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本发明公开了一种抑制SiC紫外光电探测器暗电流方法，根据SiC光电探测器暗电流产生的来源及抑制他们的原理，利用不同生长方法在SiC紫外探测器器件表面制备SiO2和SiN薄膜，分别考虑高低电场条件下各种薄膜对暗电流的抑制能力以及有效减少载流子...
该专利属于吴正云;李忠东所有，仅供学习研究参考，未经过吴正云;李忠东授权不得商用。

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