【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体光电子材料及器件领域，特别是涉及一种。
技术介绍
半导体光电探测器是用途最广泛的一类光电子器件，基于化合物半导体体材料和外延材料的光电探测器可覆盖广阔的探测波段。对于半导体光电探测器而言，暗电流是决定其性能的最重要参数之一，直接决定了其噪声特性，也即其探测微弱信号的能力。在制作化合物半导体光电探测器芯片的过程时，目前常规流程中普遍采用了基于等离子体的加工工艺。如图1所示，在台面型器件的制作中常采用反应离子刻蚀(RIE)、电感耦合等离子刻蚀(ICPE)等干法台面刻蚀隔离成型工艺；在器件钝化中常采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)、电感耦合等离子化学气相沉积(ICP-CVD)工艺淀积Si3N4或SiO2等介质膜对芯片进行钝化。由于等离子体所携带的较高能量和由此产生的高物理和化学活性，采用基于等离子体的加工工艺具有一系列特点，如干法刻蚀中易于获得陡峭的边缘，介质膜淀积中易于获得高质量的介质膜等。随着技术的进步，在传统等离子工艺上发展起来的电感耦合等离子(ICP)工艺可进一步改善能量耦合的效率，从而获得更好的工艺效果如更高的刻蚀速率、更低的反应温...
【技术保护点】
一种基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。
【技术特征摘要】
1.一种基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。2.根据权利要求1所述的基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤: (1)将生长好的外延片用光刻胶光刻工艺形成台面图形，并用湿法腐蚀工艺形成隔离台面； (2)在已形成的隔离台面上涂覆以双苯基环丁烯，经过前烘后直接光刻窗口图形； (3)用以双苯基环丁烯显影液在水浴下进行显影，经后烘预固化后采用分步升温方法进行以双苯基环丁烯固化； (4)采用光刻法形成电极图形，用蒸发或溅射方法淀积金属电极材料，剥离形成电极图形； (5)完成光电探测器芯片制作。3.根据权利要求2所述的基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法，其特征在于，所述步骤(I)中采用体积比为10:5:1:50的HBr、HC1、H2O2和H2O...
【专利技术属性】
技术研发人员：张永刚，顾溢，李好斯白音，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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