【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种基于铋元素的非矩形III?V族半导体量子阱的制备方法，包括生长III?V族半导体量子阱的势阱材料和势垒材料，其特征在于：所述的势阱材料和势垒材料的生长过程中均加入铋元素。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王庶民，顾溢，宋禹忻，叶虹，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
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