中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利

  • 本发明提供一种用于心磁图仪的减震装置及减震方法,所述的减震装置由两个同心圆环板材与若干个弹簧阻尼器构成,其中若干个弹簧阻尼减震器均匀分布在两片同心圆环板材之间,构筑成三明治结构。使用所述的减震装置的方法特征是减震橡胶为天然橡胶NR、顺丁...
  • 本发明涉及一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法,该方法包括以下步骤:提供一GeOI衬底;在该GeOI衬底的顶层锗上外延InxGa1-xAs层,其中,所述InxGa1-xAs层厚度不超过InxGa1-xAs/GeOI?结合体的临界厚...
  • 本发明涉及一种石墨烯的制备方法,包括以下步骤:在催化剂存在下,六卤代苯在有机溶剂中发生反应,形成石墨烯的悬浮溶液;经过滤、洗涤和干燥除去悬浮溶液中的溶剂和未反应的六卤代苯,得到石墨烯和催化剂的混合物;混合物经酸洗后再过滤、洗涤和干燥,即...
  • 本发明公开了一种集成微结构的PDMS薄膜制作方法,其特征在于首先利用PDMS转模工艺将目标微结构从基于微加工工艺制作的母模复制至热熔性或水溶性材料表面,形成具有可熔化或溶解特性的牺牲层模具;然后在所制作牺牲层模具表面旋涂一薄层PDMS,...
  • 本发明公开了一种数据远程采集与管理系统及其实施方法,所述的系统由1个数据采集和管理中心与多个数据采集与管理分中心组成;中心与分中心间通过无线方式实时传递数据。分中心负责收集各类环境和光伏系统电参数,无线发送到中心,中心负责接收各分中心的...
  • 本发明提供一种钛-锑-碲相变材料沉积方法及相变存储单元的制备方法,包括:沉积Ti前驱体,所述Ti前驱体包括(R1)4Ti、(R1R2N)4Ti、(R1O)4Ti、((R1)3Si)4Ti及TiM4的一种或一种以上,其中R1和R2为含有1...
  • 本发明提供一种平衡-不平衡变压器。该平衡-不平衡变压器至少包括:一端连接第一端口、另一端开路的主线部分;临近所述主线部分以便与所述主线部分形成第一变压器的第一副线部分,其一端连接第二端口;临近所述主线部分以便与所述主线部分形成第二变压器...
  • 本发明公开了一种高通量自动定量分配和混合的微流控芯片、使用方法及其应用,所述微流控芯片为一种组合式微流控芯片,由一个微流控芯片主体和一个预脱气的PDMS泵体组合而成;该芯片利用脱气处理后的PDMS泵体对气体的高溶解特性,在封闭微管道体系...
  • 心磁信号噪声抑制中的信号选择性平均方法
    本发明涉及一种心磁信号噪声抑制中的信号选择性平均方法,其特征在于所述的方法基于模版匹配的方式,通过计算模版信号与被检信号之间的相似系数,经阀值判断剔除部分干扰周波进行平均,以实现可选择信号平均。本方法的特点是利用模版匹配剔除信号中存在噪...
  • 本发明涉及一种用于无屏蔽的心磁图仪的一阶梯度补偿模块及方法,其特征在于所述的一阶梯度补偿模块式以引入的3个z方向参考磁强计与已知的三轴模块中的z方向参考磁强计共同构筑而成的;所述引入的3个z方向参考磁强计分别为SQz1、SQz2和SQz...
  • 本发明提供一种相变存储器的编程系统及方法,该编程系统至少包括:擦操作控制模块,用于产生擦操作驱动通道的控制信号;擦操作使能模块,与所述擦操作控制模块相连接,用于产生擦操作的使能信号;擦操作驱动模块,与所述擦操作使能模块相连接,用于产生擦...
  • 本发明提供一种制备钛-锑-碲相变材料的方法及相变存储单元制备方法,包括:1)在基底上引入Sb的前驱体SbCl3脉冲,清洗未被吸收的的SbCl3,然后引入Te的前驱体(R3Si)2Te脉冲,清洗未被吸收的(R3Si)2Te和反应副产物;2...
  • 本发明提供一种SJ-IGBT器件结构及其制作方法,包括以下步骤:提供一衬底;在该衬底上形成漂移区并在该漂移区预设源端和漏端;提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版,所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大;自上述第一窗口向所述漂移区进行N...
  • 本发明涉及一种用于生物分子固定的薄膜、制作方法及应用。所述用于生物分子固定的薄膜,其特征在于在电化学聚合沉积的聚苯胺薄膜中加入含有疏基分子的化学试剂R-SH,将还原单元中的二级胺部分还原成一级胺,将氧化单元中的三级胺叔胺还原成二级胺,使...
  • 本发明提供一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法,先于(111)晶面型硅片上制作抗氧化掩膜并形成掩膜窗口;采用ICP刻蚀法,将单晶硅刻蚀至一预设深度;对各该掩膜窗口下方的单晶硅进行各向异性湿法腐蚀,形成上下表面为六边形的多个腐蚀槽,相邻...
  • 本发明提供一种在石墨烯表面制备栅介质的方法,包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上生成有石墨烯层;利用在反应温度条件下在所述石墨烯层表面物理吸附的水作为氧化剂而与金属源反应生成金属氧化物薄膜,作为高k栅介质层;所述金属氧化物薄膜为ⅢA族...
  • 本发明涉及一种电阻抗式细菌快速检测传感器的数据分析方法。该传感器基于电阻抗法原理,采用MEMS技术,设计并制造了叉指式电极用于细菌的快速测定。将叉指式电极采集到的阻抗和相位信号进行处理,获得Nyquist曲线。而Nyquist曲线的斜率...
  • 本发明涉及一种DSP结合压缩芯片实现JPEG2000图像编码系统,包括数字信号处理器、图像获取器件、图像压缩器件和压缩数据输出接口,所述图像获取器件用于获取原始图像数据流;所述图像压缩器件用于将所述原始图像数据流转换为JPEG2000编...
  • 本发明涉及一种多通道异步采样ADC实现多通道同步采样的方法,在一个采样周期内,对N个模拟输入通道对称通道序列执行M次对称复采样,然后将单个模拟输入通道的多次采样值累加,得到多个通道的通道序列对称点处单采样点同步采样数据,其中,N≥2、M...
  • 本发明提供一种TiSbTe相变存储材料、制备方法及其应用,按照化学通式Ti1-x-ySbxTey中Sb和Te的配比采用SbxTey合金靶以及Ti靶共溅射,其中,共溅射时,通入惰性气体和掺杂源,获得经掺杂的TiSbTe相变存储材料;所述T...