用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料制造技术

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子
，特别是涉及一种用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料。
技术介绍
相变存储器(PCM)是近年来兴起的一种非挥发性半导体存储器。与传统的存储器相比，它具有存储单元尺寸小、高读写速度、低功耗、循环寿命长、以及优异的抗辐照性能等优点。基于上述优点，相变存储器不仅能够取代现有的存储器，而且还在普通存储器达不到的一些领域(诸如空间、航天技术和军事等领域)产生新的应用。相变存储器是新型存储技术中有力的竞争者，有望替代闪存(Flash技术)成为下一代非挥发存储器的主流存储技术，因而拥有广阔的市场前景。相变存储器的应用基于其中的相变材料在电脉冲信号操作下高、低电阻之间的可逆转换来实现“ O ”和“ I ”的存储。相变存储器的核心是相变存储介质材料，传统的相变材料主要是Ge2Sb2Te5，其已经广泛地应用于相变光盘和相变存储器中。但是现有以Ge2Sb2Te5为相变材料的相变存储器，依然存在一些问题1)结晶温度较低，面临着数据丢失的危险；2)热稳定性不好，数据保持力得不到保证，其能够提供10年可靠数据保存的工作温度仅为80度，严重制约了其应用领域。例如在汽车电子等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于相变存储器的Ga?Ge?Sb?Te薄膜材料，其特征在于：所述用于相变存储器的Ga?Ge?Sb?Te薄膜材料的通式为GaxGeySbzTew，其中0

【技术特征摘要】
1.一种用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料,其特征在于所述用于相变存储器的 Ga-Ge-Sb-Te 薄膜材料的通式为 GaxGeySbzTew，其中 0<x ^ 16, 23 ^ y ^ 28, 26 ^ z ^ 31, 30 < w < 40。2.根据权利要求1所述的用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于优选通式为 Ga6Ge28Sb26Te4tlt53.根据权利要求1所述的用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料采用溅射法、电子束蒸发法、化学气相沉积法、及原子层沉积法中的一种形成。4.根据权利要求3所述的用于相变存储器的Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料，其特征在于所述Ga-Ge-Sb-Te薄膜材料采用GaSb和GST合金靶共溅射形成。5.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：张中华，宋三年，宋志棠，吕叶刚，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：