用于相变存储器的相变材料制造技术

本发明专利技术提供一种用于相变存储器的相变材料，该相变材料是由Al，Te两种元素组成的相变材料，通式为Al2Tex，其中，1≤x≤30，且所述相变材料在电信号操作下可以实现高低阻值的反复转换，并在没有操作信号的情况下维持阻值不变。本发明专利技术的Al-Te系列相变材料作为相变存储器中的存储介质，可以在电信号作用下实现高低阻值之间的转换，在电信号的操作下，低阻阻值大于基于Ge-Sb-Te传统相变材料的器件低阻值，满足了低功耗的需求。短脉宽的电脉冲（5ns）仍然能对Al-Te基相变存储器进行正常操作，满足了高速数据存储的需求。并且基于Al-Te系列相变材料的相变存储器在循环擦写107次之后仍维持了正常的高低阻差别，体现出器件的循环使用寿命长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造材料领域，特别是涉及用于制造电阻转换相变存储器的存储介质材料。
技术介绍
存储器是目前半导体市场的重要组成部分，是信息技术的基石，无论在生活中还是在国民经济中发挥着重要的作用。目前，存储器的存储产品主要有闪存，磁盘、动态存储器，静态存储器等。其他非易失性技术铁电体RAM、磁性RAM、碳纳米管RAM、电阻式RAM、铜RAM (Copper Bridge)、全息存储、单电子存储、分子存储、聚合物存储、赛道存储(RacetrackMemory)、探测存储(Probe Memory)等作为下一代存储器的候选者也受到了广泛的研究。这些技术各有各的特色，但大都还处于理论研究或者初级试验阶段，距离大范围实用还非常遥远。而目前相变存储器已经走出实验室，走向了市场。继Numonyx宣布出货Omneo系列相变存储芯片后，三星也宣布推出了首款多芯片封装512Mbit相变存储颗粒产品。目前对相变存储器的期望是取代消费电子领域中的NOR型闪存。相变存储器的基本原理是利用期间中存储材料在高电阻和低电阻之间的可逆转变来实现“I”和“O”的存储。通过利用电信号控制实现存储材料高电阻的连续变本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于相变存储器的相变材料，其特征在于：所述相变材料是由Al，Te两种元素组成的相变材料。

【技术特征摘要】
1.一种用于相变存储器的相变材料，其特征在于所述相变材料是由Al，Te两种元素组成的相变材料。2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的相变材料，其特征在于所述相变材料的通式为Al2Tex，其中，I ≤ X ≤ 30ο3.根据权利要求1所述的用于相变存储器的相变材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：任堃，饶峰，宋志棠，刘波，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：