【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种抑制SiC紫外光电探测器暗电流方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：利用SiC的特点，在材料的Si面上干氧热氧化生长牺牲层，在1000度高温干氧气氛中在SiC表面生长一层SiOx，然后用氢氟酸去除并用热去离子水快速冲洗；步骤2：用干燥纯氮气快速吹干并立即置入氧化炉中，通过快速升温至1000度，先干氧氧化1小时，然后湿氧氧化4小时，再干氧氧化1小时，形成60nm后的SiOx层，在炉温不变的条件下，用氮气退火1小时，然后自然降温，在器件表面形成SiOx；步骤3：采用PECVD方法在热氧化SiOx薄膜上再生长一层300nm的SiOx层；步骤4：最后再采用PECVD方法生长200nmSiN薄膜，作为钝化层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴正云，李忠东，吴惠忠，
申请(专利权)人：吴正云，李忠东，
类型：发明
国别省市：福建;35
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