本发明提供一种基于虚拟导频的用于限幅OFDM系统的信道估计方法，该方法包括：利用估计的初始信道信息进行信道均衡，并判决得到传输的数据符号；选取部分或全部数据符号作为虚拟导频，并连同限幅OFDM系统的导频一起组成混合导频序列；利用混合导频...

本发明提供一种超薄绝缘体上半导体材料及其制备方法，通过生长Ge组分呈梯度渐变的多个Si1-xGex过渡层及Si1-zGez停止层，在Si1-zGez停止层上生长半导体层，然后使所述半导体层与一具有绝缘层的衬底键合，最后通过智能剥离技术进...

本发明提供一种制备GOI的方法，采用生长Ge组分渐变的Si1-xGex层作为梯度缓冲层，以制备出高纯度、低缺陷的纯Ge层，然后通过离子注入在梯度缓冲层与纯Ge层的界面附近形成剥离层，接着进行退火使其剥离。采用本方法能达到低剂量离子注入实...

本发明提供一种SiGe中嵌入超晶格制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，并使所述Si1-xGex层弛豫以形成弛豫Si1-xGex层；其次在所述弛豫Si1-xGex层上外延包括Si层和Si1-y...

本发明提供一种嵌入超晶格层组制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，其次在所述Si1-xGex层上外延一Si层，形成Si1-xGex/Si双层薄膜，然后多次重复外延所述Si1-xGex/Si双层...

本发明提供一种嵌入超晶格制备应变Si的方法，该方法首先在Si衬底上外延一Ge组分为x的Si1-xGex层，其次在所述Si1-xGex层上外延一Ge组分为y的Si1-yGey层，且y≠x，形成Si1-xGex/Si1-yGey双层薄膜，然...

本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，提高器件的良率。

本发明提供了一种电表数据收集系统及方法，所述系统包括：N个智能读表器、数据收集器及能源供应端，N个智能读表器用以产生N个电表数据；并对N个电表数据加密，得到N个消息；并将N个消息发送给数据收集器；数据收集器用以解密N个消息；并对解密的N...

本发明公开了一种用于无线自组织网络的多点协作通信系统及方法，该方法包括如下步骤：建立无线自组织网络，并设置无线帧结构；对接入的网路节点进行网络同步，并建立相应的网络拓扑关系；于业务传输时所有节点同时在某个时隙切换到控制信道进行协商，以获...

本发明提供一种薄膜图形化方法，该方法至少包括以下步骤：提供一非金属衬底，并在该非金属衬底上形成光刻胶；进行光学曝光，将预设图形转移至该光刻胶上；在步骤2）之后获得的结构上沉积金属层；然后去除光刻胶并剥离，获得所需金属图形结构；在上述金属...

本发明涉及一种石墨烯/生物活性干凝胶及其制备工艺与应用。其组分包括石墨烯和生物活性干凝胶，所述生物活性干凝胶包含如下摩尔百分含量的组分：CaO25~80mol%，SiO20~70mol%，B2O30~70mol%，P2O52~10mol...

本发明涉及一种湿法沉积和低温热处理相结合制备异质结太阳电池方法，其特征在于在单面或双面透明导电层上湿法沉积金属栅线，然后低温热处理合金化；其中：①金属栅线至少包括位于所述的透明导电层之上的金属接触层和依次位于金属接触层上面的金属传导层和...

本发明提供一种协作无线信道测量系统及方法，该方法包括：发射端中央处理单元产生特定宽带测试基带或中频信号、发射端各单元同步及协作控制信号和发射端中央处理单元内部时序控制信号；发射端分布式处理单元对宽带测试基带或中频信号进行处理，输出电测试...

本发明提供一种OFDM自适应前馈线性功率放大装置，包括功率放大模块，依据外部激励信号的变化对射频信号进行矢量调节以保证功放进行稳定的线性放大的自适应控制模块，依据预先设定的可调范围值对放大信号进行功率输出控制的数字ATT模块，以及对检测...

本发明提供一种图形化绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Co层，然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之...

本发明提供一种绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间插入一层金属硅化物NiSi2，以代替常规SOI双极晶体管...

本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过退火工艺使Ni层与Si衬底反应生成NiSi2，通过刻蚀工艺控制不同区域的顶层硅厚度，以合理选择用于制备双极...

本发明提供一种绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过Co与Si衬底两次反应生成CoSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅之间插入一层金属硅化物CoSi2，以代替常规SOI双极晶体管中的集...

本发明提供一种图形化绝缘体上Si/NiSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Ni层，通过对Ni与Si衬底进行退火反应生成NiSi2，并通过智能剥离工艺对其进行转移，以在传统SOI衬底的BOX层和顶层硅...

本发明提供一种图形化全耗尽绝缘体上Si/CoSi2衬底材料及其制备方法，通过抬离（lift-on）技术制作图形化的金属Co层，然后使Co层与Si衬底两次反应生成CoSi2，通过刻蚀工艺可以控制不同区域的顶层硅厚度，以合理选择用于制备双极...