太阳能电池的背面接触设计及其制造方法技术

本发明专利技术提供了太阳能电池的背面接触设计及其制造方法。本发明专利技术公开了一种方法，该方法包括在位于太阳能电池衬底上方的背面接触层上的多个位置处直接沉积间隔件。在背面接触层和间隔件的上方形成吸收层。吸收层部分与间隔件接触同时部分与背面接触层直接接触。加热太阳能衬底，以在介于吸收层和背面接触层之间的间隔件的位置处形成空隙。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的背面接触设计及其制造方法
本专利技术总体涉及太阳能电池，更具体地，涉及薄膜光伏电池及其制造方法。
技术介绍
光伏电池或太阳能电池是利用太阳光直接生成电流的光伏组件。由于对清洁能源需求的不断增强，近年来，太阳能电池的制造业大幅扩张并且仍将继续扩大。太阳能电池包括衬底、衬底上的背面接触层、背面接触层上的吸收层、吸收层上的缓冲层以及缓冲层上方的正面接触层。在沉积工艺期间，例如使用喷溅和/或共蒸，可以将这些层应用到衬底上。在一些太阳能电池的吸收层的至少一部分中可以使用半导体材料。例如，在沉积工艺之后，使用诸如铜铟镓硒化合物（CIGS）（也称为薄膜太阳能电池材料）的黄铜矿基半导体材料来形成吸收层。在半导体材料中，术语“复合”指电子与空穴复合，向第二电子释放多余能量而不是作为光子释放能量。然后，第二电子（以及接连的电子）在一系列的碰撞中释放附加的能量，返回到（relaxingback）能带的边缘。因此，产生的效果是多个粒子（包括多个电子和空穴）之间的相互作用的结果。净效果是会另外产生有用功率的多个电子-空穴对复合，并且消除载流子。因为复合是基于载流子交换能量的能力，所以复合的概率随着本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：在直接位于太阳能电池衬底上方的背面接触层上的多个位置处沉积间隔件；在所述背面接触层和所述间隔件的上方形成吸收层，所述吸收层部分地与所述间隔件接触且部分地与所述背面接触层直接接触；以及加热所述太阳能电池衬底，以在所述吸收层和所述背面接触层之间的所述间隔件的位置处形成空隙。

【技术特征摘要】
2013.10.24 US 14/061,8031.一种用于制造太阳能电池的方法，包括：在直接位于太阳能电池衬底上方的背面接触层上的多个位置处沉积间隔件；在所述背面接触层和所述间隔件的上方形成吸收层，所述吸收层部分地与所述间隔件接触且部分地与所述背面接触层直接接触；以及加热所述太阳能电池衬底，以在所述吸收层和所述背面接触层之间的所述间隔件的位置处形成空隙。2.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法，其中，沉积所述间隔件的步骤包括在所述背面接触层上喷射间隔件材料粒子。3.根据权利要求2所述的用于制造太阳能电池的方法，其中，所述间隔件材料包括金属氧化物。4.根据权利要求2所述的用于制造太阳能电池的方法，其中，所述间隔件材料包括二氧化硅或高电阻化合物半导体。5.根据权利要求2所述的用于制造太阳能电池的方法，其中，所述间隔件材料粒子的尺寸介于100nm至500nm之间。6.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法，其中，沉积所述间隔件的步骤包括：在所述背面接触层上喷射纳米粒子。7.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法，其中，沉积所述间隔件的步骤包括：在所述背面接触层上沉积二氧化硅膜；以及使用光刻工艺去除所述二氧化硅膜的位于所述间隔件的位置外侧的部分。8.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法，其中，沉积所述间隔件的步骤包括：在所述背面接触层上沉积绝缘膜；以及使用光刻工艺去除所述绝缘膜的位于所述间隔件的位置外侧的部分。9.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法，其中，沉积所述间隔件的步骤包括：用间隔件材料覆盖所述背面接触层的70％至80％。10.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法，其中，加热步骤包括：将所述衬底加热至400℃至600℃的温度。11.根据权利要求1所述的用于制造太阳能电池的方法，其中，沉积所述间隔件的步骤包括在70％至...

【专利技术属性】
技术研发人员：程子桓，蔡家弘，
申请(专利权)人：台积太阳能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71