本发明提供一种上行资源调度系统和方法，应用于智能电网无线通信中，包括：将一缓冲区大小的值分割成M组非均匀量化组并生成一总表，其中，M是非均匀量化组的对应的量化值，M为正整数；对所述总表中的每一组非均匀量化组构造出对应的缓冲域状态报告表；...

一种星载相控阵接收天线数据传输系统，包括链路层发送单元、物理层发送单元、物理层接收单元以及链路层接收单元；所述链路层发送单元与物理层发送单元相连，用于缓存天线波束形成单元形成的多个波束数据，并按照设定速率和链路层的帧格式，发送波束数据至...

本发明涉及一种高能电池，包括负极、熔盐电解质和正极，其特征在于所述的熔盐电解质为LiNO3-KNO3-Ca(NO3)2硝酸共熔盐或LiNO3-KNO3-KNO2-Ca(NO3)2四元硝酸共熔盐；所述的高能电池为高温锂电池。其中，LiNO...

本发明提供一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法，所述单元至少包括衬底；所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极；所述底层石墨烯及所述顶层石墨烯为带状石墨烯...

本发明提供一种快速移动场景中的目标分类识别方法及分类器获取方法，该识别方法包括：计算典型快速移动场景中目标样本的信噪比动态范围和不同信噪比条件下目标样本的种类特征，确定信噪比的划分级数N和划分界限，将信噪比动态范围划分为N个归类区间；将...

一种星载相控阵接收天线测试系统，包括星载相控阵接收天线DBF基带实物单机和半实物测试上位机；DBF基带实物单机包括A/D转换器组以及与之相连的DBF基带单元；半实物测试上位机包括测试数据发送模块、多路D/A转换PCI-E板卡、差分串行数...

本发明涉及一种风速风向评估系统及方法，评估系统包括：传声器阵列、模拟调理电路、模数转换电路、数字信号处理器、数据输出电路及系统电源电路；评估方法包括：阵列信号输入、信号预处理、通道间一致性评估、风向换算、风速换算及风速风向数据输出。本发...

本发明公开了一种高通量微量液体样品分配装置，所述装置包含一组并行排列的毛细管阵列、一个毛细管阵列固定架和一个与毛细管阵列对应的储液器，所述的装置通过毛细作用同时实现多个液体样品的自动高通量微量吸取，然后通过使毛细管下端接触具有强毛细作用...

一种星载多波束接收天线校正系统，参考信号生成模块用于产生I、Q两路正交参考信号；参考信号上变频与功分模块接收参考信号并进行DA转换以及上变频到天线阵元工作频率后，分成多路信号送至各通道的射频下变频前端完成参考信号到射频通道的耦合；每一射...

本发明涉及一种超导量子干涉仪的数字化模拟器，其特征在于通过ADC、微处理器和DAC数字电路在常温下实现SQUID的电特性模拟；所述模拟器，采用嵌入式系统架构，通过模数转换的方式将读出电路的反馈信号按照微控制器内部建立的在线更新SQUID...

本发明涉及一种超导磁传感器的数字化实时磁补偿装置及方法，其特征在于在传统磁通锁定环读出电路的基础上引入具有不同通带特性的两级负反馈，分别实现高灵敏度待测磁场信号的读取和低灵敏度待补偿磁场干扰的补偿，采用ADC、微处理器、DAC及其附属器...

本发明公开了一种简易低成本微阵列芯片点样器及使用方法，所述点样器由一个包含微通孔阵列和一组微管道的硅橡胶芯片构成，芯片上每个微通孔至少与一条微管道相通，各条微管道之间相互独立，且每条微管道至少连接一个进样口。使用时，首先将点样器置于真空...

本实用新型提供一种脉搏监控设备及系统。其中，脉搏监控设备至少包括：感测脉搏信号的传感器；用于对传感器所感测的信号进行放大及滤波的放大滤波电路；用于基于放大滤波电路输出的多个信号确定脉搏判决阈限后、再基于所述脉搏判决阈限来确定单位时间内放...

本发明涉及一种GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法，该量子阱结构采用InxGa1-xAs1-yBiy作为量子阱的阱层材料，采用AlzGa1-zAs作为量子阱的垒层材料；其制备方法包括：（1）在GaAs衬底上生长G...

本发明提供一种集成宽频带天线及其制作方法，通过在Si衬底上制作接地平面，在接地平面上制作具有流动性的有机介电材料并固化作为天线的基板，在该基板上制作天线图形，并在天线图形对应的区域刻蚀所述Si衬底形成介质空腔。本发明的集成宽频带天线克服...

本发明涉及一种用于相变存储器的钨掺杂改性的相变材料，该材料属于微电子技术领域。本发明的相变材料的通式为，A为、和中的任一种，x、y、z为原子百分比，且0＜x＜0.65，0.35＜y＜0.8，0.25＜z＜0.95。所述相变材料在外部电驱...

本发明涉及一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构及其制备方法，所述的量子阱结构的势垒层中含有铋元素；其制备方法以GaAsBi量子阱为例，包括：（1）在GaAs衬底上生长GaAs缓冲层；（2）生长AlGaAsBi势垒层；（3）生长GaAs...

本发明涉及一种基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III-V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。本发明在生长量子势阱和势垒材料过程中同时打开铋束源快门，利用铋元...

本发明涉及一种InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备方法，该探测器结构由下而上依次包括：InP衬底、高掺杂n型InP缓冲层、吸收层和高掺杂p型InP帽层，所述的吸收层为低掺杂n型InyGa1-yAs1-x...

本发明提供一种表面等离激元耦合太赫兹量子阱探测器，包括：半导体衬底、下电极、多量子阱结构、上电极、以及金属光栅。所述金属光栅用于实现入射光子的极性偏转，调整所述金属光栅的周期、金属条的宽度以及上电极的电子掺杂浓度、上电极的厚度，能使入射...