【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于太阳能电池生产制作
，尤其涉及。
技术介绍
晶体硅的背面点接触主要是在背面镀上氮化硅，由于氮化硅中氢达到良好的背面钝化效果，但是由于氮化硅的阻挡，背电场的铝不能很好与硅片接触形成合金，所以要在背面的氮化硅薄膜层中开一些点的窗口，这样可以使铝背场与硅片接触形成合金。因为背面氮化硅的钝化和大铝背场的效果，所以可以大幅提升电池的长波相应，提升电池开路电压、短路电流，最终提升电池的转换效率。对于晶体硅的背面点接触很多种方法:两次镀膜激光背面开窗、印刷腐蚀浆料开窗等。传统的背面点接触有两种:1、在PECVD中对硅片正反两面沉积氮化硅，在背面的氮化硅层通过激光打孔的方式开出很多接触需要的窗口。但是由于两次PECVD沉积氮化硅工艺比较麻烦，成本比较高，另外激光开窗高能量的激光对硅片的损伤也比较大，需要进行退火工艺修复损伤。2、印刷腐蚀浆料开窗法:(I)清洗、碱洗硅片，将硅片表面的油污及金属杂质去除并形成倒金字塔结构的绒面，(2)高温扩散形成PN结，达到所需的方块电阻(3)湿法刻蚀去除边缘和背面的PN结，另外用HF酸去除扩散形成的磷硅玻璃(4)在硅片正面采用...
【技术保护点】
一种晶体硅背面点接触的制备方法，其特征在于包括如下步骤：1）提供太阳能电池用的单晶硅片，对单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构；2）将制绒好的硅片插入石英舟中，在850?900℃中进行扩散形成PN结，在硅片的正面形成方块电阻60?70ohm/□；3）采用湿法链式刻蚀去除硅片四周和背面的PN结，达到前后表面PN结的隔离，同时采用HF去粗扩散形成磷硅玻璃；4）采用微波法的等离子体化学气相沉积的方法在硅片正反两面沉积一层氮化硅钝化减反膜，并在背面留出点接触的点；5）采用丝网印刷技术对电池背电极、背电场、正面电极依次印刷，背电极印刷银浆，背电场印刷铝浆，正面电极印刷银浆，并通...
【技术特征摘要】
1.一种晶体硅背面点接触的制备方法，其特征在于包括如下步骤: 1)提供太阳能电池用的单晶硅片，对单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构； 2)将制绒好的硅片插入石英舟中，在850-900°C中进行扩散形成PN结，在硅片的正面形成方块电阻60_70ohm/ □； 3)采用湿法链式刻蚀去除硅片四周和背面的PN结，达到前后表面PN结的隔离，同时采用HF去粗扩散形成磷硅玻璃； 4)采用微波法的等离子体化学气相沉积的方法在硅片正反两面沉积一层氮化硅钝化减反膜，并在背面留出点接触的点； 5)采用丝网印刷技术对电池背电极、背电场、正面电极依次印刷，背电极印刷银浆，背电场印刷铝衆，正面电极印刷银衆，并通过烧结形成良好的欧姆接触。2.根据权利要求1所述的一种晶体硅背面点接触的制备方法，其特征在于:单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构包括如下步骤:对单晶硅片进行预清洗，采用单晶硅片清洗液进行超声清洗将硅片表面的油污清洗干净，然后将硅片放置于1.5%的氢氧化钠和IPA5%的78-80°C的混合制绒液中进行表面织构化工艺，在单晶硅片表面形成1_3 μ m的金字塔状绒面结构，增加硅片的表面积，增加电池的短路电流。3.根据权利要求1所述的一种晶体硅背面点接触的制备方法，其特征在于:扩散形成PN结包括步骤如下:将制绒好的硅片硅片双片插入石英舟，在850-900°C的POCLjP O2的气氛中进行扩散，正面方块电阻控制在...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐冬星，倪建林，闻二成，
申请(专利权)人：浙江光普太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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