本发明提供一种八晶体管静态随机存储器单元，至少包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；传输门，由第三NMOS晶体管、第四NMOS晶体管第五NMOS晶体管及...

本发明涉及一种传感器网络节点代码升级管理中间件、方法及应用，其特征在于代码升级管理中间件作为一个中间体位于底层模块和应用模块之间；作为一个基本中间件子集，起运行代码管理服务，为整个系统的维护升级提供解决方案；所述的传感器网络包括普通节点...

本发明涉及一种实现杜瓦万向稳定的无动力方法及相应的装置，所述的方法特征在于：①基于先减振后稳定的思路利用杜瓦及其载体的重心发生偏离时形成的扭矩阻碍状态的改变，并引入流体控制动态增加回归扭矩，再结合分级阻尼系数调节系统稳定性；②采用类同心...

本发明涉及一种多跳网络和无线传感网的介质访问控制协议中的退避算法，本发明针对不同的分组分别采用不同的退避窗口进行退避，有效降低了非时延敏感分组对时延敏感分组的竞争影响，保证了时延敏感分组的有效传输，同时针对同种分组，节点在基础退避时隙上...

本发明提供一种六晶体管静态随机存储器单元，所述存储器单元至少包括：第一反相器，由第一PMOS晶体管及第一NMOS晶体管组成；第二反相器，由第二PMOS晶体管及第二NMOS晶体管组成；传输门，由第三NMOS晶体管及第四NMOS晶体管组成；...

本发明提供一种自适应海拔高度的轮胎压力监测系统，所述轮胎压力监测系统至少包括：传感器模块、接收器和空气压力传感器，其中，所述传感器模块设置在轮胎的内部，所述接收器安装在驾驶舱内；所述传感器模块和所述接收器之间通过无线射频进行通信连接，所...

本发明提供一种微型热电能量收集器及其制作方法，在低阻硅衬底上制作环状沟槽以围成硅热电柱结构，然后在环状沟槽制作绝缘层，再对其填充热电材料以形成环形热电柱结构，然后制作金属布线、保护层以及支撑衬底等以完成制作。本发明的硅热电柱结构直接采用...

本发明提供一种三维热电能量收集器及其制作方法，通过在低阻硅上刻蚀出多个凹槽及凹槽之间的硅柱，然后在凹槽表面形成绝缘层，并通过薄膜沉积技术制作热电柱，藉由所述热电柱与相邻的硅柱组成热电偶对，接着通过刻蚀沉积等工艺制作金属布线，衬底减薄、键...

本发明提供一种基于混合晶向SOI及沟道应力的器件系统结构及制备方法。根据本发明的制备方法，首先制备（100）/（110）全局混晶SOI结构；接着，在全局混晶SOI结构上依次外延弛豫的锗硅层和应变硅层后，再形成（110）外延图形窗口，并在...

本发明提供一种基于混合晶向SOI的器件系统结构及制备方法。根据本发明的制备方法，首先制备全局混晶SOI结构；接着，在所述全局混晶SOI结构上形成外延图形窗口；接着，在所述外延图形窗口处外延硅，并使外延硅后的图形化混晶SOI结构表面平坦化...

本发明涉及一种基于空间相关性的空间磁场及全张量梯度测量系统及方法，其特征在于，所述测量系统包括第一磁通门计、第二磁通门计、电动驱动器和数字采集系统，所述的第一磁通门计和第二磁通门计之间相距一定距离，并且三轴方向相互平行；其中，所述的第一...

本发明提供一种电容式加速度传感器的传感部件、制作方法及其应用，本发明采用单晶硅纳米线支撑的质量块作为传感部件核心部分，在（111）单晶硅衬底上刻蚀出微米量级的支撑梁，并利用（111）硅片内的晶向分布特点，采用单晶硅各向异性腐蚀和自限制氧...

本发明提供一种CPM信号的最优解调设备及解调方法，所述最优解调设备至少包括：相位旋转模块、匹配滤波器模块和维特比最大似然序列检测器。本发明的CPM信号的最优解调设备及解调方法的算法原理与CPM的最优解调算法MLSD相同，且解调性能与ML...

本发明提供一种基于竖直石墨烯的场发射电极的图形化制备方法，以耐酸性不同的金属为过渡图形化掩模层，首先利用两步图形化技术，在非金属衬底表面将图形转移到光刻胶上，沉积金属并剥离，得到有图形化金属的衬底，再在留有金属图形的衬底上沉积竖直石墨烯...

本发明涉及一种用于微量蛋白检测的微芯片的制备方法，包括：以硅片为基底材料，以SU-8光刻胶作为掩模层，分别曝光、显影制作模具A和模具B；将PDMS和固化剂混合后，分别浇注在模具A和模具B上，加热固化；分别剥离A-PDMS、B-PDMS；...

本发明提供一种BCH码检纠错方法、电路及容错存储器。根据本发明的方法，先基于已经过BCH编码的待检验BCH数据组的监督矩阵来计算待检验BCH数据组的待比较校正子；随后，若所述待比较校正子不为0，则将所述待比较校正子与多个标准校正子进行比...

本发明涉及一种通过控制温度提高集成电路可靠性的方法，包括以下步骤：在集成电路内部集成一个或多个温度监控单元；通过温度监控单元实时监测集成电路内部的温度变化；根据得到的集成电路内部的温度来调整集成电路的工作频率，使集成电路的内部温度控制在...

本发明提供一种层数可控石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：1）提供一Cu衬底，在所述Cu衬底上形成一Ni层；2）采用离子注入法在所述Ni层中注入C；3）对步骤2）形成的结构进行退火处理使得所述Cu衬底中的部分Cu进入所述Ni层中形成Ni...

本发明涉及一种宏量制备石墨烯量子点粉体的方法，本方法从天然鳞片石墨出发，分三步实现宏量制备粉状石墨烯量子点：第一步将天然鳞片石墨转变为石墨纳米颗粒，第二步将石墨纳米颗粒转变为一阶插层纳米氧化石墨，第三步将一阶插层纳米氧化石墨置于非密封有...

本发明公开了一类硝酸共熔盐，并涉及这种熔盐的用途，其特征在于所述的硝酸共熔盐质量百分数为：LiNO3，0～65%；KNO3，30～95%；Ca(NO3)2，0～60%。本发明提供的硝酸共熔盐的熔点低于150℃（最低为109.4℃），热稳...