本发明提供一种用于相变存储器的相变材料，所述相变材料由Al，Sb，Te元素组成的通式为Al100-x-ySbxTey的材料，其中，40≤x＜100，y＜60。本发明提供的Al-Sb-Te系列相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信...

本发明提供一种用于相变存储器的相变材料，该相变材料是由Al，Te两种元素组成的相变材料，通式为Al2Tex，其中，1≤x≤30，且所述相变材料在电信号操作下可以实现高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变。本发明的Al-...

本发明提供一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，先通过外延技术和离子注入技术形成半导体衬底、GaAs层结构，所述半导体衬底中具有H离子或/及He离子注入层，且所述半导体衬底为Ge、Ge/Si、Ge/GeSi/Si或GOI衬底；...

本发明涉及一种低空飞行器目标识别方法，包括以下步骤：选取飞行器样本，提取样本的特征，训练支持向量机；在检测和跟踪的基础上，采用支持向量机进行飞行器目标识别。不难发现，本发明能够对单目标和多目标进行识别，可为其他智能视频监控系统应用场合的...

本发明提供一种基于新型存储器的固态硬盘内部缓存管理方法及系统，所述管理系统包括SATA接口控制器、微处理器、DRAM内存、本地总线、闪存控制器、及NAND闪存，所述固态硬盘内部管理系统中还包括PCRAM缓存，所述PCRAM缓存包括数据块...

本发明提供了一种基于同态加密的数据保护方法和系统，通过结合用户历史数据，采用同态加密原理比较两个聚合后的加密值的校验方法有效地检测用户数据在传输过程中是否存在敌手拦截篡改用户数据。本发明既能发现用户数据是否被篡改，且只对同组ID总的加密...

本发明涉及一种用于物联网短距离无线互联无线节点的超低功耗收发机，包括发射机电路和接收机电路。所述发射机电路包括：LC压控振荡器和预分频器用于产生载频信号；信号调制器将方波基带信号调制到载频信号上形成发射信号；功率放大器用于放大发射信号。...

本发明提供一种用于相变存储器的Ti-Ge-Te系列材料及其制备方法，所述Ti-Ge-Te系列材料的化学式为：Ti1-x-yGexTey，其中0

本发明涉及一种平面型半导体热电芯片及制备方法，该方法包括：制备包括两端完全隔离的导热层（100）、位于导热层上的绝缘层（200）以及位于绝缘层上的发电层（300）的硅片，发电层包括热电偶对（302）及连接热电偶对的金属引线及电极（301...

本发明涉及一种制备单晶硅纳米结构的方法，属于纳米加工技术领域。该方法利用硅材料的各向异性腐蚀特性，通过在制作腐蚀窗口时引入晶向偏转角，实现用大线宽腐蚀窗口在单晶硅各项异性湿法腐蚀后直接形成单晶硅纳米结构。本发明中的偏转角通过掩膜版上的晶...

本发明涉及一种物联网与短距离无线互联无线节点的超低功耗唤醒接收机，包括：射频信号匹配网络用于实现前端放大器和天线之间的阻抗匹配；前端放大器用于放大信号；包络检波器用于检测出信号的幅度包络，并将信号转变成差分脉冲信号；限幅放大器用于放大差...

本发明涉及待测传感器芯片的电学引出结构及其应用。所述待测传感器芯片（16）上设有焊盘（9）以及位于焊盘（9）上的金属焊点（10）；该电学引出结构还包括设有焊盘和互连线的柔性基板（14），所述待测传感器芯片通过金属焊点（10）倒装焊于柔性...

本发明提供一种混合共平面SOI衬底结构及其制备方法，所述混合共平面SOI衬底结构包括背衬底、位于背衬底上的埋氧化层以及位于埋氧化层上的顶层硅膜；所述顶层硅膜上形成有若干第一区域和若干第二区域，所述第一区域与第二区域间隔排列，并通过隔离墙...

本发明提供一种SOI?RESURF超结器件结构及其制作方法，首先提供一SOI衬底；在该衬底的顶层硅上形成漂移区及源、漏端；提供一设有若干第一窗口的第一掩膜版，所述第一窗口的宽度沿源端到漏端方向依次增大；该掩膜版在该漂移区的垂直投影左侧距...

本发明提供一种锗硅异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，在SiGe或Ge区制作器件的源区，Si区制作器件的漏区，获得高ON电流的同时保证了低OFF电流，采用局部锗氧化浓缩技术实现局部高锗组份的SGOI或GOI，在局部高锗组份的SGOI或G...

本发明提供一种微结构保角性转移方法，至少包括以下步骤：提供一自下而上依次为底层硅、埋氧层及顶层X纳米薄膜的XOI衬底，在所述顶层X纳米薄膜上涂覆哑铃状的光刻胶作为掩膜，进行刻蚀得到哑铃状的微结构；然后利用氢氟酸溶液或者BOE溶液将所述埋...

本发明提供一种混合共平面衬底结构及其制备方法，所述混合共平面衬底结构包括硅衬底及形成与所述硅衬底上的若干第一区域和若干第二区域，所述第一区域与第二区域间隔排列，并通过隔离墙隔离，所述隔离墙底部到达所述硅衬底表面或所述硅衬底内；所述第一区...

本发明提供一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成GaAs层，于所述GaAs层表面形成Ⅲ-Ⅴ半导体层，于所述Ⅲ-Ⅴ半导体层表面形成第一SiO2层，所述半导体衬底为Ge、Ge/Si及G...

本发明提供一种基于PCRAM主存应用的内存管理方法，应用在由CPU、内存以及外存构建的系统中，该内存管理方法是：将DRAM缓存作为PCRAM主存的缓存，系统将DRAM缓存中的闲置页以循环均衡方式置换到PCRAM主存；于CPU执行写数据的...

本发明公开了一种基于离心微流控技术的稀少细胞分离检测系统及方法，所述系统包含一个类似光盘的微流控芯片、一个离心驱动模块和一个光学检测模块。其中微流控芯片包含多组辐射状排列的微管道和微腔，芯片整体结构由弹性微柱导轨层、可变形薄膜层、管道/...