本发明涉及一种多通道模拟信号幅相一致放大系统，包括模拟信号输入电路、第一模拟多路开关、模拟放大模块、第二模拟多路开关、模拟信号输出电路、逻辑控制电路。N通道信号输入通过模拟信号输入电路预先调理，经过第一模拟多路开关的N个通道按照既定逻辑...

本发明涉及一种光电探测器芯片制作方法，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。本发明旨在最大限...

本发明涉及一种利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及其制备方法。在InkGa1-kAs吸收层中加入应变补偿超晶格电子阻挡层，利用超晶格导带势垒阻挡电子降低暗电流。其制备方法包括：先在衬底上生长高掺杂P型InkAl1-kAs缓冲层...

本发明涉及一种GaAs衬底上扩展波长InGaAs探测器结构，使用该结构制备的探测器截止波长大于1.7微米小于3.5微米，在GaAs衬底上外延含铝砷化物材料作为缓冲层和下接触层，InGaAs作为吸收层，并采用含铝砷化物材料作为窗口层和上接...

本发明涉及一种在空气气氛中快速热处理制备石墨烯粉体方法，为将石墨烯的前驱体置于非密封有盖坩埚中，然后在空气气氛中进行热处理，即得到石墨烯的粉体；或者将石墨烯前驱体与含氮化合物均匀混合再置于非密封有盖坩埚中热处理即制得氮掺杂的石墨烯粉体；...

本发明涉及一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法，通过在InP基普通InGaAs半导体异变缓冲层上外延一层反向失配超薄外延层来实现降低异变材料表面粗糙度，其厚度不超过异变缓冲层上反向失配外延层的临界厚度，一般为0.5-5n...

本发明涉及一种可用于微波频段的圆片级穿硅传输结构及制造方法，其特征在于设计了一种使用与高频可替代同轴线结构的穿硅通孔传输线结构，此结构使用多个TSV环绕一个传输信号的TSV芯的结构，环绕在周围的TSV接地，构成一个形成类似同轴线的共轴屏...

本发明涉及一种双面布线封装的圆片级大厚度光敏BCB背面制作方法，其特征在于在制作好晶圆正面之后，在背面先进行表面处理，先涂覆BCB的增粘剂，再涂覆厚度大于20μm的光敏BCB，使用烘箱进行前烘，光刻后将BCB再次放入烘箱进行显影前软烘，...

本发明涉及一种制备直接带隙Ge薄膜的方法，包括提供一GeOI衬底；对所述顶层锗纳米薄膜进行图形化处理，开出若干与底部所述埋氧层贯通的腐蚀窗口；湿法腐蚀直至埋氧层被彻底腐蚀掉，使得所述图形化的顶层锗纳米薄膜与硅衬底虚接触；提供一PDMS载...

本发明涉及基于图形识别在衬底上集成多种材料的方法，包括通过光刻以及RIE刻蚀过程制备具有微型井图形的衬底以及制备与所述微型井图形互补的、不同材料的微单元的步骤；然后将具有微型井图形的衬底以及与所述微型井图形互补的、不同材料的微单元放入盛...

本发明提供一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法是首先在GaAs衬底上分别外延出InxGa1-xAs层和Ge层，其中，0.223﹤x≤1，并使InxGa1-xAs层的厚度不超过其生长在GaAs衬底上的临界厚度，使Ge层的...

本发明提供一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法首先在GaAs衬底上分别外延出InxGa1-xAs层和顶层Ge薄膜，所述InxGa1-xAs层中In组分x为0﹤x≤1，并使所述InxGa1-xAs层的厚度不超过其生长在所述...

本发明提供一种制备半导体弛豫、应变材料并使其层转移的方法，首先在Si衬底上依次外延生长中间薄层、Si外延层、及顶Si1-xGex层，其中Ge组分x为0﹤x≤0.5，并使Si1-xGex层的厚度不超过其生长在Si外延层上的临界厚度；然后对...

本发明涉及一种基于彩色颜色距离和图像分科聚合的目标跟踪方法，包括以下步骤：框选矩形目标，生成预跟踪目标轮廓，计算颜色直方图模板；对下一帧图像的区域进行分割聚合得到分割区域，将分割区域与颜色直方图模板匹配实现目标跟踪。本发明避免了跟踪算法...

本发明涉及一种声震复合传感器对地面移动目标测距方法，声震复合传感器通过声音传感器和震动传感器在同一时间区间观测地面移动目标运动过程中产生的声音信号与地面震动信号，经过时延估计算法计算出两种信号到达声震复合传感器的时间差值，结合声音在野外...

本发明提供一种变面积型电容式横向加速度传感器及制备方法。该加速度传感器至少包括：由相互电性隔离的第一基底、第二基底及第三基底键合成的三层层叠结构，其中，第二基底包括可动质量块、围绕可动质量块的边框、连接可动质量块及边框的弹性梁、处于可动...

本发明公开了一种高强度可逆键合微流控芯片的制作方法，所述方法首先利用牺牲层模具制作集成微管道结构的PDMS薄膜，并将PDMS薄膜结构面与一预先打孔的硬质基片对准贴合，然后将另一预先旋涂PDMS预聚体和固化剂混合液的硬质基片贴附于PDMS...

本发明提供一种基于边缘转移法制备柔性衬底上半导体亚微米带的方法及柔性光波导，将绝缘体上半导体衬底的顶层半导体刻蚀成间隔排列的半导体条结构；采用HF溶液将埋氧层腐蚀成多个支撑结构，使各该半导体条结构的两侧形成悬空的半导体带结构；将一PDM...

本发明提供一种级间匹配可调的CMOS超宽带低噪声放大器电路。该电路至少包括：基于连接第一MOS管的负反馈电路来实现对超宽带输入信号的匹配的信号接入电路；与信号接入电路共同构成第一级放大电路的信号抽取电路，其基于连接第一MOS管与第二MO...

本发明提供一种用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料。该Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料的通式为GaxGeySbzTew，其中0