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本发明公开了一种晶体硅背面点接触的制备方法，包括如下步骤：1）对单晶硅片表面去除损伤层并形成织构化绒面结构；2）将制绒好的硅片插入石英舟中扩散形成PN结，在硅片的正面形成方块电阻；3）去除硅片四周和背面的PN结，同时采用HF去粗扩散形成磷硅...
该专利属于浙江光普太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江光普太阳能科技有限公司授权不得商用。

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