材料的纳米线结构的自热弛豫效应特性。本发明制备的振荡器工艺结构简单,...
  • 本发明提供一种具有周期结构的半导体及其制备方法,首先提供一的AAO模板,所述AAO模板包括铝基底和具有周期排列的多个孔道的氧化铝层,于各该孔道内填充光刻胶,并使所述光刻胶覆盖所述氧化铝层,然后去除所述铝基底,接着去除各该孔道的底部以使所...
  • 本发明提供一种光栅耦合器及其制作方法,提供一SOI衬底,刻蚀所述SOI衬底的顶层硅,形成周期为500~800nm的耦合光栅,同时于所述顶层硅中隔出CMOS有源区;于所述耦合光栅上制作覆盖于所述耦合光栅及CMOS有源区的栅氧化层;于所述栅...
  • 一种用于相变存储器的化学机械抛光液,其特征在于,包括:抛光颗粒、氧化剂、鳌合剂、抑制剂、表面活性剂、pH调节剂/缓冲剂以及水性介质。相较于现有技术,本发明提供的化学机械抛光液,可实现对相变材料/底层介质材料可控选择比(1:1至180:1...
  • 本发明提供一种平面内谐振式直拉直压微悬臂梁结构及制备方法。其中,所述微悬臂梁结构包括:悬臂梁区、连接在所述悬臂梁区一侧的质量块区、及连接在所述悬臂梁区另一侧的参考电阻区,其中,所述悬臂梁区包括:相互分离的主悬臂梁、驱动微梁和敏感微梁,其...
  • 本发明涉及一种基于无线全向传感器网络的跟踪节点选择方法,包括以下步骤:在粒子滤波的基础上获得先验状态概率;利用前一时刻的位置、速度估计和估计因子,得到每一个在探测范围内的节点到目标的最远距离和最近距离;结合节点本身的测量值计算每一粒子相...