本发明提供一种宽带射频功率放大器记忆非线性模型及建模方法，该建模方法包括：输入射频信号经过静态非线性处理单元生成与输入无关的非线性信号；非线性信号经过动态非线性处理单元生成含记忆的动态非线性输出信号；所述动态非线性处理单元采用输入相关的...

本发明提供一种高效线性化射频功率放大装置及方法，该装置包括射频功率放大器用以放大射频信号；自适应极限环环路与射频功率放大器相连，对射频功率放大器实施非线性负反馈控制；自适应极限环环路输入射频输入信号，输出相位变化随射频输入信号调制的脉冲...

本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法，该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底，然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物，从而可以得到低缺陷密度、高晶体质量的Ge或III-V族化合...

本发明提供一种硅基纳米阵列图形化衬底及硅基外延层的制备方法，该方法利用化学催化腐蚀法制备出硅基纳米阵列图形化衬底，然后在所述硅基纳米阵列图形化衬底上外延Ge或III-V族化合物，从而可以得到低缺陷密度、高晶体质量的Ge或III-V族化合...

本发明提供一种基于新型存储器的嵌入式系统及其进程的休眠与唤醒方法，该嵌入式系统由新型非易失存储器及DRAM内存构成存储架构，所述新型非易失存储器又由引导程序存储区、内核存储区、文件系统存储区、以及进程镜像备份区组成，其中，所述进程镜像备...

本发明涉及新型化学电源和新能源材料领域，具体公开了一种石墨烯/二硫化钼复合电极材料及其制备方法，该制备方法的步骤包括：1）以石墨为原料，通过氧化插层法制备氧化石墨；2）将制备的氧化石墨用去离子水溶解，超声剥离获得氧化石墨烯溶液，然后加入...

本发明提供一种含有TiSiN材料层的相变存储单元及其制备方法，所述相变存储单元包括相变材料层和位于其下方的下电极，所述相变材料层和下电极之间由一TiSiN材料层连接，所述下电极包括一底部和一与该底部连接的片状侧部，所述片状侧部垂直于所述...

本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，用于提升相变存储器中相变单元的操作速度；采用在相变存储单元的相变存储材料层中植入一层或几层锑Sb薄膜，以加快相变材料在可逆相变过程中的结晶速率。其中相变材料可以是二元的材料体系，如Ge-Te、S...

本发明涉及一种用于相变存储器的Al-Ge-Te相变材料，所述Al-Ge-Te相变材料的化学通式为Al100-x-yGexTey，其中50＜x+y＜100，0.25＜x/y＜4。Al-Ge-Te相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电...

本发明提供一种限制结构相变存储器及其制作方法，所述限制结构相变存储器包括相变存储阵列、具有阈值电压开关特性的硫系化合物开关层、以及分别连接于相变存储阵列及硫系化合物开关层的字线及位线。所述硫系化合物开关层在达到阈值电压之前处于高电阻状态...

本发明提供一种具有掉电数据保持功能的触发器，应用于集成电路系统中，其至少包括：具有数据输出端及数据恢复置位端的双置位端触发单元；用于根据电源电压发出掉电或上电置位信号的电源监测单元；用以生成set或reset信号的信号生成单元；以及相变...

本发明提供一种相变存储器的读写转换系统及方法，所述读写转换系统包括用于产生读脉冲及写脉冲的读写脉冲产生模块、用于锁存需要进行操作的目标地址的地址锁存模块、用于读取目标地址相变存储单元的数据的读模块、用于将待写入的数据写入到目标地址的相变...

本发明涉及石墨烯薄膜制备领域，具体公开了一种基于镍铜复合衬底的层数可控石墨烯薄膜材料及其制备方法，包括如下步骤：1）镍铜复合衬底的制备；2）渗碳：将铜镍复合衬底加热至200～300℃后，通入碳源气体和载气，保温30～240min，对镍层...

本发明涉及可用于实现太赫兹特异介质的三种电磁谐振单元结构及方法，其特征在于所述的单元结构为SR1、SR2和SR3中的任一种；其中，SR1由一个“工”字型封闭的金属环组成；SR2是在两个嵌套的闭合金属环之间加两个“T”型金属条组成；SR3...

本发明公开了一种基于SOI衬底的高迁移率双沟道材料的制备方法，基于传统的SOI（silicon-on-insulator）衬底，外延压应变的SiGe材料，用作PMOSFET的沟道材料；在SiGe材料上继续外延Si，采用离子注入、退火等手...

本发明公开了一种基于键合工艺的高迁移率双沟道材料的制备方法，利用体硅衬底外延压应变的SiGe层，采用键合工艺将SiGe层转移至热氧化的硅片上，该SiGe层，用作PMOSFET的沟道材料；在SiGe材料上继续外延Si，采用离子注入、退火等...

本发明公开了一种基于键合工艺的高K介质埋层的SOI材料制备方法。该方法将沉积有高K介质材料的支撑片与外延有SiGe层及Si层的器件片键合，并进行键合加固处理，通过背部研磨工艺，去除多余的Si衬底，并通过选择性腐蚀，移除SiGe层，从而可...

本发明公开了一种高K介质埋层的绝缘体上材料的制备方法，通过在沉积态的高K介质材料上沉积金属材料并结合退火工艺，使高K介质材料的微观结构由沉积态转变为单晶，从而使高K介质材料有了更好的取向，并通过选择性腐蚀的方法彻底去除不需要的金属材料，...

一种相变存储器的数据读出电路，涉及一个或多个相变存储单元，每一个相变存储单元通过位线和字线与控制电路连接；所述数据读出数据包括：箔位电压产生电路，用于产生箔位电压；预充电电路，在箔位电压的控制下对位线进行快速充电；箔位电流产生电路，在箔...

一种读电压/读电流可切换的相变存储器的数据读出电路，包括：箔位电压产生电路；预充电电路；箔位电路，具有产生箔位电流的第一工作模式和产生预放大电压的第二工作模式；读模式切换电路，在读模式选择信号控制下选择读电流模式或读电压模式；电流电压转...