中国科学院上海微系统与信息技术研究所专利技术

中国科学院上海微系统与信息技术研究所共有5030项专利

  • 本发明涉及一种共享资源实时交互方法,包括以下步骤:在模块内定义用于存储共享数据的实时变量数据结构;在实时变量数据结构中注册变量信息;当共享数据的值发生改变时,自动发出信号,通知与所述模块关联的其他模块动作。本发明抛弃了传统的循环读取数据...
  • 本发明涉及一种微孔径声阵列运动目标定向方法,包括以下步骤:选择传声器阵列,确定运动目标的信号带宽B=fH-fL,其中,fH为信号带宽的最高值,fL为信号带宽的最低值;确定流型矩阵,使流型矩阵的频率参数利用流型矩阵和传声器阵列信号之间的数...
  • 本发明提供一种存储器的分块管理方法。根据本发明的方法,先将存储器包含的各存储块均分为至少两个子存储块,并在每一子存储块中设置一记录空间;随后,基于每一子存储块的记录空间中的写次数来确定是否对子存储块进行拆分和/或对存储块进行合并;接着,...
  • 本实用新型涉及可用于实现太赫兹特异介质的电磁谐振单元结构。其特征在于所述的第一种电磁谐振单元结构由一个“工”字形封闭的金属环组成;第二种电磁谐振单元结构是在两个嵌套的闭合金属环之间加两个“T”形金属条组成;第三种电磁谐振单元结构是将两个...
  • 本发明提供一种用于氮化镓单晶衬底的电化学机械抛光的方法,包括:将氮化镓晶体和抛光盘分别作为阳极和阴极,针对GaN晶体的机械研磨和在电解液的中电化学机械抛光。本发明可在GaN晶体的表面获得表面粗糙度均方根小于0.5nm的平整度;本发明抛光...
  • 本发明涉及一种酚类化合物的制备方法,包括:将芳环或芳杂环的硼酯或硼酸溶解在有机溶剂中,室温下加入仲胺,反应2-72小时后旋干反应溶液,色谱柱分离即得酚类化合物。本发明的制备方法操作简单,反应条件温和,不需要贵重的催化剂,一些活性基团可以...
  • 本发明涉及一种基于传感网节点通用中间件的数据融合方法,其特征在于在无线传感网络中,所有的传感器节点采集到的数据均要通过多跳方式传递至汇聚节点,整个网络形成以汇聚节点为根节点的树状拓扑结构;每一个传感器节点都采用通用中间件,无线传感网节点...
  • 本发明提供一种单芯片三轴磁场传感器及制备方法。所述单芯片三轴磁场传感器至少包括:第一基底;形成于第一基底表面的至少两个第一电极及至少四个第二电极;与所述第一基底键合的第二基底,其具有与两个第一电极分别形成电容结构的单轴扭转结构、以及与至...
  • 本发明提供一种微孔金属填充结构及方法,该填充结构包括密封腔、三明治结构;密封腔包括进出气孔;密封腔围成有容纳液态金属槽的空间;三明治结构包括由上至下依次叠加阻挡片、填充基片和喷嘴片;填充基片上设有填充微孔;喷嘴片上设有与填充微孔垂直对应...
  • 本发明涉及一种基于双目视觉稀疏点匹配的空旷区域目标检测与跟踪方法,包括以下步骤:利用张氏棋盘标定法完成对摄像机的标定,并建立摄像机坐标系和用户定义的世界坐标系之间的转换关系。之后,执行本方法相关算法,其中,输入是两台摄像机的同步图像,先...
  • 本发明提供一种内存分配方法及系统。根据本发明的方法,将包含1个空闲页面的各内存块归为一组空闲内存块组、包含2个空闲页面的各内存块归为一组空闲内存块组、包含空闲页面数量大于等于2i-1+1且小于等于2i的各内存块归为一组空闲内存块组,i为...
  • 本发明提供一种在(111)型硅片上制作硅锥体结构的方法,先在硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形;然后将刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度;进行各向异性湿法腐蚀使3个腐蚀槽的交界处形成由上锥部、下锥部及连接部...
  • 本发明涉及一种具有电镀电极的异质结太阳电池及制备方法,其特征在于在单面或双面透明导电层上的金属栅线,并且其中的金属栅线至少包括:位于所述的透明导电层之上的金属种子层,以及依次位于金属种子层上面的金属电极,所述的金属电极依次至少包括以下所...
  • 本发明涉及应用于农业的多跳无线自组织网络的建立方法,包括以下步骤:初始网络中包括源节点,子节点列表和普通节点,所述源节点发送组网广播帧;所述源节点收到组网应答帧后,为发出组网应答帧的节点分配逻辑拓扑帧,并将发出组网应答帧的节点标识和对应...
  • 本发明提供一种调制解调工作模式的切换方法,主要是于射频接收段在上行信道中,通过对接收到的每一帧数据信息的能量进行检测,并将此能量值跟一个预设的门限值进行比较,从而确定是否需要发送调制解调工作模式的切换指令给基带发射段的调制器和基带接收段...
  • 本发明提供一种相变合金材料的无损刻蚀方法,包括如下步骤:提供一半导体衬底;在该半导体衬底上形成相变合金材料层;在所述相变合金材料层的上表面形成刻蚀阻挡层;图形化所述刻蚀阻挡层,以使预设部分的相变合金材料层的表面暴露出来;使暴露出来的相变...
  • 本发明提供一种提高部分耗尽型SOI器件射频性能的制备方法。根据本发明的方法,先在绝缘体上材料结构上形成至少一个器件的源区、栅区、及漏区;随后,对所述源区再进行掺杂使所述源区的部分区域为N型、部分区域为P型;最后再在进行了再掺杂的绝缘体上...
  • 本发明涉及一种基于分水岭分割的静态背景下运动目标检测方法,包括以下步骤:对采集到的视频数据进行预处理;然后使用极小值点的分水岭算法对视频图像进行分割,通过对相邻帧之间的特征点映射关系得到连续帧内的特征点运动轨迹,最后利用一个综合评价模型...
  • 本发明提供一种在(111)型硅片上制作单晶硅纳米长针尖的方法,包括:于硅片表面制作至少具有3个两两相邻的刻蚀窗口的掩膜图形;将各该刻蚀窗口下方的硅片用ICP干法刻蚀至一预设深度;各向异性湿法腐蚀,使两两相邻的3个腐蚀槽的交界处形成由上锥...
  • 本发明提供一种MEMS垂直梳齿微镜面驱动器的制作方法,包括:提供具有双层硅器件层的SOI硅结构;在第一衬底层的表面制作第一划片图形;去除第二衬底层;在第二埋层氧化层上制作双层掩膜;利用双层掩膜,制作出高梳齿结构、低梳齿结构以及微镜面结构...